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在本文中,我们讨论了非线性常微分方程y"=a0|x|αy3 a1|x|βy2 α2|x|γy α3|x|δ振荡解的渐近表示.在这个方程中将α0,α,α1,β,α2,γ,α3,δ分别换成0,0,6,0,0,0,sgn(x),1就是著名的第一类Painleve方程,而将α0,α,α1,β,α2,γ,α3,δ分别换成2,0,0,0,sgn(x),1,α0,就是著名的第二类Painleve方程.当α0,α,α1,β,α2,γ,α3,δ分别换成-β/3γ,0,0,0,1/γ,1,α,0时,可用于组合KdV方程孤立子解的化简. 相似文献
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中国科学院激发态物理重点实验室(以下简称实验室)始建于1989年,是国内惟一专门从事发光学及其应用研究的中国科学院开放实验室。徐叙院士是实验室的创始人和第一届主任,黄昆院士为实验室顾问(1989.4~1993.6)。现任实验室主任为申德振研究员。实验室依托于中国科学院长春光学 相似文献
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光学光刻是目前超大规模集成电路(VLSI)制备中主要的微米和亚微米的图形加工技术,这一技术将继续保持其主导地位成为90年代VLSI发展的关键。本文综述了近年来光学光刻工艺的发展,主要介绍了G线(436nm)、Ⅰ线(365nm)和准分子激光光刻的现状,并对实现高的光学光刻分辨率所必须解决的透镜设计、套准精度和像场面积等问题作了详细描述。最后展望了发展方向、 相似文献
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魏向荣 《电子工业专用设备》1991,20(3):43-47
<正> 概 述 在大规模集成电路生产中,自动对准技术是极其关键的一项技术,它主要解决IC生产中的图形刻套问题,以提高产品成品率及生产效率。该技术是西方发达国家对我国微电子工业发展实行技术封锁与控制的重点,也是自七十年代初至今这二十余年来严重困扰和阻碍我国集成电路制造与发展的一项久攻未破的老大难问题。我所作为我国专门从 相似文献
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带边紧致Riemann流形Dirichlet边界条件的第一特征值估计 总被引:1,自引:0,他引:1
本文给出带边界的紧致Riemann流形对应于Dirichlet边界条件的第一特征值的一些估计,这些估计改进了丘成相及P.Li[1]-[6]的有关结果。 相似文献
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