应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性

以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制.     

低碳锰钢的带状组织及其对钢板冷弯性能的影响

生产实践表明，采用薄板坯连铸连轧技术生产的低碳钢比传统工艺生产的同类钢板强度提高近一倍，而且组织大为细化，这种现象引起了冶金界的关注与重视。作者对薄板坯连铸连轧条件下低碳锰钢的组织转变特征及其对性能的影响开展了系统研究。     

挤压成形半固态ZA27合金组织的SEM分析

为了有效地解决铸造锌铝合金ZA27的宏观偏析问题，采用半固态成形的手段对ZA27合金进行挤压处理，可以得到不产生Zn宏观偏析的ZA27合金组织。本文运用扫描电子显微镜(SEM)分析、研究了挤压成形半固态ZA27合金的组织形貌。     

电源市场走势分析

数字技术的广泛应用推动？电源技术的发展与市场的变化。2006年及之后全球的电源市场需求走势是什么？走势背后反映？怎样的市场变化？数字电源的现状如伺？模块电源能成为未来趋势吗？[编按]     

地面数字电视电波传播模型误差分析报告

本文应用法国ATDI公司的ICSTelecom软件集成的多种电波传播模型,对国家广电总局数字电视测试工作组于2000年测得的中央电视塔固定天线室外接收长线场强测试结果进行了验证和对比,以便为我国地面数字电视电波传播模型的确定提供依据。从目前实验数据来看,我国地面数字电视频率规划的电波传播模型建议结合采用国际电联1546和526建议书所推荐的方法。     

电子商务环境下所得税规避

电子商务的蓬勃发展，带来了技术和商务方式的革命。也在极大程度上影响了税收规避的形式，不同的税收种类．其税收规避的方式也不同．针对其特点的经济学分析方法也有所差异。在电子商务环境下。如何合理规划企业的税收规避对企业竞争和盈利性有着重大的影响。[编按]     

光电平台无角位移减振机构运动分析

分析了光电平台的工作环境和角振动对成像质量的影响，应用空间机构学原理和减振理论，设计了一种既具减振功能又能抑制角位移的无角位移减振机构。对减振机构的减振机理及运动特性进行了分析，并利用三维建模软件和MSC．Visual Nastran 4D仿真分析软件对该减振机构进行了三雏实体仿真分析，通过输出的仿真数据及曲线检验无角位移减振原理的正确性。     

混合动力电动汽车用电机及驱动控制器的电磁兼容设计

电机及驱动控制器作为电动汽车的关键部件,其电磁兼容设计对于保证电动汽车的可靠运行非常重要.介绍了国家十五项目中某混合动力轿车用电机及控制器系统的电磁兼容措施,分别从控制电路、信号电缆、功率电路及屏蔽机箱等工程角度进行了分析和设计.该系统的电磁兼容性符合GB/T17619-1998的要求,且已应用于实际混合动力电动汽车,运行情况良好.     

Vishay新型表面贴装Bulk MetalZ箔电阻

日前．Vishay Intertechnology宣布推出VSMP系列超高精度表面贴装Bulk MetalZ箔（BMZF）电阻．这些是业界率先在70℃时具有750mW高额定功率并且具有低至&;#177;0．005％的长期稳定性、低于土0．2ppm／℃的超低典型TCR、在额定功率时&;#177;5ppm的出色PCR及&;#177;0．01％低容差等特性的器件。     

雷达间的电磁兼容性判决

通过对雷达信号(或干扰)处理过程的分析,对发现概率和虚警概率的定义作了合理的扩展,使二者可以直接用于雷达间的电磁兼容判定,并在此基础上建立了雷达间电磁兼容判决模型.这种基于经典雷达信号检测理论的模型能客观、真实地反映出雷达间的干扰情况,并且可以应用在雷达间电磁兼容性预测模型中.