对史密斯-帕塞尔自由电子激光光栅的研究

为了研究史密斯-帕塞尔自由电子激光的输出频率和光栅槽深、光栅槽长、光栅槽宽的关系,对于基于矩形光栅的史密斯-帕塞尔自由电子激光利用粒子模拟软件进行模拟和理论分析。首先,利用粒子模拟软件模拟对于基于矩形光栅的史密斯-帕塞尔自由电子激光进行了研究,发现史密斯-帕塞尔自由电子激光的输出频率随光栅槽深、光栅槽长、光栅槽宽的增大而减少。接着,对史密斯-帕塞尔自由电子激光的光栅槽进行了理论分析,发现每个光栅槽都可以等效为一个LC谐振电路,并发现在史密斯-帕塞尔自由电子激光中存在两种辐射,一种是史密斯-帕塞尔辐射,另一种是LC振荡辐射。最后,对光栅槽的LC振荡辐射进行了估算,发现史密斯-帕塞尔自由电子激光输出频率的模拟值与光栅槽的LC振荡辐射估算值的数量级均为102 GHz,且变化规律上一致。据此推测决定史密斯-帕塞尔自由电子激光输出频率的应该是光栅槽,而不是谐振腔。     

红外运动小目标的检测

通过分析天空背景下红外运动小目标、噪音以及背景的特征,提出一种检测方法·首先利用向量小波变换对运动图像进行预处理;其次采用图像差分进行目标的粗检测,提取出候选目标;最后可根据运动目标和噪音的特征对候选目标进行识别,检测出真实的运动小目标·实验证明,该方法可有效检测天空背景下红外运动小目标·     

原子在单色辐射作用下长时间内的行为研究

建立了原子在单色辐射作用下的模型,用微扰理论方法求解出原子处于两能级的几率.讨论了原子在单色辐射作用下长时间内的行为,得到了原子因辐射场的影响而变化的速率比能级的衰减速率大的情况下,原子在两能级间振荡,原子和辐射场相互作用越强,辐射场能够与原子发生作用的频率区间越宽,而且原子在单色光长时间辐射作用下高、低能级跃迁的速率不随时间而改变的结论.     

数学形态学在红外多弱小目标提取中的应用

应用了高帽和低帽变换对图像进行对比度增强、采用基于流域变换的粘连目标分割的方法把图像中粘连目标分割开来,进而采用了自适应的阈值把图像二值化.通过这一系列的处理后,从红外图像中提取出了弱小目标信息.这种方法在红外弱小目标的判别中对目标的提取效果较佳,也给后续处理提供了方便.     

无人值守通信机房远程监控系统的设计与实现

针对煤炭运输铁路沿线通信机房无人远程管理的问题,采用工业互联网、PLC控制、传感器技术、视频监控技术、红外成像技术以及工业组态软件等设计了一套无人值守通信机房的远程监控系统。所设计的无人值守监控系统能够将监控中心、预警维护分站和监控分站汇接成一个完整的多层监控系统,实现机房设备状态与环境信息监测、配电柜在线监测和网格化分级预警管理等功能。工业现场试运行表明,该系统能够满足通信机房的监控要求,机房运行维护成本降低了约15%,平均故障维护时间减少了约30%。     

融合图像与红外传感的变电站异物入侵在线监测

为保证变电站体系的安全运行,防止小动物入侵,提出了融合图像与红外传感的变电站异物入侵在线监测方法。利用红外传感设备,将采集到的图像信息融合在一起,通过节点规划的方式,完成异物入侵监测区域的划分。在此基础上,确定入侵数据的样本集合,根据已选取的监测指标,计算权重指标的具体数值,完成融合图像与红外传感的变电站异物入侵在线监测方法的设计与应用。实验结果表明,利用该方法监测的小动物入侵图像更为清晰,符合维护变电站安全运行能力的实际应用需求。     

NSST域电气设备红外图像增强处理算法设计

针对现有电力设备红外故障检测系统采集的图片较模糊、部分设备体积较大无法精准定位故障点等问题,设计了一种基于Jaya算法改进Otsu阈值分割和多尺度的NSST域电气设备红外图像增强算法。通过非下采样剪切波变换将原始红外图像转化成高频域和低频域两部分进行增强,将增强后的各分量逆变换后合成最终完整的增强图像。实验结果表明,该文算法能够提高红外图像对比度,过滤电力设备红外图像噪声,对电力设备热故障的检测与故障定位做出贡献。     

La1-x CaxAl0.8Cr0.2O3/CaZrO3(0≤x≤0.2)复相陶瓷材料发射率的研究

以La2O3、Al2O3、ZrO2、Cr2O3、CaCO3为原料,通过高温固相反应法制备La1-xCaxAl0.8 Cr0.2O3/CaZrO3(0≤x≤0.2)复相陶瓷材料,分别通过XRD、SEM和EDS等仪器对试样的物相组成和显微结构进行分析,利用紫外可见近红外分光光度计测量其红外吸收曲线.结果 表明:当CaZrO3理论生成量和La1-xCaxAl0.8Cr0.2O3的摩尔比小于0.20时复相陶瓷材料在0.76～2.5 μm的发射率较La0.8 Ca0.2Al0.8Cr0.2O3得到进一步提高,当CaZrO3理论生成量和La1-xCaxAl0.8Cr0.2O3的摩尔比为0.04时发射率最佳.     

SiC衬底AlGaN/GaN HEMT的热分析与测试

对SiC衬底AlGaN/GaN HEMT的结温进行了理论计算与实测。计算中考虑了衬底材料热导率随温度的变化以及器件源、漏电阻上的热损耗,不同耗散功率下的理论计算与红外显微镜实测结果比较表明,两者相差最大不超过10℃。由于理论计算结果是在解析解的基础上运用计算机迭代计算获得,所耗时间较短,故这一结果对于改善器件结构以提高AlGaN/GaN HEMT及其MMIC电路的性能将有较大帮助。     

可变温红外探测器中测杜瓦设计

介绍了一种中测变温杜瓦装置(简称变温杜瓦),可实现多个温度条件下(60～300 K)连续测试芯片性能.与传统的中测液氮杜瓦相比,变温杜瓦体积较小,可与制冷机耦合,从而实现多个温度可调.另外,将变温杜瓦的框架部件设计为可拆卸结构,既可以兼容多种规格的芯片,又提高了芯片性能的封装效率.通过试验测试,变温杜瓦组件芯片衬底区域...