等效电磁流一般和高阶表达式及其在双站散射中的应用

本文根据等效电磁流方法的概念，导出了求解物理光学场，边缘绕射场和总场的等效电磁流的一般表达式，它们可退化到目前已存在的各种等效电磁流公式；并提出了一种最佳的计算物理光学场的等效电磁流公式，根据半平面非均匀性电流的精确表达式，导出了一阶，二阶和三阶等效边缘电磁流的表达式，最后用本文导出的公式计算了菱形板的双站散射截面，计算结果和实验结果吻合良好。     

卫星电视接收站的安装与调试

文章较全面而系统地介绍了卫星电视接收站址的选择和真北的确定，天线的安装与增益的计算，馈源的基本概念与安装。高频头的技术指标与安装方法，接收机的类型与主要技术指标，接收站所有设备的统调等。最后，对高频电缆的常见产品和选用作了说明。     

双圈图近似下的重层子位势

我们导出了双圈图近似下QCD等效耦合常数的一个带有修正的表达式,它相当于在通常的表达式中增加了与重整化减除方案无关的、比Int/t更高次项的贡献。在此基础上,我们在动量表象和坐标表象中分别给出了一种既有渐近自由又满足线性禁闭假定的单一位势来描述重层子间的强相互作用,并且得到了大距离下线性禁闭位势的斜率k=4πΛ²/（33—2N_f）。我们还指出,在层子味数N_f固定之后,采用单一参数Λ来决定位势是可能的。     

A High Performance Sub-100nm Nitride/Oxynitride Stack Gate Dielectric CMOS Device with Refractory W/TiN Metal Gates

在国内首次将等效氧化层厚度为1.7nm的N/O叠层栅介质技术与W/TiN金属栅电极技术结合起来,用于栅长为亚100nm的金属栅CMOS器件的制备.为抑制短沟道效应并提高器件驱动能力,采用的关键技术主要包括:1.7nm N/O叠层栅介质,非CMP平坦化技术,T型难熔W/TiN金属叠层栅电极,新型重离子超陡倒掺杂沟道剖面技术以及双侧墙技术.成功地制备了具有良好的短沟道效应抑制能力和驱动能力的栅长为95nm的金属栅CMOS器件.在VDS=±1.5V,VGS=±1.8V下,nMOS和pMOS的饱和驱动电流分别为679和-327μA/μm.nMOS的亚阈值斜率,DIBL因子以及阈值电压分别为84.46mV/dec,34.76mV/V和0.26V.pMOS的亚阈值斜率,DIBL因子以及阈值电压分别为107.4mV/dec,54.46mV/V和0.27V.结果表明,这种结合技术可以完全消除B穿透现象和多晶硅耗尽效应,有效地降低栅隧穿漏电并提高器件可靠性.     

基于MEMS技术的红外成像焦平面阵列

选用Au和LPCVD的低应力SiNx薄膜材料,采用MEMS技术研制了新型间隔镀金热隔离结构的薄膜镂空式非制冷红外成像焦平面阵列,并应用光学读出的方法成功地在室温(27.47℃)背景下获得了人体的热像.实验证明间隔镀金热隔离结构的引入有效抑制了热传导对变形梁温升的限制,从而大大降低了系统的噪声等效温度差(NETD),NETD达到约200mK.     

用等效替代法解决物理问题

等效替代是物理学的重要方法之一，如力的合成与分解是力的等效替代，运动的合成和分解是不同参照系中运动的等效变换，在变速运动中的平均速度是用一个数值为平均速度的匀速直线运动来替代一段时间内的变速运动，在电学中的等效电路，交流电中的有效值等都     

一种高效的多电池系统放电方法

随着移动应用的发展,移动设备对能量的需求快速增长,而作为移动设备主要能量来源的电池,其容量的增长速度相对缓慢.为了解决这个矛盾,部分移动设备采用多个电池供电来延长设备使用时间.本文充分利用电池放电特性,在简单的顺序放电的基础上提出了循环顺序放电,分析指出,由同型电池组成的电池系统循环顺序放电的寿命能渐近于单片等效电池寿命;而模拟结果表明,循环顺序放电能有效提高电池系统寿命.     

e—Ne和e—Ar弹性散射的等效势理论计算

本文根据文献1、中导出的e-Li等效交换势,推广到具有更多电子轨道的Ne原子和Ar原子,结合以前计算中采用的极化势,用分波法计算了0.1～50eV入射能量范围内的弹性散射截面,获得了与实验相符合的结果,并与含参数交换势计算结果进行了比较。     

渐变折射率光波导的精确分析

本文利用转移矩阵理论和等效衰减系数的概念，导出了渐变折射率光波导的色散方程，数值计算的结果，赢余方程的精度优于目前存在的所有近似方法。     

高速半导体激光器等效参数的提取

本文克服了背地共面线谐振现象的有害影响，制作了国产高速半导体激光器非匹配微波封装组件，测试了组件的频响特性，由此提取了器件的等效参数，讨论了改善国产器件性能的技术途径。