聚氯乙烯结构缺陷和热不稳定性之间关系的研究 2.各种结构缺陷含量和热脱氯化氢速率之间的关系

 本工作采用溴加成法、酚解法、FTIR法及臭氧裂解法分别测定了五种不饱和蒸气压下聚合的PVC样品(u-PVC)和五种商品PVC样品(s-PVC)的总双键、总不稳定氯、孤立双键和内部双键的含量.通过研究结构缺陷和PVC的平均分子量及脱HCl速率的相互关系,揭示了不饱和总双键值,总不稳定氯和孤立双键含量彼此的相关性是建立在它们分别与1/M_n的相关性基础之上,从而得出了这三种定量值测得的主要都是端基烯丙基氯结构.根据三者对脱HCl速率的良好线性相关性,首次提出了端基烯丙基氯结构在HCl催化作用下异构化成内部烯丙基氯从而成为脱HCl速率主要原因的机理.     

钙钛矿型La_((1 x)/2)Sr_((1-x)/2)Co_(1-x)Cu_xO_3催化CO氧化活性与表征

研究了钙钛矿型LaSrCoCu_xO_3催化剂对CO氧化反应的催化活性及其表面氧的催化作用．结果表明，x＝0．4的催化剂对CO氧化具有最高催化活性，常压及本实验条件下CO完全氧化的最低温度为168℃；催化剂均为氧缺陷化合物，吸附于表面晶格氧缺陷上的吸附氧是CO氧化反应的活性氧物种；并发现催化剂中存在有非常价态的C04 ，认为CO氧化反应是通过吸附氧调变Co3 和Co4 价态而进行．     

纳米Cu和Ag的缺陷研究

使用氢电弧等离子体方法制备纳米Cu和Ag超微粒子,这些粒子在制备过程中自动地高温溶氢.同时使用相近的电源功率的惰性气体蒸发法制备纳米Cu和Ag.分别将各种样品在低温退火,同时使用TEM监测粒子的大小,选择最佳退火温度制成标准样品.使用TEM,HRTEM,XRD线形精炼与Fourier分析方法研究了纳米Cu和Ag中的缺陷.发现了纳米Cu和Ag的x射线衍射线形的非对称性并研究了其物理意义.用Fourier分析方法计算得到纳米Cu和Ag中的孪晶几率.并对于纳米材料中的氢对结构的影响进行了讨论.     

沉淀法合成纳米晶长余辉材料Y2O2S∶Eu3+，Ti

The long-lasting phosphorescent materials, yttrium oxysulfides doped by Eu and Ti, were systhesized by coprecipitation with their subsequent thermal decomposition in the presence of sulphur. The products were characterized by XRD, TEM, phosphorescent spectra, and thermoluminescence. The XRD results indicate that the lowest synthesis temperature is 700 ℃. From the TEM, the average diameter of particles was in the range of 60～120 nm, and augmented with the increase of temperature. The materials under UV excitation presented well afterglow from the transition of ⁵D_0,1 → ⁷F_J of Eu³⁺, and the persistent time was about 2 h. The long-lasting afterglow mechanism was discussed, too.     

氮原子在Ni平坦和缺陷表面上的吸附和振动

 构造了氮－镍相互作用的5－参数Morse势，研究了氮原子在Ni（\r\n100），Ni（110）和Ni（111）平坦表面的吸附和振动，获得了氮原子\r\n在三个低指数表面的吸附位、吸附构型、结合能和本征振动等数据，计\r\n算结果与实验结果非常吻合．同时，与Ni（100）表面对比，系统研究\r\n了氮原子在Ni（510）台阶面的吸附和扩散．计算结果表明，氮原子在\r\n台阶下部形成最稳定的吸附态，台阶对下台面上扩散的氮原子形成捕获\r\n势，对上台面上扩散的氮原子形成反射势．     

Er:Yb:KGW激光晶体生长及缺陷研究

采用顶部籽晶(TSSG)法生长ErYbKGW晶体.通过研究助熔剂的种类、组成与溶质的比例关系对晶体生长的影响,设计了合理的工艺条件转速30～40 r·min-1;拉速1～2 mm·d-1;降温生长速率0.05 ℃·h-1;降温速率15 ℃·h-1;生长周期15～20 d.通过对晶体缺陷的观察分析认为,晶体裂缝及包裹物等缺陷与生长工艺条件密切相关,应尽量减少生长过程中的温度、浓度及生长速度的波动,保持晶体的稳态生长.     

铌酸锂晶体性能的组成依赖性(英文)

总结了铌酸锂晶体的各项性能指标,显示了其对晶体实际组成的强烈依赖性.利用化学键模型定量地解释了这种依赖性产生的根源,从而说明了制约该晶体性能提高的关键因素是晶体结构中的缺陷控制.     

基于深度学习的激光剪切散斑干涉无损检测缺陷识别

剪切散斑干涉技术通过测量物体表面变形来推断其内部缺陷,具有高灵敏度、检测范围广、精度高等优点,是一种极具潜力的复合材料无损检测技术。目前缺陷识别主要采用人工方式,而人工识别不但检测效率低且受到专业性限制。为了提高剪切散斑干涉无损检测方法中的缺陷识别精度和效率,本文提出基于深度学习剪切散斑干涉缺陷识别方法。利用高精度四步相移技术获取剪切散斑相位条纹高质量成像;引入了应用广泛的YOLOv5和Faster R-CNN目标检测算法,通过实验采集了大量的缺陷图像,分别用YOLOv5和Faster R-CNN两种算法获得训练模型。然后将这两种模型分别应用于剪切散斑干涉无损检测中的复合材料缺陷检测。最后,实验从检测速率和检测精度方面对模型识别效果进行了对比分析。实验结果表明,激光剪切散斑干涉技术结合深度学习的方法能有效地实现剪切散斑干涉无损检测的缺陷自动识别,Faster R-CNN和YOLOv5的检测速率分别能达到11 f/s和50 f/s,并且两种深度学习算法的平均精度均能达到92%以上,验证了提出方法的可行性。     

基于太赫兹布拉格光纤的表面生物传感器

空心布拉格光纤在传感领域应用极为广泛。本文提出了一种基于带有缺陷层的太赫 兹(terahertz,THz)空心布拉格光纤的表面生物传感器,并对该传感器在太赫兹频段的细菌种类检测性能进行 分析。在太赫兹布拉格光纤中,高折射率光敏树脂层和低折射率空气层以纤芯为中心周期性 排列,在纤芯内壁沉积分析物引入缺陷模式。本文对提出的传感器性能进行了数值研究。仿 真结果表明,该传感器有很高的纤芯功率比,限制损耗在0.3 THz和0.45 TH z频 段有损耗峰,能得到可识别的特征频率,此特征频率用于细菌种类检测。当频率大于0.7 TH z时,该传感器可实现厚度无关的表面生物传感。本文所提出的基于太赫兹空心布拉格光纤 的 表面生物传感器可用于检测细菌种类,在微生物检测方面有很大的应用潜力。     

输电线路中的智能识别技术应用

基于案例项目,阐述输电线路智能识别在电力系统中的应用,技术方案、制定机巡输电图像缺陷样本标准、巡数据的输电线路智能缺陷识别算法、图像数据智能处理。