空间不合成平板端射阵列副瓣研究

平板端射天线组阵不符合常规天线组阵规律,增益随着天线单元间距的增大而提高,在1.5倍波长时增益最高,但同时引入栅瓣问题。采用不均匀布阵抑制栅瓣,将阵元间距的稀疏约束从0.5λ栅格扩展到1.5λ栅格。经过大量仿真分析,发现当天线单元最小间距为1.5λ时,按常规不均匀阵列优化原理优化天线间距,可以抑制栅瓣但无法解决引入的高副瓣问题。提出采用空间不合成组阵新原理,在抑制栅瓣的同时有效地解决了阵列综合中高旁瓣电平的难题,为平板端射天线的研制提出了一条新思路。仿真结果验证了方法的有效性。     

掺钴氧化锌稀磁半导体的SEM及X射线能谱微分析研究

采用水热法,以CoCl₂·6H₂O为前驱物,KOH作为矿化剂合成了掺钴氧化锌稀磁半导体晶体。利用扫描电子显微镜(SEM)及X射线能谱仪(XREDS)对合成晶体的微观形貌、表面及内部掺杂元素Co的相对含量和分布的均匀性进行了研究。研究结果表明：水热法合成的掺Co氧化锌晶体具有多种微观形貌,较大的晶体具有极性生长特性。随晶体形貌不同,显露面也发生了相应改变。不同微观形貌的晶体其Co含量有所差异,较大的晶体掺杂Co元素相对含量大于较小的晶体,+c(1011)显露面Co元素的含量比+c(1010)面高,锥柱状晶体其区别尤为明显。大的晶体内部存在着少量的氧化钴团簇,晶体表面与晶体内部Co元素分布相对均匀。由于Co2+具有磁性,因此,氧化钴团簇的存在将对氧化锌稀磁半导体晶体的磁性产生一定的影响。     

Mn掺杂对ZnO∶Mn薄膜结构特性的影响

利用射频磁控溅射方法在玻璃衬底上室温沉积了一系列不同Mn掺杂的ZnO∶Mn薄膜。结合Raman光谱,XRD谱和SEM分析了ZnO∶Mn薄膜的结构特性。Raman拟合结果显示,在Mn摩尔分数从0增加到5.6%的过程中,ZnO∶Mn薄膜始终保持着六角纤锌矿结构;随着Mn掺杂浓度的增大,437 cm-1和527 cm-1位置上的Raman散射峰出现红移现象,说明Mn掺杂量的增加导致晶格更加无序,缺陷增多;当Mn摩尔分数达到15.8%时,647 cm-1处的Raman散射峰出现,暗示了MnO的产生,同时薄膜结晶质量变差。这一结论也得到了XRD和SEM结果的支持。     

A modal analysis for the acoustic radiation problems, I. Theory

For the acoustic radiation problems from a complex vibrating body surface, a modal analysis approach is put forward. All the normal vibration velocities on a vibrating surface form the Hilbert space. In the Hilbert space, an operator is defined, which includes the radiation property of the vibrating surface and is linear, self-adjoint and positive. Using the operator, a set of basis functions in the Hilbert space are obtained, which describe the radiation patterns and are called the radiation modes. Based on the radiation modes, a set of basis functions of the radiation field are obtained by the Helmholtz simple layer potentials, which describe the distribution patterns of the radiation field and are called the field distribution modes. The radiation behavior can be expressed by expansions of the radiation modes and the field distribution modes. The modal analysis approach is introduced into the acoustic radiation problems.     

Co掺杂量对Ti1-xCoxO2纳米颗粒结构及磁性的影响

以钛酸丁酯、六水硝酸钴等为原料,采用溶胶凝胶法合成Ti1-xCoxO2干凝胶前驱体,将前驱体在500℃空气氛围下进行退火处理,得到一系列Ti1-xCoxO2纳米颗粒样品.采用差热/热重综合热分析仪(TG-DTA)、X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱(Raman)和振动样品磁场计(VSM)对样品的结构和磁性进行研究.结果表...     

氧化物稀磁半导体的研究进展

稀磁半导体是一种能同时利用电子的电荷和自旋属性,并兼具铁磁性能和半导体性能的自旋电子学材料。本文主要介绍ZnO、In2O3等氧化物稀磁半导体的研究进展,一是从实验角度介绍其制备、结构、磁性、电输运性质等特性;二是从理论角度对其磁交换能、电子结构、居里温度和磁性产生的机制进行阐述;三是在稀磁半导体的基础上进一步延伸,介绍其相关的异质结构的磁电阻效应,并在文章的最后对氧化物稀磁半导体的研究进行总结和展望。     

六边形平面天线阵优化稀疏布阵研究

本文首先对遗传算法进行改良,并精心设计了适应函数,以确保遗传算法快速收敛;然后,应用改良后的遗传算法对天线单元正三角形排列的六边形平面阵进行优化稀疏布阵处理,以改善其辐射特性.本文还研究了优化稀疏阵的频率特性,并提出了仅对阵列天线外边缘部分进行优化稀疏处理以达到改善整个阵列天线辐射特性的方法,该方法具有优化区间小和计算量少等优点,为以改善性能和降低造价为目的的大型阵列天线优化稀疏处理提供了一条有效途径.结果表明通过优化稀疏处理,六边形平面阵的辐射特性可以获得相当大的改善,天线阵的最大旁瓣电平降低了7.5~9.4dB,仅对阵列天线外边缘部分单元进行优化稀疏处理可以达到与对全部单元进行优化稀疏处理相同的性能改进.     

稀磁合金的局域磁矩与热电势

本文基于Anderson s-d混合模型和Falicov s-d库仑互作用模型，利用格林函数方法，得到局域态电子占有平均值的自治方程，定量地分析在给定不同的参数下，局态电子占有数平均值和局域磁矩，研究了稀磁合金的s-d混合效应和s-d库仑互作用效应对热电势的影响。     

加权直线天线阵的最佳稀布

本文先给出加权稀布阵列的最佳阵元位置的一般解和这种最佳阵列的栅瓣电平,然后讨论采用广义升余弦加权的情况;分析了采用这种加权的最佳稀布阵列的性能,导出了效率指教、栅瓣电平、波束宽度和干净扫描区宽度的闭型表达式,得到了一种具有任意近轴旁瓣电平和干净扫描区宽度的最佳稀布阵列的简单方法。最后讨论了这种稀布阵列的一个应用。     

稀土元素的摩擦学研究发展概况

本文对稀土元素的摩擦学研究发展概况作了综述与讨论,主要涉及的是稀土金属及稀土无机化合物和稀土配合物作为润滑油、脂及润滑涂层的添加剂的摩擦学特性,并对稀土无机化合物的高温润滑特性、稀土金属及其化合物在高温涂层中的应用作了简要讨论,最后还提出了稀土的摩擦学研究中当前值得注意的几个重要课题。