薄膜蒸镀光学控制中的一种现象的数学分析

证明了在连续蒸镀两层高，低折射率介质膜过程中，当第一层厚度不足λ／４厚时，刚开始蒸镀第二层膜时其反射率变化趋势与第一层膜相同，并由此展开，说明两层厚度不足λ／４的薄膜在很大程度上等价于一层λ／４的薄膜。     

薄膜铁氧体结环行器的等效场理论

假设薄膜伯氧体结环行器中是ＴＥＭ波传输，我国采用一种新的等效场理论，得出其中的Ｓ参量和损耗。当Ｙ结环行器中的铁氧体片厚度小于２００μｍ时，其导体损耗大于介电损耗和磁损耗。     

非晶Nd-Fe薄膜电阻的温度效应与非晶稳定性

用闪光蒸镀法在77K制备了Nd_xFe_1-x(x=0.06-0.80)非晶薄膜,原位测定了其电阻随温度的变化。结果表明:在0.192和ρ(T)∝T。晶化不是在一个固定的温度,而是在一个温度区间发生。     

方块电阻测试中的有限元理论

介绍了用有限元方法计算半导体方块电阻四探针测试中二维点电流势场的模型并且证明了其正确性。由于有限元方法对边界没有限制，该方法为方块电阻测试中精确确定边界修正系数，更重要的是为微样品测试结构确定提供直接明了的理论依据。     

从高考试题的改变看等效变换的应用

 等效变换并不是一个新鲜名词,但是它的应用却有许多新花样,它是考查学生综合素质和能力的一种有效途径。教育部在《普通高校招生制度改革方案》中提出了“三个有助于”和“四个方面”的总体改革方案,总体上将更加注重对考生能力和素质的考查。分析2000年各地及全国高考理科综合能力测试卷,我们不难发现,等效思维在其中的作用。而等效变换的思路只有在对物理原理理解透彻的基础上,才能灵活运用,它是考查学生综合素质和能力的一种有效途径。