高准确度(±1℃)温度检测器改善了系统性能和可靠性

趋向日益密集的计算能力之发展已经增大了与热量有关的挑战。在很多系统中,冷却系统的能力对整体性能构成了很大的限制。标准冷却组件(笨重的散热器和耗费大量功率、充满噪声的风扇、或安静但昂贵的风扇)会给组件排列紧密的电子产品增加了     

外加电压对激光电化学刻蚀硅的影响研究

激光电化学刻蚀是将激光加工技术和电化学加工技术有机结合起来而形成的一种复合型刻蚀工艺。为了研究外加电压对激光电化学刻蚀硅的影响,本文采用248nm KrF准分子激光作为光源聚焦照射浸在KOH溶液中的阳极半导体n—Si上,实现激光诱导电化学刻蚀。在实验的基础上,详细分析外加电压对刻蚀工艺的影响,并对其产生的原因进行了分析。试验结果表明其影响主要有两个方面：（1）正的外加电压保证了SiO2钝化膜生成,从而实现了选择性刻蚀;（2）外加电压的增大,刻蚀速率会相应减小。因而外加电压也是调节刻蚀速率的一个重要的手段。     

反应物量对纳米晶Fe_3Al组织和性能的影响

利用铝热反应熔化方法分别在反应物量为50、100、200g的条件下制备了块体纳米晶Fe3Al材料,通过TEM和XRD研究了材料的晶粒尺寸,并研究了材料室温压缩性能和硬度。结果表明,所制备的材料主要由非晶和纳米晶组织组成,当反应物量增大,部分区域甚至出现微米晶组织。反应物量为50g时Fe3Al材料中非晶较多,不存在微米晶;反应物量为100g时主要以纳米晶为主,非晶数量减少,伴随有少量的微米晶出现;反应物量为200g时,材料以纳米晶为主,微米晶数量较100g时有所增加。随着反应物量的增加,纳米晶相的平均晶粒尺寸增加,屈服强度和硬度呈先增大后减小的趋势。     

钨丝上原位加热生长的WO3-x纳米棒的结构与缺陷研究

WO3-x(x：0～1)是一种优良的光、电、气致色变半导体材料。本研究通过在电化学腐蚀的钨丝针尖上原位加热生长了一系列的样品，发现了一种新奇的WO3-x结构，电子衍射和高分辨研究证明其是一种非常有序的晶体丝织构行为。图1是生长WO3-x纳米棒特征的SEM图像，钨针尖上布满了垂直表面二     

硅调谐变容二极管的特性

<正> 变容二极管是指它的端电容按一定的方式随反向偏压而变化的一种半导体二极管。调谐变容二极管的电容—电压特性适用于调谐电路(如在电调谐器UHF和VHF频段中作调谐用),其特点是串联谐振频率和截止频率远高于使用频率。现以无锡元件四厂生产用于C型电调谐器的2CC32型调谐变容二极管为例,介绍其有关特性。     

纳米胆甾型液晶材料的合成

经缩聚反应合成了纳米胆甾型液晶材料.通过改变手性组分含量、手性化温度以及调节分子间纳米级螺距,使聚合物表现出不同的光学和波谱性能.制备出了随入射光的入射方向和观察方向不同而色彩变化、表面均匀的样品.实验表明,该材料在印刷、装饰、防伪等领域有广阔的应用前景.     

导电聚苯胺线膜修饰ZnO纳米棒阵列的可控制备及其紫外探测性能

基于p-n结的光生伏特效应可构筑性能优异的UV探测器,本文采用水热法可控制备竖直排列的氧化锌纳米棒阵列(n型ZnO-NRs),利用原位聚合法在ZnO-NRs表面上修饰p型聚苯胺线膜(PANI-NWs),再组装成ZnO-NRs与ZnO-NRs/PANI-NWs紫外探测器.通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、紫...     

纳米氧化镱对熔融石英析晶动力学机制的影响

本文研究引入纳米氧化镱对熔融石英析晶机制及动力学过程的影响.通过X射线衍射仪(XRD)测试结果分析了纳米氧化镱的引入对熔融石英陶瓷析晶率的影响,采用动力学方法分析了纳米氧化镱的引入对熔融石英陶瓷析晶机制的影响,同时探讨了其等温析晶动力学过程.研究表明,熔融石英陶瓷的晶粒向二维兼有一维及三维的方式生长,引入纳米氧化镱的熔...     

基于X射线相干衍射成像方法的微纳米梁变形场测量

微纳米结构在外加荷载下的变形场测量对于描述和预测微纳米结构力学性能、建立相关模型和理论具有重要意义.目前仍然缺少原位实时测量微纳结构变形场的实验方法,这对微纳米结构的力学性能研究形成了一定的制约.本文结合大规模MD(molecular dynamics,分子动力学)模拟和X射线CDI(coherent diffract...     

类金刚石纳米棒阵列的制备与场发射测试

在硅衬底上用磁过滤阴极真空弧(FCVAD)沉积系统沉积类金刚石(DLC)膜,以镍颗粒做掩膜,在电感耦合等离子体(ICP)系统中刻蚀DLC膜进而得到DLC纳米棒.经场发射检测,DLC纳米棒阵列的开启电场低至1.990 V·μm-1,阈值电场为4.312 V·μm-1,测量到的最大电流密度达到20.248 mA·cm-2时...