替代法测量微安表内阻的不确定度分析

在测量微安表内阻的众多方法中,替代法是最简单的方法。本文全面分析了影响测量结果不确定度的因素,求出了实验测量的最佳条件,计算了普通仪器组合下测量结果的相对不确定度。     

用改进的图形结构测量金属/薄层半导体的接触电阻率

提出一种诊断金属／薄层半导体欧姆接触质量的改进测试图形──单点圆环结构模型．本结构不仅样品制备简单，只需做上一个小圆点和一个同心的圆环接触，无需台面绝缘，而且还有多样的灵活性．整个测试都是定域在一个小圆环内，无需考虑边界效应以及邻近其他图形的影响．发展和讨论了此模型的两种演变结构形式，使之更为简捷实用．所得结果与文献的报道一致．     

碳膜电位器电阻体制造新工艺

目前我国电位器电阻体的制作主要有两种工艺方法:一种是丝网印刷法,另一种是流布法。流布法属比较落后的工艺方法,在我国已逐步淘汰,故现在较为流行的是丝网印刷法。本文介绍一种先进的工艺方法——PC滚涂法。本厂从日本松下公司引进这一先进的制作工’艺技术,用于电阻体高阻部的制作。它的优点是生产效率高,电阻分布均匀,膜层表面光滑、平整,目标电阻值易于控制,生产合格率高。     

Controllable Magnetic Focusing of Cold Atoms on a Chip

We propose a new lens scheme to focus cold atoms by using a controllable inhomogeneous magnetic field from a square current-carrying wire fabricated on a chip. The spatial distributions of the magnetic field are calculated, and the results show that the generated magnetic field is a two-dimensional （2D） quadrupole one and can be used to focus cold atoms or a cold atomic beam. The dynamic processes of cold atoms passing through our square wire layout and its focusing properties are studied by using Monte Carlo simulations. Our study shows that the atomic clouds can be focused effectively by our magnetic lens scheme, and the focal length of the atomic lens and its radius of focused spot can be continuously changed by adjusting the current in the wires.     

npn AlGaN/GaN HBT模型与特性分析

基于实验数据对GaN材料的少子寿命和碰撞电离率进行了建模,应用漂移-扩散传输模型开展了npnAlGaN/GaN异质结双极晶体管的特性研究,给出了器件导通电压、偏移电压和饱和电压的解析式.结果表明:实际器件导通电压、偏移电压及饱和电压较大的原因主要是高基区电阻和基区接触的非欧姆特性,为器件的工艺制造提供了理论指导.     

认识纳米合成磁体

本文介绍了纳米合成磁体的特性、微观结构、发展方向、磁粉来源及磁性能与主要用途。