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301.
302.
303.
纳米Cu和Ag的缺陷研究 总被引:7,自引:0,他引:7
使用氢电弧等离子体方法制备纳米Cu和Ag超微粒子,这些粒子在制备过程中自动地高温溶氢.同时使用相近的电源功率的惰性气体蒸发法制备纳米Cu和Ag.分别将各种样品在低温退火,同时使用TEM监测粒子的大小,选择最佳退火温度制成标准样品.使用TEM,HRTEM,XRD线形精炼与Fourier分析方法研究了纳米Cu和Ag中的缺陷.发现了纳米Cu和Ag的x射线衍射线形的非对称性并研究了其物理意义.用Fourier分析方法计算得到纳米Cu和Ag中的孪晶几率.并对于纳米材料中的氢对结构的影响进行了讨论. 相似文献
304.
305.
本文通过有关理论依据和试验数据,着重阐述了在显像(示)管测试中,阴极像中心黑洞状缺陷产生的原因以及消除这种缺陷的处理方法。通过这种处理方法处理过的显像(示)管,其整体质量水平(尤其是真空度)将会得到明显的提高。 相似文献
306.
307.
对磷酸二氢钾(KDP)晶体中Na取代K点缺陷的几何结构及电子结构进行了第一性研究。计算的形成能约为0.46 eV,因此在KDP晶体中此类缺陷比较容易形成。Na取代K以后没有在带隙中形成缺陷态,但在价带中引入两个占据态。它们分别位于费米面以下49 eV和21.5 eV处,这两个占据态分别由Na原子的s和p轨道形成。相对于K来说,由于它们位于价带深处,具有很低的能量,因此Na在KDP中比K稳定。Na在KDP晶体中与周围氧原子的重叠布居仅为0.09, 故它不与主体原子发生共价作用,仅以静电库仑力影响周围原子,此缺陷周围晶格仅发生微小畸变。 相似文献
308.
杆—杆型复合挤压过程工件杆部表面裂纹缺陷的预测 总被引:3,自引:0,他引:3
采用则塑性有限元法杆-杆型复合挤压过程进行了数值模拟,在此基础上,根据模拟计算得到的变形体内的应力、应变场的变化,采用质点跟踪技术,运动韧性断裂准则,对金属变形产生的式件杆部表面裂纹缺陷进行预测,实验结果表明,数值计算结果与实验相当吻合。此项研究对于中工艺模具提高产品质量方面具有指导性意义。 相似文献
309.
用真空镀膜方法制备了含有单个CdS缺陷层的具有不同周期和结构参量的TiO2/SiO2一维光子晶体。用抽运一探测技术研究了CdS缺陷层的双光子吸收(TPA)现象。实验结果表明:一维光子晶体中CdS缺陷层的双光子吸收显著增强。不同周期和结构参量的一维光子晶体中CdS缺陷层的双光子吸收系数不同。双光子吸收的增强来源于由光局域化导致的缺陷层的电场强度的增加。缺陷层电场强度与一维光子晶体的结构有关,如周期,光子带隙的位置与宽度及缺陷模式等因素都会影响缺陷层电场强度。采用四分之一波长的高低折射率介质层和与入射波长匹配的缺陷模可以得到最大的缺陷层电场强度。 相似文献
310.
利用强流脉冲电子束(HCPEB)装置对金属纯Ni进行轰击,采用X射线衍射及透射电子显微镜(TEM)技术详细分析了受轰击样品的变形结构和缺陷。X射线衍射分析表明,经强流脉冲电子束处理后,在{111}和{200}晶面出现了择优取向。TEM表层微观结构分析表明:强流脉冲电子束轰击1次和5次后,晶粒内部形成了大量的(111)[112]型波状条带结构,在波状条带内部包含大量平行的(200)[110]型微条带;10次轰击后,样品变形结构发生变化,除大量的条带状结构外,变形孪晶的数量明显增多。这些变形微结构不仅影响表层的织构演化行为,而且还能细化晶粒,强流脉冲电子束技术为制备表面纳米材料提供了一条有效的途径。 相似文献