用边界元法提取VLSI版图电阻

介绍了ＶＬＳＩ版图验证中电阻提取的基本原理和主要方法，给出了一种新颖的基于边界元法的电阻提取算法。该算法采用变节点单元，较好地解决了实际问题中经常出现的角点问题。通过应用该算法对几个实例进行提取，证明使用本文的算法不仅在精度上而且在占用ＣＰＵ时间上都取得了令人满意的效果     

9．5－32mm波段大气衰减随仰角变化的实验研究

在实测和分析３２、１４．６、１２．５和９．５ｍｍ波段大气衰减的基础上，研究了大气衰减随仰角变化的规律；讨论了仰角为３～９０°时计算大气衰减的简化计算公式；给出了大气等效高度与地面水汽密度的关系式，对大气衰减和等效高度的实测值与理论值进行了比较和分析．     

采用扩散掺铝方法提高Cr－SiO薄膜电阻热稳定性

采用扩散掺铝方法可以显著降低Ｃｒ－ＳｉＯ薄膜电阻的温度系数，１～５ｋΩ／□，ＴＣＲ≤±５００×１０（－６）℃（－１）；１０ｋΩ／□，ＴＣＲ≤±１００×１０（－６）℃（－１）。该方法尤其适用于设备较为简单的蒸发镀膜工艺。     

低边MOSFET驱动器MIC5020及其应用

MIC5020的特点 MIC5020低边MOSFET驱动器是专为频率大于100KHz(2％-100％占空比的5KHz PWM)而设计的,可理想用于高速应用方面,如:电动机控制、SMPS(switchmode power supplies)及IGBT的应用等。该MOSFET驱动器具有可调重启的显著特点:它在电路出现过流时对处于关断状态的电路进行复位,该功能由芯片外部的一个电容来实现,通过调节这个电容可控     

多方过程几种定义说法等效性的证明

多方过程，又名多变过程，在热力工程中有重要的实用价值．在普通物理热学教材中对于多方过程的讲解，一般是不加推导直接利用理想气体的绝热过程得出多方过程方程，有关多方过程的定义说     

用改进的图形结构测量金属/薄层半导体的接触电阻率

提出一种诊断金属／薄层半导体欧姆接触质量的改进测试图形──单点圆环结构模型．本结构不仅样品制备简单，只需做上一个小圆点和一个同心的圆环接触，无需台面绝缘，而且还有多样的灵活性．整个测试都是定域在一个小圆环内，无需考虑边界效应以及邻近其他图形的影响．发展和讨论了此模型的两种演变结构形式，使之更为简捷实用．所得结果与文献的报道一致．     

光学系统的等效变换

本文在普遍情况下使用矩阵方法详细讨论了光学系统的等效变换,证明光线变换矩阵为的光学系统当C≠0时可等效为一个薄透镜,当C=0时等效为一个薄透镜组。文中所得结果能用于分析光线或光束通过复杂光学系统的变换和多元件光腔的问题。