尖晶石锂锰氧化物中氧缺陷对材料电化学性能的影响

研究了富锂锂锰氧化物中氧缺陷对材料电化学性能的影响。X射线衍射谱表明有氧缺陷的锂锰氧化物仍可保持尖晶石结构，当氧缺陷浓度达到一定程度时，高角度区的衍射峰出现分裂，说明其微观结构发生了变化。充放电实验结果表明氧缺陷使4V区的锂离子嵌脱变成了多步，模拟电池的容量微分曲线有3对清晰的氧化还原峰，低电位的氧化还原峰被—分为二。氧缺陷降低了材料的放电容量，同时引起低电位区的放电容量向更低电位区转移，使电化学性能恶化，锂锰氧化物中氧缺陷对电化学性能的影响对此类材料的合成提供了理论和实践依据。     

Pr离子缺陷对Bi-2223/Ag带材磁通涡旋运动的影响

Pr部分替代Ca可以在Bi-2223的超导层中引起局域缺陷(简称Pr离子缺陷),本文分析了不同含Pr量的Bi-2223/Ag带材在垂直于带面的外场下电阻转变特性,研究了其磁通钉扎势垒的变化规律.结果表明:Pr离子缺陷显著提高了Bi-2223带材的磁通钉扎势垒(U).不同含Pr量样品的磁通钉扎势垒(U)均满足U/(1-T irr/Tc0)(1/Hα的规律,其不同α值反映了样品中不同的磁通蠕动方式.在不含Pr离子缺陷的样品中,磁通主要以双弯结的方式进行蠕动, 含Pr离子缺陷的样品中磁通蠕动主要以直接剪切的方式进行.     

SI~-、n-GaAs正电子湮没特性的研究

用正电子湮没技术,研究了半绝缘(SI)和掺Te的n型GaAs的退火行为及外延工艺的影响.结果表明,GaAs的平均寿命τ_M,长寿命τ_2,和基块寿命τ_b依赖于掺杂,同时τ_2的变化与镓空位和多镓空位均有关.外延后,由于退火的效果,I_2的降低和τ_2的增加是明显的.文中还讨论了电子和中子辐照的影响.     

SMT网板设计基本技术要求

一、引言 在SMT装联工艺技术中，印刷工业是第一环节，也是极其重要的一个环节。印刷质量的好坏会直接影响到SMT焊接直通率的高低，在实际生产过程中，我们发现60％70％的焊接缺陷与印刷质量有关。因此，有必要对印刷工艺的各个方面进行研究。在影响印刷工艺的各个方面中，网板的设计起着举足轻重的作用。     

2005年度最佳制造厂奖,花落IBM公司

著名的科技期刊《国际半导体》杂志每年都要评选当年度的最佳制造厂。2005年的最佳制造厂已经评出,当选的是位于美国纽约州East Fishkill的IBM公司323楼的300毫米晶圆生产线。该生产线生产的产品,生产周期短,成本低,缺陷密度低,第一次投料即可成功的产品所占比例很大,声誉卓著。我国内地的中芯国际的位于上海的一厂也曾于2003年度与英特尔公司的一座12英寸加工厂,共同并列获得此项大奖。①《国际半导体》杂志的助理编辑JenniferYario先生,曾撰文介绍该厂的先进优点,IBM公司在网页上,也重点予以介绍。评奖是根据以下条件评比的:引入新产…     

GaN中杂质和缺陷的特性

主要描述了ＧａＮ中施主和受主杂质的能级、氢在掺杂中的作用以及空位的某些特性，同时讨论了该领域未来的研究趋向。关键词     

煤基石墨的Raman光谱研究

对我国湖南省鲁塘地区煤基石墨系列样品的Raman光谱分析和研究表明,所有煤基石墨的一级Raman光谱都存在石墨固有的层内振动谱峰E_(2g),其频移位于1585cm~(-1)附近;层内振动的缺陷谱峰,即D峰有二种,一是由原生结构缺陷引起的D_2峰,其频移位于1360cm~(-1),另一是由次生结构缺陷引起的D_1峰,其频移位于1370cm~(-1);煤基石墨的二级Raman光谱反映它的三维晶格完善程度。     

新型蓝光衬底材料LiAlO2晶体的生长的缺陷分析

ＬｉＡｌＯ２和ＧａＮ的晶格失配率只有１．４％，是一种很有希望的ＧａＮ外延生长衬底材料。本文利用温度梯度法生长出透明的ＬｉＡｌＯ２单晶，并通过化学浸蚀、光学显微镜、透射电子显微镜、同步辐射Ｘ射线貌相术对晶体中的缺陷进行了检测。结果表明：ＬｉＡｌＯ２在钼坩埚中无籽晶自由凝固结日地，是沿（１００）方向生长。用温度梯度法生长的ＡｉＡｌＯ２晶体质量良好，晶体中无气泡和包裹物，在ＬｉＡｌＯ２（１００）方向晶面