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852.
853.
为了提高SiC单晶片的加工效率,降低表面粗糙度,通过实验对比研究了普通研磨与超声波辅助研磨两种研磨工艺.实验表明,超声波辅助研磨SiC单晶片材料去除率是普通研磨的两倍,表面粗糙度值也有显著降低.本文同时分析了材料去除率提高与表而粗糙度值降低的原因. 相似文献
854.
GNSS卫星精密定轨定位的观测量验后残差分析是数据质量控制的重要组成部分。目前的方法都是根据经验设定异常值判断的阈值,没有利用验后残差序列的时间序列特性。引入基于识别变量的AR模型异常值探测的Bayes方法对验后残差序列中的异常值进行探测;将异常值探测问题转化为识别变量后验概率值的计算问题,并给出明确的判别阈值,通过后验概率值与事先给定的阈值进行比较判别出异常值的位置;运用Gibbs抽样设计了识别变量后验概率值的计算方法和异常值的估算方法。实测数据对该算法的验证表明该算法能够准确地探测出异常值的位置,将异常值剔除之后的观测值序列应用到精密单点定位中,结果表明该算法的使用提高了精密单点定位的定位精度。 相似文献
855.
研磨抛光表面微孔织构的影响因素分析 总被引:1,自引:1,他引:0
表面织构是一种改善摩擦学性能的有效手段.通过研磨抛光方法开发了一种新型表面织构技术,此表面织构的特点是表面微孔成型和抛光过程同步进行.同时利用此织构技术着重研究了研磨时间(0~120 min)、研磨速度(1.45~10.47 m/s)、研磨液质量分数(1%~15%)对织构参数(微孔面积密度、孔径分布及表面粗糙度)的影响规律.结果表明:表面微孔面积密度随着研磨时间增长而逐渐下降并最终趋于稳定;当研磨速度从1.45~10.47 m/s变化时,微孔面积密度从2.59%增至16.92%,微孔孔径及表面粗糙度随着研磨速度的增加而增加,当研磨速度低于2.09 m/s时容易获得10μm以下的微孔;当研磨液质量分数从1%~15%变化时,微孔面积密度从3.76%~11.70%变化,近似呈线性增加关系,质量分数高于9%时易于获得10μm以上孔径的分布表面. 相似文献
856.
857.
硅片超精密磨床的发展现状 总被引:4,自引:0,他引:4
硅片超精密磨床是半导体集成电路(IC)制造中的关键装备,主要应用于IC制程中的硅片制备加工和IC后道制程中图形硅片的背面减薄。国外硅片超精密磨床制造技术发展很快,具有高精度化、集成化、自动化等特点。介绍了超精密磨床在大尺寸(≥φ300mm)硅片超精密加工中的应用状况,详细评述了国外先进硅片超精密磨床的特点,并指出了大尺寸硅片超精密加工技术的发展趋势。 相似文献
858.
《电子工业专用设备》2004,33(8):79-80
随着电子信息产业的快速发展,中国已成为全球第三大电子消费市场,加上中国政府对电子信息业的大力扶持,许多跨国公司也逐渐地将制造工厂向中国转移。环球仪器是一家从事电子设备研发、生产、销售的生产厂商,其产品和技术有着很强的竞争优势,目前在亚太市场上产品占有率在20%左右,且远销世界其他顶尖品牌厂商。本刊记者近日特别采访了环球仪器中国区总经理王家发先生。 相似文献
859.
860.
XIAYong 《电子工业专用设备》2004,33(5):15-24
在微电子生产进入深亚微米和纳米技术之后,空白硅晶圆材料正在承担起前所未有的角色来协助解决生产工艺和产品成本等关键问题。根据国际半导体技术路线图穴ITRS雪对空白晶圆关键物理參数的要求,探讨有关检测设备在提供晶圆表面局部平整度,nanotopography和表面COP缺陷等质量參数认证时所应具备的技术和能力。 相似文献