Sansalvamide A固相合成新方法

报道了Pd催化丁基二乙基硅烷树脂与N-Boc-4-溴代苯丙氨酸甲酯直接反应形成Si—Ar键一步构建出硅基连接分子的新方法, 并采用Boc策略增长肽链, 以PyBOP (benzotriazole-1-yl-oxy-tris-pyrrolidino-phosphonium hexafluoro- phosphate)为环合剂固相合成了sansalvamide A.     

Total Dose Radiation Tolerance of Phase Change Memory Cell with GeSbTe Alloy

Phase change memory （PCM） cell array is fabricated by a standard complementary metal-oxide-semiconductor process and the subsequent special fabrication technique. A chalcogenide Ge2Sb2Te5 film in thickness 50hm deposited by rf magnetron sputtering is used as storage medium for the PCM cell. Large snap-back effect is observed in current-voltage characteristics, indicating the phase transition from an amorphous state （higher resistance state） to the crystalline state （lower resistance state）. The resistance of amorphous state is two orders of magnitude larger than that of the crystalline state from the resistance measurement, and the threshold current needed for phase transition of our fabricated PCM cell array is very low （only several μA）. An x-ray total dose radiation test is carried out on the PCM cell array and the results show that this kind of PCM cell has excellent total dose radiation tolerance with total dose up to 2 ×10^6 rad（Si）, which makes it attractive for space-based applications.     

介质的非均匀性对高次谐波影响的研究

讨论了气体介质的非均匀性对飞秒激光高次谐波产生过程的可能影响.计算结果表明,采用喷阀技术所提供的气体介质的密度梯度和气体原子运动速度的影响很小,不会产生实验上可观测的效果.这一结果支持了喷气靶在高次谐波产生中的广泛应用 关键词： 高次谐波 气体介质 各向异性 飞秒激光     

用于微波/射频集成电路的一种新型低损耗介质——多孔硅及氧化多孔硅厚膜

提出在单片微波集成电路(MMIC)中用多孔硅/氧化多孔硅厚膜作微波无源器件的低损耗介质膜.研究了厚度为70μm的多孔硅/氧化多孔硅厚膜在低阻硅衬底上的形成,这层厚膜增加了衬底的电阻率,减少了微波的有效介质损耗.通过测量在低阻硅衬底上形成的氧化多孔硅厚膜上的共平面波导的微波特性,证明了在低阻硅衬底上用厚膜氧化多孔硅可以提高共平面传输线(CPW)的微波特性.     

一种“类耗散系统”中的“类Ⅴ型阵发”

一类不连续不可逆保面积映象可以展示类似耗散的行为,因此可称其为“类耗散系统”.在一种类耗散系统中观察到了椭圆周期轨道及其周围的椭圆岛与映象不连续边界碰撞而消失的现象.周期轨道消失后,经过一系列过渡椭圆周期轨道之后,系统的行为由一个混沌类吸引子主导.在混沌类吸引子刚刚出现时,混沌时间序列呈现层流相与湍流相的无规交替.这一切都与不连续耗散系统中发生的Ⅴ型阵发的相应性质十分相似,因此可称为“类Ⅴ型阵发”.然而,当混沌类吸引子刚刚出现时,仅可以找到最后一个过渡椭圆岛的“遗迹”,并不存在它的“鬼魂”,因此类Ⅴ型阵发不遵从Ⅴ型阵发的特征标度规律.反之,混沌类吸引子的鬼魂却存在于最后一个过渡椭圆周期轨道的类瞬态过程中,因此在类Ⅴ型阵发导致混沌运动的临界点之前,由此“类瞬态混沌奇异集”中逃逸的规律就成为标志这一种临界现象的标度律.这与Ⅴ型阵发又根本不同. 关键词： 类耗散性 类混沌吸引子 类Ⅴ型阵发     

Transverse Effects in Slow Light Propagation

The effect of finite control beam on the transverse spatial profile of the slow light propagation in an electromagnetically induced transparency medium is studied. From the second-order wave equation and linear response of an EIT medium to the signal field, we find it is possible to produce an effective waveguide for the signal field. The existence and properties of a set of localized, stationary transverse modes are demonstrated. Especially, by carefully manipulating the profile of the control beam, we can realize single-mode propagation for the signal field, which may be important for potential applications.     

VC实现串行通讯的三种途径

介绍了串行通讯的基本原理，以及在Win98，Win2000环境下实现串行通讯的三种方法，并给出了用Visual C 6.0编写的相应的应用程序。     

微波复合介质基板性能研究

采用微扰法、螺旋圆柱谐振法和带状线谐振法分别对聚四氟树脂复合精细电子陶瓷微波复合介质的复介电常数进行了测量与误差分析。基于扫描电子显微镜 (SEM )观察 ,从微观上解释了辊压工艺对介质介电性能一致性改善的原因。研究了不同的表面处理方法对基板金属化剥离强度的影响规律。     

介质极化的瞬时相位与振幅

求解电子运动的二阶微分方程，在旋转波近似下，介质在外场突然变化时产生的瞬态感应极化与外场同频，但相位总是落后，最大落后为π/2；振幅大小与初态有关，随时间按指数规律衰减，衰减快慢由介质的阻尼系数决定。