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101.
将α,ω-二氯全甲基多硅烷相继与环戊二烯基钠、正丁基锂及四氯化锆作用,生成的全甲基多硅撑桥连二环戊二烯基二氯化锆(Me_2Si)_n(C_5H_4)_2 ZrCl_2(n=2,3)在碱性条件下被水解,生成标题化合物[(Me_2Si)_n(C_5H_4)ZrCl]_2O.用元素分析、~1HNMR和质谱表征了其结构,进而对两个化合物的单晶进行X射线结构分析,确证其分子结构.n=2的晶体属P2_1/C空间群,晶胞参数a=14.268(4),b=7.812(1),c=31.050(5)A;β=99.59°;Z=4.最终偏差因子R=0.039.n=3的晶体属C_2空间群,晶胞参数a=19.944(1),b=17.117(1),c=15.966(1)A;β=128.68°;Z=4.最终偏差因子R=0.033.最后讨论了硅桥对配合物分子结构及性质的影响. 相似文献
102.
医用聚氯乙烯膜的等离子体表面改性 总被引:4,自引:0,他引:4
用两种不同气氛的辉光放电等离子体工艺对医用软质聚氯乙烯(PVC)膜进行了表面改性研究。结果表明,聚合性气氛的等离子体改性效果明显优于非聚合性气氛。平整致密的聚合膜对PVC增塑剂——邻苯二甲酸二辛酯的迁移和扩散起了阻挡作用,也使膜表面亲水性和表面张力极性成份增大,液固相界面张力减小,生物相容性得以改善。 相似文献
103.
从光干涉方式,瞳窗关系和光源带宽等基本关系出发,利用空间不变系统理论解析了相移显微干涉检测系统中衍射效应的影响。为了减小横向分辨率对纵向分辨率的影响,利用相关信息提取或数字滤波的方法,获得了纳米分辨率的三维形貌。 相似文献
104.
X射线荧光法测定氧化铁皮中硅锰磷 总被引:1,自引:0,他引:1
氧化铁皮是轧钢生产的一种产物,为了回收利用这些产物,其一般用于烧结矿生产、铁水的预处理和炼钢脱磷。氧化铁皮中的主要成分为铁、硅、磷、锰的氧化物和碳化物,直接用酸无法将其溶解。其分析方法一般均采用碱熔法分解样品,光度法测定硅、锰、磷的含量。该方法分析周期长,工作量大。本法用X射线荧光法测定氧化铁皮中硅、锰、磷,成本低、周期短、准确度高,完全能满足需要。 相似文献
105.
106.
ZHOU Hai-cheng XU Sheng PENG Qing LI Ya-dong 《高等学校化学研究》2006,22(1):11-13
IntroductionNano-sized semiconductors are of great interestdue to their special optical and electronic proper-ties[1,2].As one of the mostimportantⅡ—Ⅵsemicon-ductors,CdS has importantapplications in many fields,such as the solar cell field,non linear o… 相似文献
107.
Xiao Wen Hu Zhi Min Zheng Cai Hong Xu 《中国化学快报》2007,18(11):1351-1352
Three new 1,3-bis(phenylethynyl)disilazanes were synthesized from the reaction of 1,3-dichlorodisilazanes with (phenylethy- nyl)lithium,and characterized by infrared (IR) spectra,nuclear magnetic resonance (NMR) and mass spectrometry (MS). 相似文献
108.
为了解决光学材料多功能耦合与集成的光谱诉求及其材料设计冲突难题,本文提出一种基于[TiAlN/Ag]2/TiAlN序构复合薄膜开展可见光透射诱导与红外辐射抑制的协同设计方法,诠释序构薄膜材料多功能耦合的新原理与新机制,并对其光学兼容性能测试表征。研究表明,构筑的[TiAlN(厚度30 nm)/Ag(厚度15 nm)]2/TiAlN(厚度30 nm)序构复合薄膜具备带通状选择性透射与中远红外低辐射的光学特性,可较好实现透视、遮阳、低辐射控温与红外隐身多功能兼容效果,在军用车辆、绿色建筑等特种玻璃的辐射控温与红外隐身领域有应用潜力。 相似文献
109.
铌酸锂(LN)单晶薄膜具有较高的机电耦合系数(k2 eff>30%),其水平剪切(SH)声学模式常被应用于开发具有大机电耦合系数的薄膜声学谐振器和超宽带滤波器。但LN 的频率温度系数较大(TCF > -50×10-6/℃),这不仅会降低滤波器的可用有效带宽,同时也会限制器件的功率处理能力。采用3D周期有限元模型对基于X 切LN/SiO2/Si结构SH 声表面波(SH-SAW)谐振器进行了优化研究。研究结果表明,当SH-SAW 传播角ψ=-10°~-20°、LN和SiO2 膜厚分别为hLN=0.1λ 和hSiO2 =0.2λ(λ 为叉指换能器周期)、铝电极金属化率η=0.4、电极相对厚度hAl/λ=5%~10%时,SH-SAW 谐振器的 k2 eff 约为30%,且其TCF<-20×10-6/℃,有望用于开发新一代的低温漂、超宽带5G SAW 滤波器。 相似文献
110.