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提出了一种带氧化槽的双栅体硅LDMOS结构(DGT LDMOS).在漂移区中引入一个氧化槽,在该槽上形成埋栅,同时形成一个槽栅.首先,双栅形成双导电沟道,减小了比导通电阻;其次,氧化槽折叠了漂移区,这不仅调制了电场的分布,而且提高了漂移区的优化浓度,有效提高了击穿电压,降低了比导通电阻.采用二维数值仿真软件MEDICI,对器件参数进行仿真和优化设计.结果表明,相对于普通体硅LDMOS(SG LDMOS),该结构的比导通电阻下降了56.9%,击穿电压提高了82.4%.在相同尺寸和击穿电压下,相对于单槽栅体硅LDMOS(SGT LDMOS),DGT LDMOS的比导通电阻下降了35.4%. 相似文献
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133.
FENG Yong-jian ZHANG Tao 《微纳电子技术》2003,40(7):415-418
The results and methods of calculation of resistance of hollow wire in gigahertz range by Bessel function are given. According to the results of computation, it is found that the resistor of conductor can be optimized using hollow wire with specific wall thickness. At high frequency the current distribution across a circular hollow wire is at surface of wire, which is called skin depth. We found that optimum wall thickness is proportional to skin depth and the phase abrupt change point of H field. Theoretical analysis and mechanism optimized round hollow wire will be presented in this paper. The calculation indicates that cylindrical hollow wire can be optimized to decrease resistance above 8%. 相似文献
134.
本文通过把因果微分定理推广成矢量表示式,使用时域分析中的等效激励法求解状态矢量和系统输出,给出了状态变量分析中的时域计算公式的简捷推导;我们通过推导状态矢量与用0阶到n-1阶导数组成的输入输出矢量之间的关系式,用状态不跳变原理导出了输出初值跳变的计算公式,给出了冲激匹配法和等效零输入激励不变法的本质;最后,本文通过分析推导证明了状态变量分析中的时域计算公式与时域分析计算公式的一致性。 相似文献
135.
趋向日益密集的计算能力之发展已经增大了与热量有关的挑战。在很多系统中,冷却系统的能力对整体性能构成了很大的限制。标准冷却组件(笨重的散热器和耗费大量功率、充满噪声的风扇、或安静但昂贵的风扇)会给组件排列紧密的电子产品增加了 相似文献
136.
提出了小型化微带双分支定向耦合器的设计方案,通过对双分支微带线进行结构等效,解决了传统微带双分支定向耦合器尺寸较大的问题。应用HFSS软件对结构进行了优化仿真设计,并制作和测量了一款工作在L波段用于海事卫星通信的微带耦合器样件。该耦合器样件比传统双分支定向耦合器面积缩小了51%,实测结果与仿真结果吻合较好,验证了方案的可行性。 相似文献
137.
138.
139.
钨化学气相淀积因为其在接触孔/通孔填充中出色的台阶覆盖能力而在半导体工业中被广泛应用,在量产中经常会出现监控片的方块电阻均匀性超规格。本文主要研究了加热器、气体输送、氟化铝、机械传片定位、真空微漏等因素对方块电阻均匀性的影响,特别周期性等离子清洗产生的氟化铝对晶圆边缘的抑制反应是影响腔体维护频率的主要原因,并提出改善均匀性的有效办法。 相似文献
140.