铜在HOPG上电沉积过程的现场ECSTM研究

用自制的电化学扫描隧道显微镜（ＥＣＳＴＭ）现场研究Ｃｕ在ＨＯＰＧ上的电沉积过程．结果表明Ｃｕ在ＨＯＰＧ上的电沉积为三维成核的过程．当电位较低或Ｃｕ２＋离子浓度较低时，铜在本体金属生长主要沿着台阶方向．过电位较高时，铜的成核数目增加，沉积层的晶粒有所细化．同时，非现场ＥＣＳＴＭ比较研究表明，ＳＴＭ针尖对针尖局部区域的电沉积起屏蔽作用，针尖所在区域Ｃｕ的沉积速度比其它区域明显减小     

烟酸对酸性硫酸盐体系铜电沉积的影响

对溶液A: 0.8 mol•L－1硫酸铜,0.6 mol•L－1硫酸,5.0×10－5 mol•L－1氯离子,1.0×10－4 mol•L－1聚乙二醇的溶液,溶液B:在溶液A中加入2.0×10－2 mol•L－1烟酸,pH为0.5,运用循环伏安和计时安培法研究玻碳电极上铜的电沉积行为.结果表明,铜的电沉积过程经历了晶核形成过程,其电结晶按瞬时成核和三维生长方式进行.烟酸的加入对铜的电沉积具有阻化作用,但不改变铜的电结晶机理.沉积层的X射线衍射表明Cu为面心立方结构,在烟酸存在下沉积层出现(220)高择优取向,这可能是烟酸在Cu(220)晶面上发生强烈吸附作用的结果.     

酞菁氧钛/卟啉氧钒复合体系光导性能的协同增强效应

在酞菁氧钛（TiOPc)／卟啉氧钒（VOTPP）复合光生材料中发现了光敏性的非线性增强现象，对复合体系的电子跃迁光谱和X射线衍射图的研究结果表明，在基态下两种材料之间没有明显相互作用，光致放电研究说明，该现象来自光激发状态下复合体系中的隙间态跃迁对光导的贡献，XPS测试结果表明酞菁氧钛与卟啉氧钒分子之间存在着定向的部分电荷转移，光致激发状态下的电荷转移是协同增强效应的起因，这种协同增强效应为利用弱的电子给体与弱的受体复合体系设计新型光导材料与器件提供了新方法。     

稀土元素悬浮液荧光体系的研究—铕—钆—二苯甲酰甲烷—二乙胺体系

系统研究了明胶对铕－钆－二苯甲酰甲烷－二乙胺沉淀悬浮液荧光体系的稳定化作用和钆对铕的荧光增强效应，使荧光强度提高约２个数量级，Ｅｕ的检出限达８．５×１０＾－１３ｍｏｌ／Ｌ（ｋ＝３），该体系可用于Ｇｄ２Ｏ３中痕量Ｅｕ的测定，结果满意。     

NdOx作为助催化剂对PtRu/C电催化氧化甲醇活性的影响

采用沉积-还原法制备了PtRu-NdOx/C催化剂, 借助TEM、EDS和XRD等测试手段对其进行了微结构和组成的表征. 结果表明, 催化剂中Pt与Ru以合金形式存在, 而Nd的氧化物则以无定形形态存在. 催化剂粒子的平均粒径在2 nm左右, 晶胞参数为0.3896 nm, Nd氧化物的加入对PtRu合金的晶体结构影响不明显. 采用循环伏安法和计时电流法, 比较了PtRu-NdOx/C催化剂和PtRu /C催化剂对甲醇氧化的电催化活性, 结果表明, 加入Nd的氧化物作为助催化剂能明显提高PtRu /C催化剂对甲醇氧化的电催化性能.     

现场表面拉曼光谱研究Fe-Mo合金诱导共沉积

现场表面拉曼光谱结果显示，在0．2mol·L-1Na2MoO4,pH＝4．0的溶液中，电位正于0．5V（vsSCE）时只观察到多钼酸盐的拉曼峰（940、880和450cm-1）．负于-0．5V时，出现中心位于730cm-1的宽峰．同时电极表面有蓝色膜生成．表明混合氧化态（MO（Ⅳ），MO（Ⅴ））氧化膜的形成．730cm-1的峰在-1．9V时仍然存在，说明氧化膜没有被进一步还原．在钼酸钠溶液中同时含有0．1mol·L-1FeSO4和0．2mol·L-1柠檬酸时，中间态氧化膜的拉曼峰的中心移到740cm-1．且峰强度随着电位从-1．3V负移到-1．9V而逐渐减弱并最终消失．电极表面沉积层呈银白色，说明由于Fe2 的存在，钼的中间态氧化膜的结构发生了变化，能够被进一步还原形成Fe－Mo合金，表现出诱导共沉积的特征．     

取代苯酚中共振增强的分子内氢键

根据晶体结构资料，计算了59个邻位取代苯酚中分子内氢键的几何．在STO－3G水平上计算了一些分子中原子部分电荷．结果表明，酚基氧与苯环上碳之间的键长，酚基上氢原子的部分电荷，酚基所在位置处的苯环环内角与取代苯酚的酸常数pKa均有近似线性关系，当邻位上存在硝基或羰基时，内氢键由于共振而得到显著的增强，据此可说明这一类酚的显著酸性     

2,2''''-联吡啶和亚铁氰化钾对乙醛酸化学镀铜的影响

以乙醛酸作还原剂、Na2EDTA为络合剂、2,2'-联吡啶和亚铁氰化钾作为添加剂组成化学镀铜体系,研究了两种添加剂对化学镀铜速率、镀层表面形貌、组成和结构的影响.结果表明:添加适量的2,2'-联吡啶和亚铁氰化钾,不仅提高了镀液的稳定性,而且使沉积速率增加1倍.这两种添加剂的同时使用,使镀层颜色变亮,形貌发生变化.所得镀层是多晶铜,没有发现夹杂Cu20.     

p—Si上电沉积Ni—W—P薄膜的结构与热稳定性

研究了ｐ－Ｓｉ上恒电流沉积Ｎｉ－Ｗ－Ｐ合金薄膜组成与结构的关系，讨论了镀层的组成、结构随沉积时间的变化．测定了非晶合金的晶体结构随热处理温度的改变以及ＤＴＡ曲线，结果表明，非晶Ｎｉ－Ｗ－Ｐ合金在晶化过程中形成两个纳米超微晶相，非晶Ｎｉ－Ｗ－Ｐ薄膜的热稳定性远高于通常使用的非晶Ｎｉ－Ｐ薄膜．     

Chemical Liquid Phase Deposition of Thin Aluminum Oxide Films

Introduction Inorganic oxide films have attracted a lot of interest in the last several decades. Among them, silicon dioxide films are widely used in modern microelectronics, optics and mechanics. This material has been grown by various methods including thermal oxidation, chemical vapor phase deposition, plasma-enhanced chemical vapor phase deposition, and so on.1,2 Recently, Nagayama et al.3 have reported that SiO2 thin films could be produced by a new chemical method of liquid phase depos…