AlGaN/GaN HEMT 小信号模型提取方法的改进

The accurate extraction of AlGaN/GaN HEMT small-signal models, which is an important step in largesignal modeling, can exactly reflect the microwave performance of the physical structure of the device. A new method of extracting the parasitic elements is presented, and an open dummy structure is introduced to obtain the parasitic capacitances. With a Schottky resistor in the gate, a new method is developed to extract Rg. In order to characterize the changes of the depletion region under various drain voltages, the drain delay factor is involved in the output conductance of the device. Compared to the traditional method, the fitting of S 11 and S 22 is improved, and fT and fmax can be better predicted. The validity of the proposed method is verified with excellent correlation between the measured and simulated S-parameters in the range of 0.1 to 26.1 GHz.     

等效相移光栅反射光谱特性的研究

等效相移光栅的原理是,通过对取样光纤布拉格光栅在特定点进行毫米尺度的“位移”,经过傅里叶变换,在各频率通道产生“等效相移”。首先利用光栅的Turan传输矩阵进行数值模拟,验证了真实相移光栅的各种性质在等效相移光栅中的实现,然后针对当前关于等效相移光栅的报道中,-2级光栅反射率都很低,并且没有出现“等效相移”的情况,提出了一种实现-2级等效相移光栅的方法,并进行了仿真验证。最后给出了等效相移光栅反射率随长度变化的曲线。     

触摸技术及测量研究

针对电容、电阻和红外触摸技术原理进行了介绍,分析了不同触摸技术的定位原理以及优缺点.在此基础上,对不同触模产品的特性进行了探讨,从而引出主要触摸功能的验证方法,以及触摸性能的测量方法,最后对触摸产品显示性能的测量进行了探讨.     

等效时移随机共振的载波同步

针对随机共振应用于单频载波同步时存在的噪声能量转化不彻底、采样点数量需求高的问题,提出了随机共振等效时移的载波同步方法。首先,通过充分利用接收信号的先验信息,设计样点等效时移过程,降低了载波同步对采样率的需求;其次,通过设计多级迭代的随机共振系统,并设置本地同频方波信号,提高了噪声的转化效率;最后,给出了较为完整的时移校准和时延校准的模块设计。理论分析和仿真结果均表明该方法能够有效地实现载波同步,并较现有方法提高约10 d性能。     

基于负温度系数的多晶硅电阻电热激励/压阻检测微桥谐振器的新型红外探测器

报道了一种基于负电阻温度系数的多晶硅电阻电热激励/压阻检测SiO 2/Si3N4/SixNy微桥谐振器的新型红外探测器.微桥谐振器吸收的红外辐射引起微桥温度升高,激励电阻和检测电桥的阻值减小,使得恒定激励电压作用下激励电阻的静态功率和惠斯登电桥的焦耳热增加,等效于增加了辐射在微桥谐振器上的红外辐射.初步的实验证实了该方案的可行性.     

基于三维有限元模型的微测辐射热计TCR及电学性能研究

微测辐射热计结构的电阻温度系数(TCR)及其电阻值对非致冷红外焦平面探测器的性能有极大影响.基于精确的微测辐射热计三雏模型,采用热电偶合有限元方法,分析了其电学特性,针对所建立模型,加载0.5～10 μA的直流偏置电流,得到各偏置下的温度及电势相应特性,并由此获取了不同温度下结构的电阻值,进而推导出一定温度内整个模型的TCR,从而为后端读出电路的设计提供参考.最后对实际制备的器件进行测试,验证了该方法的可靠性.     

高压功率VDMOS元胞的研制

基于Sentaurus TCAD仿真软件,在外延层参数与生产工艺确定的情况下,通过调整元胞的多晶硅长度优化特征导通电阻,并通过对版图元胞面积的准确计算,设计了三款导通电阻目标值为2.4,3.0和3.3Ω的高压功率VDMOS芯片。流片结果显示,导通电阻的平均值与版图计算值吻合度均超过96%,表明了该设计方法、仿真参数及版图设计具有较高的可靠性。     

一种提高射频电缆焊接质量的工艺方法

射频连接器与射频电缆被广泛应用于军民品的通信设备中,其关键工序射频电缆芯线与射频连接器插针的连接常采用手钳式阻焊工具。由于射频电缆较细,手钳式阻焊工具在阻焊操作时,要求电装工双手不能抖动,否则易产生废品。通过对手钳式阻焊工具进行技术改进,重新设计了一种预压紧方式的阻焊装置,并通过试验确定了电阻焊接头的结构形式和尺寸,提高了手工阻焊成品率和生产效率,降低了对电装工的技能要求。     

基于分段线性正电阻的蔡氏电路设计

为了简化蔡氏二极管的设计,提出了一种分段线性正电阻的设计方法。将设计的分段线性正电阻转换成分段线性负电阻,该分段线性负电阻用于设计新的蔡氏电路,通过EWB仿真和硬件电路测试表明新的蔡氏电路能有效地产生混沌行为。无论是从产生的混沌行为还是从电路的结构来看,均具有现有蔡氏电路所不具备的一些优点,结果表明电路设计是有效的。