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102.
用于强磁场的快响应真空规的研制进展 总被引:2,自引:2,他引:0
研制了能在强磁场、强干扰环境下工作的快响应真空电离规(快规),用于对HL 2A装置偏滤器室和等离子体附近的中性粒子密度和通量进行原位测量。介绍了快规的结构、工作原理、设计要点以及实验结果。在无磁场的情况下,快规对气体压强的测量范围为6.4×10-6~0.15Pa,在1×10-5~0.15Pa范围内,快规收集极离子流与发射电子流之比与气压保持良好线性关系;在0 15T的磁场下,快规的规管常数未发生显著变化,在规管对称轴与磁力线的夹角小于15o时,规管常数的变化小于10%。 相似文献
103.
现在国际上大装置纷纷发现破裂放电而导致电流突然中止造成装置遭受重大的危害,因为能量熄灭阶段存在强烈的热通量,而且在电流熄灭阶段中产生强烈的逃逸电子,使得第一壁材料可运行的时间大大缩减;同时在真空器壁上产生很强的电磁力。所以,必须在大装置上建立一种避免和软化能量衰竭与电流衰竭,并且控制预计的放电破裂或突然终止放电的措施。 相似文献
104.
Radiative lifetimes of two short-lived levels (i.e. 4f^8 (TF6)6p^1/2 (6, 1/2)11/2,13/2) in Tb Ⅲ are measured by time-resolved laser-induced fluorescence (LIE) technique with a two-step excitation process. Free Tb Ⅲ ions are produced in a laser-induced plasma. Lifetime values are evaluated with a deconvolution procedure of the timeresolved fluorescence signal with the temporal shape of second-step excitation pulse (about 1 ns). The lifetimes of the 4f^8 (^7F6)6p^1/2 (6, 1/2)11/2 and 4f^8(^7F6)6p^1/2 (6, 1/2)13/2 levels are determined to be 1.9 (2) and 2.0 (2)ns, respectively. 相似文献
105.
106.
基于可压缩的全Naiver-Stokes方程,利用PHOENICS程序对由会聚 辐射阳极形状等离子体炬产生的超声速等离子体射流进行了数值模拟.考虑了等离子体的黏性、可压缩性以及变物性对等离子体射流特性影响.研究了超声速等离子体射流的流场结构特性以及不同环境压力对等离子体射流产生激波结构的影响.结果表明,超声速等离子体射流在喷口附近形成的周期性激波结构是其和环境气体相互作用的结果.
关键词:
等离子体炬
超声速等离子体射流
PHOENICS 相似文献
107.
108.
溶胶-凝胶法制备小颗粒(Y,Gd)BO_3∶Eu及其表征 总被引:1,自引:0,他引:1
用溶胶 凝胶方法制备了平均粒径为 1~ 2 μm的小颗粒、高发射效率的 (Y ,Gd)BO3 ∶Eu红色发射荧光体。用XRD、SEM、粒度分析和PL光谱对荧光体作了表征和研究。常规固相反应合成 (Y ,Gd)BO3 ∶Eu需在 1 2 0 0℃以上才能形成均一的固溶体。而溶胶 凝胶法制取稀土正硼酸盐 80 0℃灼烧已可形成均一的单相 (Y ,Gd)BO3 ∶Eu,在 1 1 0 0℃可得到发光亮度最高的荧光体。它的亮度是常规固相反应于 1 2 0 0℃制得的荧光体的 1 2 0 %。采用溶胶 凝胶法制取 (Y ,Gd)BO3 ∶Eu荧光体 ,可在相当宽的实验条件范围内得到小粒径、窄分布和高亮度的荧光体 ,且有良好的颗粒形貌。 相似文献
109.
物理竞赛辅导对物理特长生的发展很有必要。物理竞赛对知识和思维能力的要求特别高,各种物理思维的形成都需要经过一段从感知到内化的过程,而这个过程是要通过一系列的相关“板块”问题的练习来逐步提炼。本文就分布力与微元法的“板块”问题作一序列分析。物体的个别点受到作用力时,称这种力为点分布力。绳通过与物体联结处对物体施力,当联结处可近似为一个点时,所施力属于点分布力。当物体的某线段上所有点均受到作用力时,称这种力为线分布力,如冰刀若足够薄,刀与冰面接触处可近似为一条线段,其间摩擦力属于线分布力。 相似文献
110.
研究了不同衬底-阴极距离、直流电压和H2流量对a-CH薄膜沉积速率的影响。结果表明:衬底-阴极距离必须大于0.5cm,随着该距离的增加,薄膜的沉积速率减少;直流电压达550V时沉积速率最大;随着H2含量的增加,CH4含量相对减少,沉积速率随之降低。用AFM观察了以该方法制得的448.4nm CH薄膜的表面形貌,表面粗糙度约为10nm。最后测出了不同条件下CH薄膜的UV-VIS谱,由此可以计算得到薄膜的禁带宽度及折射率。 相似文献