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571.
572.
伍强 《化学教育》2019,40(5):95-96
详细介绍并分析了梅猷测定空气组成实验:利用铁与稀硝酸反应制备出一氧化氮,并将一氧化氮收集在倒置于水面的烧瓶中,使其与瓶中的氧气和水反应,从而测定出空气中氧气的含量。  相似文献   
573.
杜兵  刘爱民  黄业茹 《色谱》2014,32(9):967-970
采用同位素稀释高分辨气相色谱-高分辨质谱法(isotope dilution high resolution gas chromatography and high resolution mass spectrometry,ID-HRGC-HRMS)测定土壤样品中二恶英类化合物(polychlorinated dibenzo-p-dioxins and dibenzofurans,PCDD/Fs)的等价毒性当量(toxic equivalent quantity,TEQ)。讨论并确定了测定土壤样品中二恶英类化合物2,3,7,8位异构体不确定度的来源并合成了各异构体的相对标准不确定度;在此基础上,计算了3种等价毒性当量因子(toxic equivalent factor,TEF)框架下土壤样品中PCDD/Fs的TEQ浓度及其合成不确定度和扩展不确定度。  相似文献   
574.
为降低消解过程中硝酸使用量,满足重金属元素前处理“绿色”、“环保”的要求,本研究建立了测定大米中总砷含量的稀酸微波消解-原子荧光光谱法。通过单因素实验考察了硝酸浓度、过氧化氢体积、样品称取量和稀硝酸体积用量等对大米总砷测定的影响,得到最佳消解条件,最后应用建立的方法对市售20批大米进行测定。结果表明:最佳消解液组成为20%硝酸5 mL + 过氧化氢2.5 mL,总砷在0~20 μg/L浓度范围内线性关系良好,相关系数R2在0.998以上,检出限为0.0022 mg/kg,加标回收率变化范围为96.6%~102.8%,相对标准偏差(relative standard deviation, RSD)为3.6%。采用建立的方法对大米成分标准物质和实际样品测定,并与浓硝酸微波消解法及GB 5009.11-2014《食品中总砷及无机砷的测定》中干灰化法比较,结果一致(P > 0.05)。20批市售大米总砷含量范围为0.026~0.247 mg/kg,其中糙米平均含量高于精白米。该方法操作简便,重现性好,灵敏度、精密度、准确度高,适合在基层实验室推广应用。  相似文献   
575.
比利时科学家布拜生平   总被引:1,自引:0,他引:1  
布拜(M.Pourbaix,1904-1998)是腐蚀科学和电化学领域国际知名的科学家,他在化学热力学领域的杰出工作为电化学,特别是金属腐蚀科学奠定了重要的理论基础[1].  相似文献   
576.
硝酸与铝直接制取氢气实验的设计与研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
对硝酸与铝直接制取氢气的实验进行了设计与研究。实验发现,室温下一定浓度的稀硝酸与经去膜并用氯化汞溶液处理过的铝箔作用可产生氢气。进一步研究显示硝酸的最高浓度为1.6 mol/L,产生氢气最快时的硝酸浓度为0.07 mol/L;未经氯化汞溶液处理过的铝箔与稀硝酸作用几乎检测不到氢气的产生。  相似文献   
577.
聚醚砜流变性能的研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
用锥板流变仪测试了分子量不同的国产聚醚砜(PES)样品的流变性能.结果表明PES具有剪切变稀的特性,所得的粘流活化能与文献报道的ICI产品值相近.根据求得的零剪切粘度(η0)与分子量的关系推断样品的分子量已经接近临界分子量(MC),并利用转换因子αI=η0T/η0(TR)绘制了样品的叠合曲线,得到较好的叠加效果,同时还求得了WLF方程的两个经验常数C1和C2的数值.  相似文献   
578.
钇的离子半径介于镝与钬之间,因此它的性质更接近于重稀元素。当元素的价态发生变化时,离子半径也发生变化。例如三价铕离子的半径为1.13,而二价铕的半径就增加到1.2~1.3,这就与锶的离子半径(1.27)接近了。因此,二价铕离子的性质与碱土金属离子比较相似,因而,就有可能用硫酸锶来共沉淀铕,以富集微量的铕。表6-3中还列出了稀土元素三价离子的颜色,可作为鉴别的参考。1.4镧系元素的化学性质在1.2及1.3节中简要地提到了镧系元素的电子结构和价态的关系以及镧系收缩和原子半径,离子半径的递变规律。这些元素的上述性质和现象对它们的化学性质也…  相似文献   
579.
平衡法对理想稀溶液的讨论   总被引:2,自引:0,他引:2  
夏太国 《大学化学》2006,21(2):59-60
利用平衡法讨论理想稀溶液,并通过亨利定律讨论获得溶剂分子与溶质分子之间作用力的基本方法和基本原理。  相似文献   
580.
利用低温分子束外延技术在GaAs(001)上外延生长出厚度为500nm的稀磁半导体(Ga,Mn)As薄膜.双晶X射线衍射证明其为闪锌矿结构,晶格参数为0.5683nm,据此推导出其Mn含量为7%.磁测量结果揭示其铁磁转变温度为65K.观察了低温退火处理对(Ga,Mn)As磁性质的影响,发现生长后退火处理显著提高了其铁磁转变温度,可以达到115K.  相似文献   
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