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51.
对加载到塑性阶段的矩形截面柱,本文研究了几何缺陷对屈曲的影响,在分析中考虑了弹性卸载的影响,求出了荷载、缺陷大小及分叉模态幅值之间的精确渐近关系式,结果表明在塑性阶段最大承载力对小缺陷非常敏感,但当缺陷大小达到某一值后,可能不存在最大载荷。 相似文献
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本文报导了石英光纤中的二次谐波产生及用透射电子显微镜观察光纤内部物质结构变化的实验结果,观察到了已“预置”光纤中缺陷的存在. 相似文献
57.
首先建立缺陷空间分布和粒径分布的模型,并讨论了缺陷通过版图产生电路错误的过程,给出了IC功能成品率模拟器XD-YES的实现。用XD-YES对微电子测试图和实际IC的功能成品率模拟和分析表明,其结果与实际符合很好,从而表明XD-YES的可行性和实用性。 相似文献
58.
Yb:GdVO4晶体是一种很好的激光材料,但缺陷会对晶体的激光性能产生严重影响,开展对该晶体的缺陷研究有助于提高晶体质量。采用提拉法生长了面25mm×20mm,掺杂浓度为2%的Yb:GdVO4晶体;分析了晶体的结构及其对晶体解理性的影响;采用化学腐蚀法,以盐酸、氢氟酸为腐蚀剂,对晶体的主要晶面进行了化学腐蚀实验,通过其腐蚀坑形貌对晶体中的位错和晶界进行了研究;对晶体进行了高分辨X衍射实验,结果表明晶体中存在镶嵌块结构;开裂及散射颗粒也为晶体中较常见缺陷。分析了缺陷的成因并提出了预防措施。 相似文献
59.
本工作采用溴加成法、酚解法、FTIR法及臭氧裂解法分别测定了五种不饱和蒸气压下聚合的PVC样品(u-PVC)和五种商品PVC样品(s-PVC)的总双键、总不稳定氯、孤立双键和内部双键的含量.通过研究结构缺陷和PVC的平均分子量及脱HCl速率的相互关系,揭示了不饱和总双键值,总不稳定氯和孤立双键含量彼此的相关性是建立在它们分别与1/Mn的相关性基础之上,从而得出了这三种定量值测得的主要都是端基烯丙基氯结构.根据三者对脱HCl速率的良好线性相关性,首次提出了端基烯丙基氯结构在HCl催化作用下异构化成内部烯丙基氯从而成为脱HCl速率主要原因的机理. 相似文献
60.
钙钛矿型La_((1 x)/2)Sr_((1-x)/2)Co_(1-x)Cu_xO_3催化CO氧化活性与表征 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了钙钛矿型LaSrCoCu_xO_3催化剂对CO氧化反应的催化活性及其表面氧的催化作用.结果表明,x=0.4的催化剂对CO氧化具有最高催化活性,常压及本实验条件下CO完全氧化的最低温度为168℃;催化剂均为氧缺陷化合物,吸附于表面晶格氧缺陷上的吸附氧是CO氧化反应的活性氧物种;并发现催化剂中存在有非常价态的C04 ,认为CO氧化反应是通过吸附氧调变Co3 和Co4 价态而进行. 相似文献