有害气体防制与晶圆表面处理技术

传统的半导体生产制程均使用湿式清洗技术清除晶圆表面的污染微粒,此一制程需用到大量的的有害化合物,造成作业人员危害及环境污染的问题。此外,因湿式清洗与润湿制程的超纯水用量约占半导体厂超纯水用量的60%,假如干式技术能取代部份湿式清洗步骤,将可减少可观的水资源及危害性化学用品使用量,并因而降低晶圆制程的风险。本研究系针对晶圆干式清洗法之脉动喷气式(Pulse-jet)清除晶圆表面微粒之机制进行探讨,以提供另一解决微粒污染晶圆问题的方法。由研究的结果显示,对晶圆表面0.6μm的标准PSL微粒(PolystyreneLatex)局部最高去除效率大…     

IC制造中清洗技术发展的分析

传统清洗技术主要使用酸、碱、双氧水、甲苯、三氯乙烯、氟利昂等化学试剂,成本高,而且有毒,有腐蚀性,危害安全与健康并污染环境,特别是氟利昂等ODS物质研究破坏地球臭氧层,危及人类生态环境,是国际上限期禁止生产和使用的物质。多年来,国内外科学家就致力于研究无毒、无腐蚀性的清洗工艺,但尚未取得突破。随着芯片尺寸加大,工艺线宽减小,从90nm工艺开始,以往在清洗过程中使用的超声波清洗遇到一些问题,如造成半导体器件结构损伤,在65nm及以下工艺,其损伤程度可能会加剧。芯片中的深沟槽结构清洗时清洗液和漂洗去离子水很难进入结构内部,…     

新型兆声清洗去除集成电路衬底硅片表面污染物的分析研究

集成电路衬底硅片表面存在污染物会严重影响器件可靠性,非离子表面活性剂能有效控制颗粒在硅单晶片表面的吸附状态,使之保持易清洗的物理吸附．在清洗液中加入特选的非离子表面活性剂,大大提高了兆声清洗去除颗粒的效率和效果。实验表明当活性剂在清洗液的配比为1％,颗粒去除率可达95%以上。     

硅衬底清洗液中FA/O螯合剂的应用研究

FA/O螯合剂是一种具有1 3个螯合环的新型螯合剂,不含钠离子,并且易溶于水,稳定性好。通过对FA/O螯合剂在RCA标准清洗SC1、SC2溶液中的应用,对XPS的测试结果分析表明,FA/O螯合剂对Fe和Cu的络合能力比NH4OH的络合能力强,RCA标准清洗液中加入少量FA/O螯合剂就可使硅片表面微量铜、铁等金属污染物的去除效果显著增加。对清洗工艺的研究表明,在有螯合剂存在下,清洗温度控制在7 0℃,清洗时间为5 min.2次,效果更好。     

国有集团应急指挥系统的研究与实现

本文从应急指挥系统的实际需求和业务场景出发,针对系统的总体架构、安全需求、功能板块和实用性能等多方面进行设计,将系统功能划分为用户大屏及应急指挥监控前端和业务操作管理后端,并针对指挥监控系统在集成多源数据时遇到的实际问题,提出了数据采集、清洗和存储的思路,最后从系统功能数据流转、对外数据发布、与硬件交互等方面进行了系统验证和测试。     

《光学精密工程》(月刊)

中国光学开拓者之一王大珩院士亲自创办的新中国历史最悠久的光学期刊。现任主编为国家级有突出贡献的青年科学家曹健林博士,Benjamin J Eggleton,John Love等国际著名光学专家为本刊国际编委。《光学 精密工程》主要栏目有现代应用光学(空间光学、纤维光学、信息光学、薄膜光学、光电技术及器件、光学工艺及设备、光电跟踪与测量、激光技术及设备);微纳技术与精密机械(纳米光学、精密机械);信息科学(图像处理、计算机应用与软件工程)等。     

UltiMate 3000 DGLC双三元液相色谱的串联色谱技术特点

当样品使用梯度洗脱时,每次分析结束之后,常需较长时间重新平衡或清洗色谱柱。在此过程中,进样器、柱温箱和检测器则处于闲置状态,这无疑是一种资源浪费。若能将此清洗和平衡过程与分析下一个样品同时进行,则可充分利用资源并可提高分析效率。赛默飞Ulti Mate 3000 DGLC双三     

微波密闭消解难处理K[Au(CN)2]化合物及其Au的精密电位滴定法测定

首次提出了微波密闭消解难处理K[Au(CN)2]化合物的新方法,优化了试液预处理和电位滴定法测定Au的条件,并与英国标准分析方法进行了对照研究.结果表明两种方法的Au分析结果准确度(相对平均误差≤±0.03%)基本一致,但前者结果精密度好(相对标准偏差≤0.02%),消解快速(30 min)、无污染、无损失、经济、简便,符合绿色分析化学的要求,适宜推广应用.     

大型精密离心机光栅测角系统的设计与实现

对JML－1大型精密离心机主轴光栅测角系统的关键技术进行了研究,给出了如何解决光栅测角系统的精度问题。抗干扰问题和动态测角问题的设计方法及测试结果。     

浅析精确制导武器

精确制导武器在现代战争中的地位和作用越来越重要,对战争的结局起到决定性的作用。本文介绍了精确制导武器的特点和发展趋势,并对精确制导武器技术进行了分析。