用普通数字万用表测量低阻的方法

<正> 在电气维修中,经常需要检查电机线圈、变压器绕组的短路或局部短路故障,测量开关、继电器或接插件触点的接触电阻等。这些都需要进行低阻测量。而多数的3 1/2位数字万用表,例如DT830、DT890等,都不具备这种测试功能,其200Ω电阻挡的分辨率为0.1Ω,只能测量0.1Ω-199.9Ω的电阻。为此笔者在实践中总结出一种用这类数字万用表测量低阻的方法,即“电压比较法”。此法简单实用,且测量低阻的能力强(一般可以较准确地测量0.01Ω～1Ω的小电阻值,并且还可以估测0.001Ω～0.01Ω的超低电阻值)。其测量范围完全可以满足我们在电气维修工作中测量低阻时的需     

YBa2Cu3O7-δ体系在B∥I∥c下磁场引起的电阻耗散

基于最近提出的平面外电阻耗散模型,计算了YBa_2Cu_3O_(7-8),体系在平行于c轴的磁场下不同温度时的平面外磁阻率ρ-B和不同磁场时的平面外电阻转变ρ-T.该模型预言了文献上普遍报道的该体系在外加磁场下的Lorentz力无关的耗散行为.为确信这一点,作为例子,特别将由该模型预言的理论结果与在YBa_2Cu_5O(7-8)体系中在B//I//c下测得的电阻转变曲线进行了定量地比较. 关键词：     

基于神经网络的模拟电路故障诊断优化近似方法

本文提出了线性电阻电路故障诊断的一种神经网络优化方法。其基本思想是应用Ｈｏｐｆｉｅｌｄ网络原理来处理Ｌ１范数问题，以此来进行诊断。对实例的计算证明此法是可行的。     

2006年全球被动元件需求增长强劲

据台湾钜亨网预测：2006年，全球MLCC产业数年来的供需调整已经结束．被动元件产业在基本面环境与2000年有许多相似之处，芯片电阻及MLCC需求量将成长约两成，芯片电感则成长25—30％，推升需求成长的主因则为下游多项整机产品应用面临改朝换代，单位产品用量增加等．产业将有机会部份重演当年盛况。     

电阻栅MOSFET及其应用

介绍了ＲＧＭＯＳＦＥＴ的基本原理，以及它的器件结构和伏安特性，提出了它的互补结构，分析其输出特性，并简单介绍了其应用前景。     

高温区Hg1—xCdTe光导器件的温度—电阻关系

在２００～３００Ｋ范围内测量了ｎ－ＨｇＣｄＴｅ的电学参数，并推导了载流子浓度，迁移率，电阻和组分的关系表达式，所得结果与红外光谱测量数据符合，利用ＨｇＣｄＴｅ光导器件的电阻－温度特性确定组分，不需要电阻的精确值，是一种判断器件均匀性和性能的有效方法。     

奥林巴斯μ820

奥林巴斯μ820最大特点就是脸部识别和阴影识别功能，以及光学防抖的性能。采用了一块800万像素、1／235英寸的CCD，具备5倍光学变焦能力，等效焦距为36—180mm，光圈范围f3.3-f5．0，快门速度1／2～1／2000秒；最近对焦距离为3厘米。     

Pseudo-Spin-Valve Trilayer Using Amorphous CoNbZr Layer： Giant Magnetoresistance, Domain Structures and Potentials for Spin-Electronic Devices

We propose a pseudo-spin-valve (PSV) trilayer using amorphous CoNbZr Mloy for soft magnetic layers. The giant magnetoresistance (GMR), domain structures and their variation upon thermal annealing are investigated. The GMR effect is not only stable up to 300℃ but also enhanced due to the improvement of the interfaces between Cu and magnetic layers. With high annealing temperature, the magnetoresistance (MR) ratio decreases rapidly as a result of serious layer interdiffusion. Dense stripe domains, which disappear after annealing at 300℃ for 1h, are observed in the sandwiched films. It is found that after patterning to elliptic stripe with aspect ratio of 6:1, the trilayers have a single domain and their MR ratio increases. The dynamic MR behaviour under an ac magnetic field indicates that the patterned stripes have good linear MR responses. Therefore, it is believed that the CoNbZr/Cu/Co PSV trilayers have strong potentials for spin-electronic devices including magnetic random access memory.     

硬盘驱动器巨磁电阻(GMR)磁头:从微米到纳米

近年来电脑硬盘存储密度的飞速增长(年增长100％)已超出摩尔定律的预言．这种惊人的高速增长中，最关键的因素是自旋阀纳米多层膜结构，即巨磁电阻(GMR)读传感器磁头的应用．事实上，巨磁电阻磁头读传感器(reader sensor)已经实现由微电子器件向纳米电子器件转化，并且形成大规模产业．这一过程包含了自旋电子学、材料科学、微电子工程学、化学、微机械力学和工程学等诸学科和相关微加工技术综合性挑战极限，进入纳米科技领域实质性进步．     

滑环副的研制概况

结合工作实际，介绍近几年来滑环摩擦副的研制概况。以等效试验、摩擦副的选配和接触电阻的测量为主要内容，举出部分试验数据。