关于半线性热方程的死角性质

本文考虑下述问题：这里，．本文证明了在发生死角时只有有限个死角点．     

宽波段高灵敏快响应热释电型光卡计的研究

采用热释电材料,设计并研制了适用于红外-可见-X光波段的高灵敏、快响应光能量计。针算了卡计的参数,对1.06μm、0.53/μm激光和0.1～10keV的软X射线进行了能量测量,灵敏度达300mV/μJ,时间响应小于2ns。     

C60的发现,制备,结构,性质及其潜在应用前景

Ｃ６０是碳的一种新的同素异型结构．本文综述了Ｃ６０的发现与制备方法，Ｃ６０形成的机制与其绪构特征，以及Ｃ６０的性质与其潜在的广阔应用前景．重点介绍用红外（ＩＲ）谱，１３Ｃ核磁共振（ＮＭＲ）谱和Ｘ射线衍射（ＸＤ）谱研究Ｃ６０结构的结果，及掺杂Ｃ６０固体的高温超导电性及其结构的最新研究进展．     

声致冷和声制冷机

本文介绍声致冷的基本原理、有关的数量关系和美国 ＬｏｓＡｌａｍｏｓ实验室推出的一台实验声制冷样机及其性能。     

PECVD法制备低介电常数含氟碳膜研究

采用PECVD法制备了低介电常数薄膜a-C：F，研究了薄膜沉积速率与温度及射频功率的关系，测量了不同沉积条件下薄膜的介电常数，并用FTIR分析了薄膜的化学结构及成分，发现薄膜沉积速率与沉积条件密切相关，其介电性与其化学结构以及沉积条件密切相关。     

Co-Si多层膜在稳态热退火中的固相界面反应

超高真空条件下,采用电子束蒸发工艺在Si(111)衬底上交替蒸镀200A的Co和Si薄膜形成多层膜结构,在恒温炉中作稳态热退火,然后用XRD、RBS及AES等技术作分析,研究了Co-Si多层膜固相反应的相序,用四探针测量了反应生成的钴硅化物的电阻率。结果表明,随着退火温度的升高,淀积在Si(111)上的Co膜逐步转化为Co_2Si、CoSi和CoSi_2,最后完全转化为CoSi_2。在比单层膜低得多的温度下退火获得了电阻率较低、表面形态良好、晶粒很大的CoSi_2薄膜材料。     

激光对光学薄膜损伤的热冲击效应

计算了薄膜在高功率脉冲激光作用下截面温度场和应力场分布。分析了热冲击在光学薄膜激光损伤中的作用，并用调Ｑ１．０６μｍ脉冲激光对ＺｒＯ２单层膜损伤，讨论了不同激光强度下薄膜截面温度场与应力场分布，揭示了热冲击在ＺｒＯ２单层膜损伤中的机理和过程。     

激光束诊断用新型探测器——原子层热电堆

本文介绍一种新型热探测器一原子层热电堆。该探测器汇集了许多优越的特性，这些优点在其他情况下只能分别在固定的探测器中(如热电偶、热电探测器或量子探测器)发现。和常用的热电堆一样，原子层热电堆提供相同信号，并测得宽的光谱区。然而，敏感区的特殊结构，能使上升时间极短，仅有几纳秒。即使在远红外光谱区，原子层热电堆在室温下的工作与灵敏的量子探测器不同，其信号表现有与波长和温度很强的相关性。     

In_（0．2）Ga_（0．8）As／GaAs应变多量子阱结构的光调制反射和热调制反射谱的研究

对Ｉｎ（０．２）Ｇａ（０．８）Ａｓ／ＧａＡｓ应变多量子阱在７７Ｋ下的光调制反射谱（ＰＲ）和热调制反射谱（ＴＲ）进行了实验研究．对ＰＲ结果的线形拟合指认了应变多量子阱中子能级的跃迁，并与理论计算结果作了比较．实验对比确认ＰＲ中１１Ｈ、１３Ｈ等跃迁结构为非耦合态、具有电场调制机构的一阶微商性质．而１１Ｌ、３１Ｈ、２２Ｈ等跃迁结构为阶间耦合态，对这些隧穿耦合的低场调制产生三阶微商特性．     

低价、高效、微波产品用的TPA覆铜版

随着信息产业的飞速发展,高频信号设备,如高速计算机、移动电话、卫星通信等,都已从兆赫频段扩展到千兆赫,这就意味着对它们所用的微波电路基板提出了更高的要求.长期以来,高频微波基板几乎没有越出使用聚四氟乙烯的老传统,但是,它有若干缺点玻璃化温度低,故刚性差;加工复杂,故成本高;金属化孔镀层与孔壁的结合力弱,故可靠性不高. 多年来,美国GIL科技公司一直在研制替代聚四氟乙烯的材料,经过姐妹公司的合作,终于研制成功了TPA板材,这种材料克服了上述缺点,从而获得了美国专利.本文介绍了TPA层压板的电气特性、机械特性和热效应,给出了许多宝贵数据.