荧光显示管直丝氧化物阴极有效逸出功的计算

阴极的逸出功是表征阴极发射能力的物理量，求定荧光显示管直丝氧化物阴极有效逸出功时，因其零场发射电流密度难于准确取值，温度无法直接测量，显得困难，须予解决，为此提出了一种计算阴极有产逸出功的办法，对某显示管的发射欠佳和“低温高效”的两种氧化物阴极的有效逸出功进行计算，有效逸出功率是靠测量相关物理量再同计算得出，精度不很高，文中所用办法也不例外，但所得结果能反映阴极发射能力，所需仪器少，是实用方法。     

CATV网路系统主干线规划设计与MHW6342T器件的应用

本文侧重讨论了院校新型ＣＡＴＶ５５０ＭＨｚ邻频传输系统的干线设计以及选用ＭＯＴＯＲＯＬＡ ＭＨＷ６３４２Ｔ器件来改善了干线放大器性能。     

深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析

利用器件模拟手段对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流进行了研究和分析，给出了有效的道长度，栅氧厚度，源漏结深，衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ衬底电流的影响，发现电源电压对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的衬底电流有着强烈的影响，热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小，当电源电压降低到一定程度时，热载流子效应不再成为影响深亚微米ＭＯＳ电路可靠性的主要问题。     

系统级可编程芯片(SOPC)设计思想与开发策略

针对SOPC全新的设计流程，提出了基于IP的SOPC设计集成平台概念及设计思想与开发策略，并介绍了基于FPGA／CPLD的SOPC的实现方案。     

基于体全息技术的WDM器件

利用体全息技术制作波分复用器件是一种新方法。本文介绍了此种方法的基本原理和器件的基本性能，并报道了国外对该项技术的研究进展。     

IR-节能器件的积极推动者

功率管理技术广泛应用于如互联网、路由器、计算机等互连互通领域,通过功率管理技术可以使产品体积更小、性能更可靠、温度更低,更方便实现产品的移动性,并能使电源设备时间更长久,特别是在家用电器如马达、自动化控制、照明等方面可发挥很大的作用。有数据表明,目前全球功率管理市场达到100亿美元,并将实现5％的年     

Xilinx:创新求变逆风飞扬

回顾过去10年,PLD(可编程逻辑器件)行业以每年25—30％的速度增长。尤其是最近几年,PLD市场的发展速度远远超过整个半导体行业的增长率,虽然目前半导体行业还在经历严冬,PLD市场也不能幸免,但Xilinx(赛灵思)仍然在艰难的市场中取得了比过去更多的市场份额,成为半导体市     

硅光电负阻器件的构成原理与分类

将三端负阻器件与硅光电探测器相结合 ,通过新的构思成功地提出并构成了一类新型光电器件——硅光电负阻器件。文中报道了该器件构成的一般性原理 ,以及依据此构成原理确定的分类方法