HFC城域网网络管理

九州公司藉二十多年的设备和系统网络开发经验，从HFC网络结构入手，综合运用以太网技术、IP技术+标准的网管协议以及各种软硬件技术，推出了满足HFC网络商业运行的全面的网络管理解决方案．整个解决方案具有以下特点：(1)九州网管是首次实现从物理层、MAC层、网络层+传输层+应用层完全标准化的HFC网络管理系统，     

类氖锗X光激光双程放大实验研究

本文在神光装置上,进行了类氖锗X光激光双程放大实验研究.实验中使用了硅/钼多层膜X光平面反射镜.用平场光栅谱仪测量了X光激光的时间积分和时间分辨信号.实验证实了X光激光的双程放大.时间积分结果表明,双程放大为单程放大信号的5倍多;时间分辨结果表明,对多层镜的作用时间作修正后,双程放大信号的增强倍数还要大.在本实验条件下,多层镜的寿命约为400—700ps.     

二层多目标规划的最优性条件

本文在集值优化的框架下提出了一个二层多目标规划模型（BLMOP）.利用集值映射的相依导数和相依上导数,给出了几个有关（BLMOP）的弱有效解的必要或充分最优性条件.     

基于遗传算法的二层线性规划问题的求解算法

本研究了下层以最优解返回上层的二层线性规划问题的遗传算法。在提出可行度概念的基础上，构造了二层线性规划上层规划问题的适应度函数，由此设计了求解二层线性规划问题遗传算法。为了提高遗传算法处理约束的能力，在产生初始种群时将随机产生的初始种群变为满足约束的初始种群，从而避免了使用罚函数处理约束带来的困难，最后用实例验证了本提出的二层线性规划的遗传算法的有效性。     

外延工艺在集成电路制造产业中的应用

外延（Epitaxy，简称Epi）工艺是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶材料，外延层可以是同质外延层（Si／Si），也可以是异质外延层（SiGe／Si或SiC／Si等）；同样实现外延生长也有很多方法，包括分子束外延（MBE），超高真空化学气相沉积（UHV／CVD），常压及减压外延（ATM＆RP Epi）等等。     

一类二层凸规划的对偶二层规划

本文讨论上层目标函数以下层子系统目标函数的最优值作为反馈的一类二层凸规划的对偶规划问题 ,在构成函数满足凸连续可微等条件的假设下 ,建立了二层凸规划的 Lagrange对偶二层规划 ,并证明了基本对偶定理 .     

TEL面向45nm工艺推出新款介电层刻蚀设备

日本东京电子公司TEL（Toky Electron Ltd．）将在2007年4月开始接受300mm介电层刻蚀设备Tactms Vigus的订单。这套系统应用于45nm半间距节点及32nm逻辑技术。     

三层干扰下的最优无线电信道问题的研究

研究了 2 0 0 0年 MCM— B题 ,将问题推广到有三层干扰的复杂情况 ,给出并严格证明了 ( k,1,1)问题的最优解