基于金属亚波长光学结构窄带滤色片的研究进展

窄带滤色片是一种在可见光波段选择性地反射或者透射特定波长的可见光而呈现不同颜色的常用光学元件,在液晶显示、光通信、传感探测和成像等多个领域得到广泛应用。综述了金属亚波长光学结构窄带滤色片的研究进展。根据结构形式的不同,将金属亚波长窄带滤色片进行了划分,主要包含了平直金属亚波长薄膜结构、金属-介质-金属腔结构、金属孔或颗粒阵列结构、金属光栅与其他结构组成的复合结构等类型。依次总结出了这些不同类别金属亚波长窄带滤色片器件的工作原理及近些年来所取得的研究进展。此外,还介绍了基于Fano共振原理的金属亚波长窄带滤色片,这类器件可以实现半峰全宽小于10 nm的超窄带滤色效果。     

用棱镜扩束的窄谱宽染料激光器

对一种用棱镜作光腔内光束扩展器，用调Q激光抽运的脉冲染料激光器的光谱调谐性能进行了实验研究。实验证明，即使染料溶液不循环，该器件也可以每秒1次的重复率工作，染料激光振荡器的输出谱宽达到0．013埃,调谐范围达到350埃，无腔内F-P标准具时，输出功率约50千瓦。     

主振荡功率放大器结构光纤激光相干合成系统对谱线需求的实验研究

主振荡功率放大器(MOPA)结构光纤激光相干合成通常被认为需要种子源保持单频输出,而由此引入的非线性效应限制了单链路光纤激光的输出功率。采用宽谱种子源和多波长种子源是抑制非线性效应的有效方式。利用随机并行梯度下降法对三路宽谱光纤放大器和三路多波长光纤放大器相干合成进行了实验研究,取得了理想的相干合成效果。实验结果表明,谱线宽度不是制约MOPA结构相干合成的因素,宽谱放大器和多波长放大器的使用有望使MOPA结构光纤激光相干合成系统获得更高功率的输出。     

通过控制陷阱分布实现高灵敏度窄带近红外响应有机光探测器

近红外(NIR)窄带光电探测在机器视觉、医学检测、智能通信等领域具有重要应用.本文提出了一种基于激子解离窄化机制的改进型层级器件结构,以实现响应峰值为940 nm的近红外窄带有机光电探测器(OPD).系统研究表明,通过调节器件内部的陷阱态密度分布,可以有效地提高窄带探测器的外量子效率(EQE)峰值.最终,基于双激子耗散...     

宽叶秦岭藤根部的化学成分

通过正相和反相硅胶柱层析从宽叶秦岭藤根部乙醇提取物中分离纯化得到19个化合物,经波谱分析并结合化学方法鉴定了其结构,其中4个为新化合物,它们分别是3,5-二羟基二十烷酸羽扇豆醇酯(3),2-羟甲基-5-甲氧基苯基-O-β-D-吡喃葡萄糖甙(11),Δ5-孕甾烯-3β,20(S)-二醇-20-O-β-D-吡喃葡萄糖基(1→6)-β-D-吡喃葡萄糖甙(18,秦岭藤甙C)和Δ5-孕甾烯-3β,20(S)-二醇-3-O-β-D-吡喃葡萄糖基-20-O-β-D-吡喃葡萄糖基(1→6)-β-D-吡喃葡萄糖甙(19,秦岭藤甙D).     

二苯磷酰基取代四苯基硅的合成及在构筑宽禁带聚合物中的应用

设计并合成了二苯磷酰基取代的四苯基硅基团,并将其作为宽禁带聚合物母体材料构筑基元,通过Suzuki反应偶连3,6位取代的咔唑合成了聚合物SiCzP.对聚合物的结构进行了系统的表征.与模型聚合物SiCz相比,二苯磷酰基的强吸电子能力,降低聚合物母体材料的LUMO能级,更有利于电子的注入.SiCzP与SiCz的玻璃化转变温度分别为219与227℃,失重5%时的分解温度分别为441与426℃.二者均具有良好的成膜性,掺杂器件初步结果表明,二苯磷酰基的引入使器件的亮度和效率都得到提高,其最大流明效率和功率效率比SiCz分别提高了98%和75%.     

B原子掺杂调控CuIn纳米合金电子结构以实现电化学CO2还原宽电位活性(英文)

杂原子掺杂可以调节电子结构以调整中间体吸附并优化反应路径,是设计高效CO₂还原反应(CO₂RR)催化剂的有应用前景的方法.B原子是常用的掺杂剂,引入B原子可以有效打破*COOH和OCHO*中间体的吉布斯自由能线性关系,并且可以通过与CO₂中O原子结合来增强CO₂吸附能力.B掺杂碳材料、单金属和金属氧化物的研究结果表明, B原子掺杂催化剂的CO₂RR活性和/或选择性有明显提高,然而多数报道的单个活性位点的B掺杂催化剂仅表现出在相对狭窄的电位范围内的CO₂RR高性能,设计制备CO₂RR的宽电位高选择性催化剂仍是巨大挑战.研究表明,合金化是提供多种类的活性位点相互协调和增强催化剂固有活性,进而改善CO₂RR性能并调节产物分布的可行策略.引入B原子到合金中以调节电子结构,最终优化关键中间体吸附的活性位点,对于寻找具有宽电位窗口的先进催化剂具有重要意义.本文提出了一种通过B掺杂调节CuIn合金电子结构以实现宽电位高选择性的...     

用于宽谱带发射白色发光二极管的黄色荧光粉Sr8MgAl(PO4)7∶xEu2+的制备及发光性能

通过高温固相反应合成了一系列宽谱带发射黄色荧光粉Sr_8MgAl(PO_4)_7∶x Eu~(2+)(SMAP∶x Eu~(2+)),并对其物质结构、发光性能及其在白色发光二极管(WLED)领域的应用进行了探究。X射线衍射(XRD)测试结果表明,SMAP∶x Eu~(2+)系列荧光粉具有单斜结构和C2/m空间群,激活剂Eu~(2+)离子能够很好地进入SMAP基质中并占据Sr~(2+)离子的晶格位点。漫反射光谱分析显示SMAP基质属于宽带隙材料,带隙宽度为3.60 e V。此外,SMAP∶x Eu~(2+)具有较宽的激发范围(280～500 nm),对应于Eu~(2+)离子的4f~7→4f~65d~1跃迁;在380 nm近紫外光激发下,呈现出450～800 nm的多发光中心的非对称黄光发射,发射峰位于590 nm处。基于高斯多峰拟合结果,得到3个发光中心,分别位于528、600和680 nm。最后,将已制备的黄色荧光粉SMAP∶0.05Eu~(2+)与商业化蓝粉Ba Mg Al_(10)O_(17)∶Eu~(2+)混合涂覆到400 nm芯片上制得色温较好(3 344 K)、显色指数较高(90.1)的WLED。