发光二极管在显示技术中的应用

发光二极管在显示技术中的应用￥华南师大物理系＠吴腾奇发光二极管在显示技术中的应用５１０６３１广州华南师大物理系吴腾奇传统上，发光二极管（ＬＥＤ）一般可装在民用电子显示设备中，最近ＬＥＤ的主要应用领域已经扩大到户外信息显示方面。同时，它已转为大规模的消费方式...     

超辐射发光二极管的结构特性及其应用

近几年来,由于超辐射发光二极管在光纤陀螺和光时域反射仪等方面的重要应用,已引起了人们的极大关注,许多国家都在竞相研制和开发.本文综述了目前超辐射发光二极管的主要结构和特性及其应用前景.     

用BBO晶体产生196～228nm波长的紫外辐射

本文报道了用BBO晶体通过混频产生196～228nm可调谐紫外辐射的研究结果.产生200nm及222nm的量子转换效率分别为12%及23%,与理论计算值基本相符.     

能带理论在LED发光过程中的应用

本文通过能带理论分析了半导体p-n结处能带发生弯曲的原因。继而通俗、简要地说明发光二极管（LED）的微观发光机理，然后提出了制作LED所用材料的选择原则：由材料所具有的适当带隙来保证辐射光的频率或光色。     

反向驱动的异质结有机薄膜电致发光

成功制备了结构为ITO／PDDOPV／PPQ／Al的异质结聚合物发光二极管。该器件在正反向偏压下均可发光。在正向偏压下的光发射主要来自PDDOPV，但在反向偏压下的光发射则包括来自PPQ的蓝光发射和PDDOPV的黄光发射。蓝光强度与黄光强度的比值随着反向偏压的增加而增加，当反向直流电压分别为22V、24V、26V、28V时，其电致发光光谱中PPQ与PDDOPV的峰高比IPPQ／IPDDOPV分别为1．092、1．329、1．605、2．046。换句话说，该器件的发光颜色是压控可调的，这对实现彩色显示是极为有利的。分析了在反向偏压下的发光机理以及IPPQ／IPDDOPV受电压控制的原因。     

晶能光电走出LED发展特色路

“拥有完整的自主知识产权，打破了日美等发达国家对半导体照明技术的垄断，其产业前景和战略意义不可限量。”这是国内外专家对晶能光电“硅衬底发光二极管”项目的高度评价。2007年2月1日．该项目在南昌高新区开工，走上了产业化发展之路。     

武大“紫外多波长激光雷达系统”通过验收

每到晴天，武汉大学珞珈山上空总会出现神秘的激光，直达100km的大气层。神秘的激光是武汉大学空间物理学专家、长江学者易帆及其团队研制的激光雷达系统所发出的。由于激光雷达系统“辛勤工”，易帆及其团队率先完整地获得了我国高空100km内区域的第1手大气温度资料。2007年9月28日，武大“紫外多波长激光雷”通过教育部专家的验收。     

Ce3+-冠醚配合物的紫外有机电致发光

采用5d-4f跃迁的稀土Ce³⁺-冠醚配合物(Ce-二环己基并-18-冠-6,Ce-DC18C6)作为发光掺杂剂,4,4'-二(9-咔唑基)联苯(CBP)为基质,设计制备了紫外发光器件:ITO/CuPc/Ce-DC18C6:CBP/Bu-PBD/LiF/Al,首次观测到峰位于376nm的Ce³⁺离子的紫外电致发光。通过对比器件的EL谱与Ce³⁺-冠醚配合物薄膜的PL谱发现,EL光谱中有部分来自Ce³⁺配合物中的Ce³⁺离子的。这种5d-4f电子跃迁的掺杂质量分数为3%时,该UV-发光器件的最大辐射功率为13μW/cm²。