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51.
52.
53.
任罡  彭练矛 《物理学报》1996,45(8):1344-1349
给出了一种数值计算高能电子衍射吸收结构因子的方法,并利用模拟退火结合保温相变以及线性最小二乘拟合等算法,对所计算的吸收结构因子数值进行了含10个参数的Doyle-Turner解析表述的拟合,作为示例,给出Be,Al,As,Ag,Au等5个元素的拟合结果和精度,并作出Al的绝对偏差量和相对偏差量曲线。  相似文献   
54.
热处理WO3电变色膜稳定性研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用电子束蒸发淀积WO3薄膜。根据已有的WO3薄膜脱水过程结论而选择适当温度对薄膜进行退火处理。在大量含水的和不含水的两类Li^+电解质中进行比较性着色和消色循环实验,表明在290℃以下热退火处理能明显增加WO3薄膜在含水 电解质中的循环寿命。  相似文献   
55.
钛酸铅系薄膜的热释电性能及其应用   总被引:10,自引:1,他引:9  
刘芸  张良莹 《压电与声光》1996,18(3):194-200
叙述了钛酸铅系薄膜的热释电原理,介绍了国际上近几年钛酸铅系薄膜材料、制备工艺及热释电性能,并与块状陶瓷材料进行了比较,分析表明钛酸铅系薄膜具有优良的热释电性能及可观的应用前景。  相似文献   
56.
吴正立  严利人 《微电子学》1996,26(3):189-191
隧道小孔中超薄SiO2的生长是EEPROM电路制造的关键工艺之一。采用SUPREM-Ⅲ工艺模拟程序对超薄SiO2的热生长进行了工艺模拟,经过大量的工艺实验及优化,确定了超薄SiO2的最佳生长条件,生长出的SiO2性能良好,完全可满足EEPROM研制的要求。  相似文献   
57.
热壁LPCVD设备使用中几个问题的探讨   总被引:1,自引:1,他引:0  
文章就热壁LPCVD设备使用过程中出现的几个问题作了较全面的分析,提出了一些解决办法,并就设备易出现的故障及维护谈一点体会。  相似文献   
58.
A quasiclassical trajectory study with the sixth-order explicit symplectic algorithm for the N(^4S)+O2(X^3∑g^-) → NO(X^2Ⅱ) +O(^3P) reaction has been reported by employing a new ground potential energy surface. We have discussed the influence of the relative translational energy, the vibrational and rotational levels of O2 molecules on the total reaction cross section. Thermal rate constants at temperatures 300, 600, and 1000 K determined in this work for the reaction are 4.4 × 10^7, 1.8 × 10^10, and 3.1 × 10^11 cm^3mol^-1s^-1, respectively. It is found that they are in better agreement with the experimental data than previous theoretical values.  相似文献   
59.
在钢中添加一定量的Ti可以提高钢的力学性能。细小的TiN弥散粒子可起到一些有利作用。例如,TiN粒子可以细化钢的铸态组织;减少有害夹杂物的析出;提高奥氏体粗化温度;防止形成过大的奥氏体晶粒等。  相似文献   
60.
球栅阵列倒装焊封装中的热应变值的测试   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用高温云纹实验方法测试球栅阵列(BGA)封装焊点的热应变,采用硅橡胶试件光栅复制技术,使测试环境温度提高到200℃.通过实时热应变测量,得到各焊点的热应变关系以及封装材料、电路板各部分的热应变分布状况,为研究集成电路封装组件焊点的建模和热疲劳破坏机理提供了可靠的实验依据.  相似文献   
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