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Freescale所提供的MRAM替代性方案
在Freescale的器件中,自由的和固定的磁体层并不是单纯的铁磁板。相反,它们是合成的反铁磁体(synthetic antiferromagnet,SAF)三明治结构,由两个反向对准的铁磁材料层以及两层材料之间所夹的一层非磁性材料耦合隔层而组成。图2示出了一个SAF位单元。SAF三明治结构产生磁致电阻效应的能力并不会因为它的混合式结构而受到影响。对准和反对准只取决于MTJ结构两侧相对的两层材料。将两层板材组成SAF,就可以让每层板变成“磁矩平衡”-净外磁场为零。 相似文献
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对轴线起爆式螺线管型爆磁压缩发生器进行了理论模型研究,建立了爆炸管的一维爆轰驱动模型、螺线管内空间磁场强度分布模型、爆炸管外表面磁压力模型和发生器系统的等效电路模型等,对此类发生器的物理过程进行系统描述。在此基础上,编制了相应的零维数值模拟程序CEMG 1.0,利用该程序分别对四种不同模型参数的发生器进行了理论计算和参数优化,并对其中一模型发生器爆炸管外表面的磁压力及其引起的剩余电感进行了计算,给出了剩余电感与初始输入条件及负载电感的关系,从而得到该模型的输出性能极限。对理论模型的正确性进行了实例验算证明。 相似文献
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小面积PN结的光电特性 总被引:1,自引:0,他引:1
用P型硅材料制作了小面积NP结光电二极管,测试了二极管的光电特性.若按杂质扩散区的受光面积计算,在同样的光照下,小面积光电二极管的光电流密度是常规面积光电二极管光电流密度的100倍以上.究其原因,在于杂质扩散区周边一个少数载流于扩散长度范围内,光生载流子对光电流的贡献.因此,当杂质扩散区为一个点时,光敏感区的面积趋于恒定值πL,有效光吸收区体积趋于(ZπL)/3. 相似文献
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S波段低相位噪声HBTMMICVCO陈新宇,林金庭,陈效建(南京电子器件研究所,210016)中图分类号:TN322TN454SBandLwoPhaseNoiseHBTMMICVCO¥ChenXinyu;LinJinting;ChenXiaojian... 相似文献
90.
稀磁半导体Cd1—xFexTe的巨法拉第效应 总被引:3,自引:2,他引:1
在70-300K温度范围内测量研究了组分x为0.01,0.003和0.06的稀磁半导体Cd1-xFexTe的法拉第旋转与入射光子能量、温度和组分的关系。首次用多振子模型拟合实验结果,获得了布里渊区Γ点的激子能量E0和L点的能隙E1随组分x的变化规律和E0的温度关系。讨论了Fe^++离子内部能级间跃迁对实验结果的影响。 相似文献