替代法测量微安表内阻的不确定度分析

在测量微安表内阻的众多方法中,替代法是最简单的方法。本文全面分析了影响测量结果不确定度的因素,求出了实验测量的最佳条件,计算了普通仪器组合下测量结果的相对不确定度。     

用改进的图形结构测量金属/薄层半导体的接触电阻率

提出一种诊断金属／薄层半导体欧姆接触质量的改进测试图形──单点圆环结构模型．本结构不仅样品制备简单，只需做上一个小圆点和一个同心的圆环接触，无需台面绝缘，而且还有多样的灵活性．整个测试都是定域在一个小圆环内，无需考虑边界效应以及邻近其他图形的影响．发展和讨论了此模型的两种演变结构形式，使之更为简捷实用．所得结果与文献的报道一致．     

光学系统的等效变换

本文在普遍情况下使用矩阵方法详细讨论了光学系统的等效变换,证明光线变换矩阵为的光学系统当C≠0时可等效为一个薄透镜,当C=0时等效为一个薄透镜组。文中所得结果能用于分析光线或光束通过复杂光学系统的变换和多元件光腔的问题。     

碳膜电位器电阻体制造新工艺

目前我国电位器电阻体的制作主要有两种工艺方法:一种是丝网印刷法,另一种是流布法。流布法属比较落后的工艺方法,在我国已逐步淘汰,故现在较为流行的是丝网印刷法。本文介绍一种先进的工艺方法——PC滚涂法。本厂从日本松下公司引进这一先进的制作工’艺技术,用于电阻体高阻部的制作。它的优点是生产效率高,电阻分布均匀,膜层表面光滑、平整,目标电阻值易于控制,生产合格率高。     

羰基铁类随机混合吸波材料等效电磁参数的计算

本文为计及多重散射偶极子间的相互作用，引入参量εｈ和μｈ，导得一组公式。它不仅能计算铁氧体类也能计算羰基铁类的随机混合吸波材料的等效电磁参数，均与实验结果吻合良好。     

npn AlGaN/GaN HBT模型与特性分析

基于实验数据对GaN材料的少子寿命和碰撞电离率进行了建模,应用漂移-扩散传输模型开展了npnAlGaN/GaN异质结双极晶体管的特性研究,给出了器件导通电压、偏移电压和饱和电压的解析式.结果表明:实际器件导通电压、偏移电压及饱和电压较大的原因主要是高基区电阻和基区接触的非欧姆特性,为器件的工艺制造提供了理论指导.