超光滑加工精磨过程中损伤层与余量匹配的研究

对超光滑加工散粒研磨工序中采用的三级精磨法,进行了实验研究,通过改进差分化学刻蚀实验测出各级损伤层的厚度,利用损伤层厚度对加工余量匹配进行了优化。研究表明损伤层厚度与砂粒的粒径和压载之积成线性关系,与研磨时长无关;实验测得W28、W10、W5号磨料在实验条件下研磨加工产生的损伤层厚度分别为12.4μm、8.2μm、5.8μm;并根据损伤层厚度提出了加工余量的匹配建议方案。损伤层的相关研究为超光滑加工中提高生产效率以及减少麻点产生几率的研究提供了参考。     

Blue electroluminescence of a novel Zn~(2+)–β-diketone complex with a carbazole moiety

In this letter, a novel zinc complex of Zn(ECTFBD)2 was synthesized by an environment-friendly grinding technique in high yield. Its structure was confirmed by1H NMR, MS and EA. HECTFBD is 1-(9-ethyl-9Hcarbazol-3-yl)-4,4,4-trifluorobutane-1,3-dione. Zn(ECTFBD)2-based light-emitting devices were fabricated. The architecture of the devices was ITO/PEDOT(40 nm)/100 wt% PVK: 40 wt% OXD-7: x wt% Zn(ECTFBD)2(85 nm)/CsF(1.5 nm)/Al(100 nm), where x = 1, 5, and 10(relative to the mass of PVK and OXD-7). The three devices displayed blue emissions with peaks at 450, 458, and 460 nm, respectively. A maximum luminous efficiency of 0.86 cd/A and a luminance of 228 cd/m2were achieved by the 1 wt% doped device. So, we demonstrated further that Zn2+–b-diketone complexes can be effectively severed as a class of new electroluminescent materials. In addition, the thermal stability of Zn(ECTFBD)2 was tested and the UV–vis and photoluminescent behaviors of Zn(ECTFBD)2 in CH2 Cl2 were investigated.     

线缆生产设备专用铝合金导轮研制及应用

针对3种不同工艺制备的Φ290×28卧式收线机导轮的材料成分、力学性能和组织性能的测试、生产周期、生产成本及导轮的应用情况等分析,发现定制的6061铝合金材料主要化学成分为1.12%Mg、0.71%Si、0.11%Cu、1.25%Zn及96.34%Al,1.25%Zn使铝合金冲压成形性能有较大改善。精密锻造工艺制备的导轮硬度为124HV,抗拉强度为325MPa,延伸率为14.25%,应变达到14.8%时材料才发生断裂,组织结构均匀致密,无疏松多孔缺陷。与利用铝棒进行机械切削加工和铸造成型切削制备导轮的两种工艺相比,导轮的硬度、抗拉强度、韧性、组织性能大幅度提升,导轮机械综合力学性能好,外观美观光洁度好,动平衡性好,整体质量好,而且生产成本下降50%以上,使用寿命长。可见,利用模具精密锻造铝轮胚体快速成型,经T6热处理和表面强化制备导轮工艺为最佳导轮生产工艺。     

水性颜料体系无树脂色浆的制备与应用

中性墨水属于热力学上不稳定的颜料悬浮体系,选择低黏度、高稳定性的色浆是保证墨水体系分散稳定性的重要手段之一.基于此,以颜料炭黑和酞菁蓝为着色剂,配合超分散剂(EK43)与协同增效剂(BM10),制备了两款适用于中性墨水体系的无树脂色浆.首次从色浆粒径与体系分散稳定性角度出发,确定了EK43、BM10用量以及最佳研磨时间...     

磨料形貌及分散介质对4H碳化硅晶片研磨质量的影响研究

研磨作为4H碳化硅(4H-SiC)晶片加工的重要工序之一,对4H-SiC衬底晶圆的质量具有重要影响。本文研究了金刚石磨料形貌和分散介质对4H-SiC晶片研磨过程中材料去除速率和面型参数的影响,基于研磨过程中金刚石磨料与4H-SiC晶片表面的接触情况,推导出简易的晶片材料去除速率模型。研究结果表明,磨料形貌显著影响4H-SiC晶片的材料去除速率,材料去除速率越高,晶片的总厚度变化(TTV)越小。由于4H-SiC中C面和Si面的各向异性,4H-SiC晶片研磨过程中C面的材料去除速率高于Si面。在分散介质的影响方面：水基体系研磨液的Zeta电位绝对值较高,磨料分散均匀,水的高导热系数有利于控制研磨过程中的盘面温度;乙二醇体系研磨液的Zeta电位绝对值小,磨料易发生团聚,增大研磨过程的磨料切入深度,晶片的材料去除速率提高,晶片最大划痕深度随之增大。     

