全文获取类型
收费全文 | 8822篇 |
免费 | 2917篇 |
国内免费 | 1473篇 |
专业分类
化学 | 858篇 |
晶体学 | 128篇 |
力学 | 380篇 |
综合类 | 73篇 |
数学 | 161篇 |
物理学 | 5238篇 |
无线电 | 6374篇 |
出版年
2024年 | 100篇 |
2023年 | 361篇 |
2022年 | 408篇 |
2021年 | 399篇 |
2020年 | 357篇 |
2019年 | 328篇 |
2018年 | 254篇 |
2017年 | 330篇 |
2016年 | 367篇 |
2015年 | 425篇 |
2014年 | 685篇 |
2013年 | 541篇 |
2012年 | 652篇 |
2011年 | 574篇 |
2010年 | 553篇 |
2009年 | 589篇 |
2008年 | 662篇 |
2007年 | 597篇 |
2006年 | 544篇 |
2005年 | 558篇 |
2004年 | 542篇 |
2003年 | 538篇 |
2002年 | 398篇 |
2001年 | 340篇 |
2000年 | 257篇 |
1999年 | 222篇 |
1998年 | 201篇 |
1997年 | 208篇 |
1996年 | 201篇 |
1995年 | 154篇 |
1994年 | 156篇 |
1993年 | 123篇 |
1992年 | 135篇 |
1991年 | 149篇 |
1990年 | 150篇 |
1989年 | 97篇 |
1988年 | 20篇 |
1987年 | 10篇 |
1986年 | 8篇 |
1985年 | 6篇 |
1984年 | 4篇 |
1983年 | 2篇 |
1982年 | 7篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
61.
62.
张鹏 《数学物理学报(A辑)》1991,11(3):326-335
两种物性不同的媒质以形状任意的光滑旋转面作为分界面,在分界面上放置通有交变电流的半径甚小于波长的小线圈。本文给出该系统下全空间电磁场场量的精确表达式。 相似文献
63.
65.
HRSJ-103型红外碳硫分析仪采用高频感应燃烧—红外吸收—电子计算机信息处理的新技术研制而成。该仪器具有分析速度快、精度高、重复性好等特点。其主要性能指标与美国LECO公司CS-244型红外碳硫分析仪相同,但某些辅助功能,如样品重量的存贮容量,报警与诊断的内容等,尚不完全相同。目前只有美国、德国、日本能生产该类仪器。该类仪器在冶金工业炉前钢样分析以及各类中心试验室,钢铁研究所实验 相似文献
66.
We propose a new lens scheme to focus cold atoms by using a controllable inhomogeneous magnetic field from a square current-carrying wire fabricated on a chip. The spatial distributions of the magnetic field are calculated, and the results show that the generated magnetic field is a two-dimensional (2D) quadrupole one and can be used to focus cold atoms or a cold atomic beam. The dynamic processes of cold atoms passing through our square wire layout and its focusing properties are studied by using Monte Carlo simulations. Our study shows that the atomic clouds can be focused effectively by our magnetic lens scheme, and the focal length of the atomic lens and its radius of focused spot can be continuously changed by adjusting the current in the wires. 相似文献
67.
报道了一种采用UHV/CVD锗硅工艺和CMOS工艺流程在SOI衬底上制作的横向叉指状Si0.7Ge0.3/Si p-i-n光电探测器.测试结果表明:其工作波长范围为0.7~1.1μm,在峰值响应波长为0.93μm,响应度为0.38A/W.在3.0V的偏压下,其暗电流小于1nA,寄生电容小于1.0pF,上升时间为2.5ns.其良好的光电特性以及与CMOS工艺的兼容性,为研制能有效工作于近红外光的高速、低工作电压硅基光电集成器件提供了一种新的尝试,在高速光信号探测等应用中有一定的价值. 相似文献
68.
69.
70.