识别过渡金属离子的1,8-萘二甲酰亚胺多胺衍生物荧光传感器的研究

设计合成了用以检测过渡金属离子的荧光化学敏感器体系,它们是由1,8-萘二酰亚胺为荧光团,多胺衍生物为金属离子受体组成．在室温下对其光物理性质的研究中发现,在没有加入过渡金属离子时,由于体系内存在有效的光诱导电子转移过程使得荧光团的荧光被淬灭．加入过渡金属离子后,金属离子受体中的氮原子和过渡金属离子之间的配位作用阻断了光诱导电子转移过程,体系的荧光增强．不同的金属离子受体表现出了和过渡金属离子不同的配位识别能力,并且通过荧光的变化传递出受体-金属离子作用的信息．     

全IP移动通信网网络层移动性管理

首先介绍了全IP移动通信网网络层移动性管理的概念、框架和最经典的移动IP（Mobile IP）协议，然后讨论了基于Mobile IP的四种主要扩展方案：蜂窝IP、切换敏感无线接入Internet结构（HAWAII)、电信增强移动IP（TeleMIP）和边缘移动性体系结构（EMA）方案，最后结合第三代移动通信发展的状况得出了一些结论。     

对位酚类衍生物作为化学发光分析的增强剂研究

在化学发光分析中，常常要用到碱性条件下鲁米诺与过氧化氢的反应系统，通过催化剂辣根过氧化物酶使反应顺利进行。如果再加入适当的增强剂，则灵敏度提高且发光时间延长，可改善测定的重现性。实验证明，对位酚类衍生物，如：对叔丁基苯酚，对甲苯酚的发光增强作用明显，其发光效率可上升几十倍，发光时间也获得有效延长。     

264～280 nm波段萘的共振增强多光子电离研究

在我们自己研制的具有恒温加热进样系统的激光质谱仪上实验获得了气相萘分子的共振增强多光子电离/飞行时间质谱(REMPI-TOFMS),以及萘母体离子C10H+8和一些主要碎片离子C8H+6、C6H+6、C5H+3、C4H+3、C3H+3在264～280 nm的分质量光谱.结合在266 nm激发波长下实验得到的这些离子的光强指数及不同激光能量下的分支比,对母体离子及主要碎片离子的生成机理进行了探讨:在该波段范围内,萘母体分子首先吸收一个光子从基态跃迁至激发态,激发态分子再吸收一个光子而电离产生母体离子C10H+8;碎片离子C8H+6、C6H+6、C5H+3、C4H+3、C3H+3则是由母体离子进一步吸收光子解离形成的,并给出了可能的解离通道.     

AT76C120：媒体处理器

Atmel公司推出有增强性媒体播放的新型媒体处理器AT76C120。它是下一代媒体处理器，适合于标准和高清晰度电视，平板显示器，投映仪，手提媒体服务器和能单独使用的播放盒。     

过渡金属表面γ-氨丙基三甲氧基硅烷膜的研究

本文对在过渡金属铁、镍电极表面制备得到的γ-氨丙基三甲氧基硅烷(γ-APS)膜进行了研究。实验中对硅烷膜用X-射线光电子能谱(XPS)、现场表面增强拉曼散射光谱(SERS)和原子力显微镜(AFM)进行了表征。X-射线光电子能谱(XPS)的结果发现存在两个N1s峰,表明γ-APS膜中的氨基有两种存在方式:自由氨基和质子化氨基。实验中还发现现场表面增强拉曼散射光谱(SERS)是研究金属/γ-APS体系中界面层结构非常有效的手段,SERS结果表明硅醇羟基和氨基发生了竞争吸附,且γ-APS分子在外加电位等条件的影响下吸附状态会发生一定变化。原子力显微镜(AFM)的表征结果在微观上显示电极表面的γ-APS膜上形成了一种较规则的微孔结构,这种结构可能与基底的性质有关。     

离子束增强沉积VO2多晶薄膜的温度系数

用改进的离子束增强沉积方法和恰当的退火从V2O5粉末直接制备了VO2多晶薄膜.实验测试表明，薄膜的取向单一、相变特性显著、结构致密、界面结合牢固、工艺性能良好，薄膜的电阻温度系数（TCR）最高可达4.23%/K.从成膜机理出发，较详细地讨论了离子束增强沉积 VO2多晶薄膜的TCR高于VOx薄膜的TCR的原因.分析认为，单一取向的VO2结构使薄膜晶粒具有较高的电导激活能，致密的薄膜结构减少了氧空位和晶界宽度，使离子束增强沉积 VO2多晶薄膜结构比其他方法制备的VOx薄膜更接近于单晶VO2是其具有高TCR的原 关键词： VO2多晶薄膜 离子束增强沉积 热电阻温度系数     

单麦克风和双麦克风语音增强系统的研究

本文对采用减谱法和箱关法的语音增强系统进行了研究，系统的噪声为白噪声和普通机房噪声。减谱法采用单麦克风输入，试验中发现语音的分帧方法对消噪影响很大，通过比较得到了一种具有明显消噪效果的分帧方法，在相关法中采用双麦克风输入，对两个输入信号之间的时延差进行了补偿，在求维纳滤波器系数时，对信号谱进行统计平均，从而使消噪后的语音信号具有较好的自然度。在研究以上两种方法的基础上，我们提出了一种混合消噪系统，