《光学精密工程》(月刊)

中国光学开拓者之一王大珩院士亲自创办的新中国历史最悠久的光学期刊。现任主编为国家级有突出贡献的青年科学家曹健林博士,Benjamin J Eggleton,John Love等国际著名光学专家为本刊国际编委。《光学 精密工程》主要栏目有现代应用光学(空间光学、纤维光学、信息光学、薄膜光学、光电技术及器件、光学工艺及设备、光电跟踪与测量、激光技术及设备);微纳技术与精密机械(纳米光学、精密机械);信息科学(图像处理、计算机应用与软件工程)等。     

无溶剂研磨合成双核席夫碱配合物及多组分自分类行为

利用手动研磨法在无溶剂条件下通过1,4-二(咪唑-2-甲醛)丁烷(A)、2,4-二亚甲基-二(咪唑-2-甲醛)-三甲基苯(B)、2,5-二亚甲基-二(咪唑-2-甲醛)-对-二甲苯(C)中的任一组分与N-乙基乙二胺(D)和三氟甲磺酸亚铁组装合成3个Fe(Ⅱ)席夫碱配合物1、2和3。X射线单晶衍射表明,配合物1结晶于空间群Cmca,2和3结晶于空间群P21/c。1~3中每个Fe(Ⅱ)与配体中6个氮原子配位形成变形八面体FeN_6配位环境;每个双臂六齿配体螯合2个亚铁离子,而每个亚铁离子被2条配体包裹形成Fe_2L_2型双核配合物。基于以上配合物的合成,我们详细研究了混合多组分间的固态自分类行为。研究表明,多组分[D+A+B+Fe~(2+)]或[D+A+C+Fe~(2+)]发生自恋型自分类;而多组分[D+B+C+Fe~(2+)]发生群体型自分类,形成了一个由2个不同类型配体构筑的Fe2LL′杂配型配合物4,同时X射线单晶衍射确证了4的结构。此外,通过与溶液中自分类的对比,我们发现该体系固态自分类表现出更为高效的特点。     

微波密闭消解难处理K[Au(CN)2]化合物及其Au的精密电位滴定法测定

首次提出了微波密闭消解难处理K[Au(CN)2]化合物的新方法,优化了试液预处理和电位滴定法测定Au的条件,并与英国标准分析方法进行了对照研究.结果表明两种方法的Au分析结果准确度(相对平均误差≤±0.03%)基本一致,但前者结果精密度好(相对标准偏差≤0.02%),消解快速(30 min)、无污染、无损失、经济、简便,符合绿色分析化学的要求,适宜推广应用.     

SiC单晶片的取向研磨

优质晶体生长常常需要籽晶或衬底偏离常规结晶取向.为便于按任意偏向角度研磨晶片,本实验室设计并应用了晶片取向研磨夹具及相应的研磨工艺.本文介绍了该夹具和工艺的工作原理、技术要点以及对技术指标的鉴定情况.测试结果表明,研磨取向误差范围可控制在5;之内,研磨片厚度偏差小于5 μm、粗糙度Ra=0.12 μm.     

CeO2基磨粒在化学机械抛光中的研究进展

CeO₂由于其适当的机械性能及高的化学活性,更重要的是其对Si₃N₄/SiO₂的高选择性去除,使其被广泛应用于浅槽隔离化学机械抛光工艺中。本文论述了CeO₂基抛光液的抛光机制的研究进展,从CeO₂磨料的形貌尺寸、晶体结构、力学性能方面分析了磨料性质对抛光性能的影响,并进一步讨论了CeO₂基研磨颗粒及相关辅助抛光技术在CMP应用上的研究进展。以此为CeO₂基磨料的可控制备及新型抛光技术的发展提供借鉴,并希望能够促进CeO₂基研磨颗粒在抛光工艺中作用机制的揭示,使CeO₂抛光液更广泛地应用于材料的平坦化处理中。