具有自动电平控制及干净正弦波输出的18MHz稳定振荡器

这个最新设计实例介绍了一种以少量无源器件来设计简单的高频LC振荡器的方法。但为获得最佳结果，稳定振荡器的实际硬件设计需要更多的器件且更为复杂。图1显示一种具有自动电平输出幅度控制以及能提供具有较低谐波含量正弦波输出缓冲的18MHz稳定振荡器（参考文献2）。此外，本设计实例还用英飞凌科技公司（Infineon Technologies）的廉价BF998型双栅极MOSFET替换了原来的JFET振荡器,该双栅极MOSFET可从DigiKey及其它公司购买。     

磺酸系双子表面活性剂的合成与分离

用两步法与正交试验得出磺酸系双子表面活性剂合成的优化条件.通过重结晶对中间体和最终产品进行分离提纯.分离出中间体α-磺酸月桂酸(简称α-SLA),测得其熔点为49～50℃,在生物显微镜下观察为透明片状晶体,由红外光谱认证结构.合成并分离出目标产品--聚乙二醇(α-磺酸盐)月桂酸单、双酯(简称α-SLPM和α-SLPD),其中后者为磺酸系双子表面活性剂.红外光谱认证,二者熔点测定值均在300℃以上.     

新型ESD抑制器件

安森美半导体目前推出μESD（微型ESD）双串联高性能微型封装静电放电（ESD）保护二极管。μESD双串联系列产品为电压敏感元件提供双线保护而设计，适用于需要小板面积和低高度的应用，如手机、MP3播放器和便携式游戏系统。     

高压0.18 μm先进工艺技术

1、简介项目名称:高压0.18μm先进工艺技术,该项目产品属于30V高工作电压的关键尺寸为0.18μm的逻辑器件。在8英寸硅片上经过32层光刻版制作完成的该产品集成了10余种晶体管,可广泛应用于手机、电脑、PDA、电视等液晶显示器的驱动器件。     

思科公司选择ADI公司的数字信号处理器

美国模拟器件公司（ADI）发布，其数字信号处理专家经验已经用于思科（Cisco）公司开创性的可视化协作解决方案中，支持在现有的企业网际协议（IP）网络上进行高清晰度（HD）、“面对面”交流的通信。     

三核铜（I）配合物的合成与荧光光谱

室温下，通过双核配合物[Cu(dppm)(NO3)]2(dppm=双二苯基膦甲烷)与四苯基硼钠在甲醇和二氯甲烷混合溶剂中反应制备了三核铜(I)配合物[Cu3(dppm)3(NO3)(OH)](NO3)，经过红外光谱、热重分析、核磁和ES-MS等现代分析手段表征了配合物的物理化学性质，并进一步研究了配合物在室温下的荧光光谱特征。     

数字集成电路测试原理解析

器件测试的主要目的是保证器件在恶劣的环境条件下能完全实现设计规格书所规定的功能及性能指标。用来完成这一功能的自动测试设备是由计算机控制的。因此，测试工程师必须对计算机科学编程和操作系统有详细的认识。测试工程师必须清楚了解测试设备与器件之间的接口，懂得怎样模拟器件将来的电操作环境，这样器件被测试的条件类似于将来应用的环境。     

把DAC的输出从单端模式转换到差分模式的电路

高速DAC,比如模拟器件(AnalogDevices)公司的AD9776/78/79TxDAC系列,能提供差分输出,但对于低端交流电应用或高精度电平设置应用,配备差分转换电路的单端电流输出DAC提供了一种新颖的方法来生成差分波形控制功能。图1中的基本电路组合了电流输出DAC(即IC1,如8位AD5424D A C)和一个单端至差分运算放大级IC2、IC3A、IC3B——来产生要求的输出。对于双电源应用,可选择DAC的单极工作模式来达到DAC的最优性能。DAC利用单一运算放大器提供了双象限倍增或单极输出电压摆动。DAC的输出需要缓冲器,这是因为对施加到DAC输入端的代…     

Mid-infrared generation based on a periodically poled LiNbO3 optical parametric oscillator

We report a nanosecond Nd:YVO_4-pumped optical parametric oscillator (OPO) based on periodically poled LiNbO_3 (PPLN). Tuning is achieved in this experiment by varying the temperature and period of the PPLN. The design of double-pass singly resonant oscillator (DSRO) and confocal cavity enables the OPO threshold to be lowered considerably, resulting in a simple, compact, all-solid-state configuration with the mid-infrared idler powers of up to 466mW at 3.41μm.