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991.
根据亥姆霍兹方程的远场解,为使声光调制器(AOM)换能器在输出平面上声压输出的分布模式较好,衍射光能的传输特性更好,该文研究并提出了换能器的远距离分布模型.基于该理论模型,仿真分析了远场声束截面声强分布、传输中心轴声强分布及声束束宽等换能器相关特性,并利用计算激光衍射效率的方案进行实验验证.实验表明,测试数据与该理论模型吻合,在90%的能量区域内,理论模型拟合测试数据的误差低于5%,实验条件下声光晶体在2.08 mm≤z≤3.43 mm(z为晶体中传输距离)范围内具有最佳模式转化效率.利用此模型可确定声光器件中晶体最优衍射率区域. 相似文献
992.
分析并总结了超宽带二维多输入多输出(Multiple Input Multiple Output, MIMO)面阵拓扑结构设计的两条原则——等效孔径的均匀性与无明显遮蔽性, 并根据这两条原则提出了一种用于超宽带近距离高分辨率成像的新型面阵拓扑结构.与尺寸、阵元数相同的MIMO面阵相比, 该新型面阵结构在仿真获取的方向图中具有更好的聚焦效果和旁瓣抑制能力.并且, 不同距离下的聚焦结果显示, 该面阵的峰值旁瓣水平均要低于另两个阵列2 dB以上.对复杂目标成像的实验结果进一步证明了该阵列良好的成像性能.结合其等效阵元数量较少的特点, 文中提出的这种新型MIMO面阵拓扑结构为高效、实时的超宽带近距离高分辨率成像应用提供了可能. 相似文献
993.
后摩尔时代的封装技术 总被引:2,自引:2,他引:2
童志义 《电子工业专用设备》2010,39(6):1-8
介绍了在高性能的互连和高速互连芯片(如微处理器)封装方面发挥其巨大优势的TSV互连和3D堆叠的三维封装技术。采用系统级封装(SiP)嵌入无源和有源元件的技术,有助于动态实现高度的3D-SiP尺寸缩减。将多层芯片嵌入在内核基板的腔体中;采用硅的后端工艺将无源元件集成到硅衬底上,与有源元件芯片、MEMS芯片一起形成一个混合集成的器件平台。在追求具有更高性能的未来器件的过程中,业界最为关注的是采用硅通孔(TSV)技术的3D封装、堆叠式封装以及类似在3D上具有优势的技术,并且正悄悄在技术和市场上取得实实在在的进步。随着这些创新技术在更高系统集成中的应用,为系统提供更多的附加功能和特性,推动封装技术进入后摩尔时代。 相似文献
994.
995.
报道了用 MBE方法生长掺 In的 n型 Hg Cd Te材料的研究结果 .发现 In作为 n型施主在 Hg Cd Te中电学激活率接近 10 0 % ,其施主电离激活能至少小于 0 .6 m e V.确认了在制备红外焦平面探测器时有必要将掺杂浓度控制在~ 3× 10 1 5 cm- 3水平 .比较了高温退火前后 In在 Hg Cd Te中的扩散行为 ,得出在 40 0℃温度下 In的扩散系数约为10 - 1 4 cm2 / s,并确认了 In原子作为 Hg Cd Te材料的 n型掺杂剂的可用性和有效性 . 相似文献
996.
997.
998.
通过对弯曲阵列波导的优化设计 ,讨论了阵列波导光栅 (AWG)作波分复用器传输多频线性调制信号时的色散特性 ,得到其传输功率与波长的关系。分析表明 :对于优化弯曲波导 ,脉冲展宽波长Δλ≤ 0 .5nm ,插入损耗为 6± 1dB 相似文献
999.
《太赫兹科学与电子信息学报》2015,(1):184
中国电子学会第二十六届电路与系统学术年会将于2015年10月在湖南长沙召开。会议由中国电子学会电路与系统分会主办,中国科学院电子学研究所和湖南大学承办。我们真诚地邀请电路与系统及相关领域的科研工作者莅临本次年会!现将会议有关事项通知如下: 相似文献
1000.
时频分析是脉内特征分析中常用的一种方法,通过提取雷达脉冲信号的小波脊函数可以获得脉内调制信号在每个采样点的瞬时频率,然后再使用神经网络的方法对小波变换提取出的瞬时频率进行分析,便可以得到信号的脉内调制特征。以MoBet小波和多层感知器为例,对低信噪比下的典型雷达信号进行了仿真分析,结果验证了小波-神经网络分析脉内特征的有效性。 相似文献