基于改进YOLOv5的X射线图像铸件缺陷实时检测

铸件缺陷检测是一项重要的质量管理程序。为了避免人为因素的影响,提高检测精度,对YOLOv5s6的目标检测算法进行改进,用于X射线图像的铸件缺陷检测。首先设计了一种C3CA模块用于捕获跨通道、方向感知和位置感知的信息。然后通过在骨干网络中融合多头自注意力机制来捕获局部与全局信息。最后采用Focal-EIoU Loss损失函数。实验结果表明:在相同训练条件下,改进后YOLOv5s6的AP50值达到了90.2%,F1因子达到了87.8%,相较原始模型分别提高了3.4%和2.3%,具有检测准确率高、实时性强等特点。     

生长条件及退火处理对磷化铟单晶结构完整性的影响

利用X射线双晶衍射(XRD)技术研究了原生及退火处理后的磷化铟单晶的晶格完整性.原生磷化铟单晶中由于存在着大量的位错和高的残留热应力,导致晶格产生很大的畸变,表现为XRD半峰宽的值较高并且分布不均匀,甚至有些原生的磷化铟单晶片出现XRD双峰等.通过降低晶体生长过程的温度梯度,降低位错密度并减小晶体中的残留热应力可以提高晶体的完整性.利用高温退火处理也可有效地降低磷化铟晶体中的残留热应力.对磷化铟晶体生长过程中熔体的配比、掺杂浓度等条件对结构完整性的影响进行了分析.     

YBCO／Y－ZrO＿2／（1120）蓝宝石多层膜超导材料的分析电镜研究

我们在具有Ｙ稳定的ＺｒＯ＿２（ＹＳＺ）层的蓝宝石上获得高质量的ＹＢａ＿２Ｃｕ＿３Ｏ＿７（ＹＢＣＯ）高温超导薄膜。在零磁场下，７７ｋ时，其临界电流密度达到１．６×１０￣６Ａ／ｃｍ￣２。本文确定了多层膜超导材料的取向关系。ＹＢＣＯ膜的（００１）面平行于ＹＳＺ过渡层的（１００）表面。ＹＳＺ层厚为２０ｎｍ。并且，由于Ｂａ自ＹＢＣＯ层的外扩散，ＹＳＺ层含有Ｂａ。尽管蓝宝石与ＹＳＺ层间的晶格铅配很大，由于ＹＳＺ层具有［１００］择优取向，仍能获得准单晶的ＹＢＣＯ薄膜。在ＹＢＣＯ薄膜中，观察到均匀分布的、微小尺寸的Ｙ＿２ＢａＣｕＯ＿５（２１１相）沉淀粒子，它们也有利于提高临界电流密度。     

基于盲源分离和时频分析的漏磁信号处理

利用独立分量分析的冗余取消特性,对多维加噪声观测信号进行盲源分离,得到源观测信号,实现噪声的有效消除,文章中应用此方法处理了仿真漏磁缺陷信号,实验结果表明:该除噪方法能极大提高漏磁信号的信噪比,且其效果要优于小波变换除噪方法.漏磁缺陷信号在时域上波形非常相似,很难加以分辨,而它们的危害性却大不相同,文章对裂纹和凹坑缺陷信号进行小波包分解,根据信号特征自适应的产生一组最优基来表征信号,分析这两种缺陷的时频特性,准确识别出这两种缺陷.     

Effects of Cu-Wire Surface Fluctuations on Early Failures

不同化学机械抛光剂使单层大马士革Cu导线表面起伏程度不同.扫描电镜观察到明显的缺陷出现在大起伏的Cu导线表面.这种表面缺陷导致早期失效比率剧增至几乎100%,电迁移寿命猛降至早期失效的量级,失效时间分布从多模变为单模.其相应的失效机制激活能为0.74±0.02eV,说明失效主要是由Cu原子沿导线表面扩散引起的.最弱链接近似被用来分析单根Cu导线:Cu导线被适当均分为若干相互串联、失效机制不同的Cu块,任何一个Cu块的失效都会使整根Cu导线失效.分析结果表明,虽然表面缺陷不是最快的失效机制,但大起伏Cu导线的表面缺陷密度是另一种的10倍以上,这是其早期失效比率高和可靠性较低的主要原因.     

不同层面缺陷地对功率放大器的影响

论述了位于不同层面的缺陷地结构(DGS)应用于功率放大器的设计。一种是在微带线的两侧接地面刻蚀DGS,另一种是在微带线的背面接地刻蚀DGS,通过ADS Momentum仿真确定DGS的尺寸,并将这两种DGS应用到一款4 W功率放大器中进行仿真和实际制板测试。实测结果显示在微带线两侧接地面刻蚀DGS的功率放大器在输出功率为34.76 d Bm时改善二次谐波13 d B,且输出功率和功率附加效率(PAE)优于不刻蚀DGS的功率放大器。在微带线背面接地面刻蚀DGS的功率放大器在输出功率为34.21 d Bm时改善二次谐波28 d B,由于DGS结构改变了正面微带线的特征阻抗,所以输出功率和功率附加效率低于不刻蚀DGS的功率放大器。     

玻璃中CdSeS纳米晶体的生长及其性能

对掺有镉、硒、硫的玻璃在500—800℃退火2—24h,生长了不同尺寸的CdSxSe1x纳米晶体.用分光光度计和光致发光光谱(PL)分析了纳米晶体的性能.退火温度低于550℃,纳米晶体处于成核阶段,600—625℃处于正常扩散生长阶段,700—800℃处于竞争生长阶段;而650℃处于两种生长阶段之间.虽然650℃下生长的纳米晶体的尺寸分布比较窄,但纳米晶体的尺寸随退火时间的延长几乎不变,在该温度改变退火时间很难改变纳米晶体的平均尺寸.在所有样品中出现了深能级缺陷,在650℃退火时间小于4h或大于16h有利 关键词： 纳米晶体 生长机理 深能级缺陷     

相变及空位缺陷对高压下GeO_2光学性质的影响

本文采用第一性原理方法,在100 GPa的压力范围内,计算了GeO_2理想晶体和含锗、氧空位点缺陷晶体的光学性质.吸收谱数据表明,压力诱导的三个结构相变对GeO_2晶体的吸收谱均有影响:第一个相变将导致其吸收边蓝移,而第二和第三相变将使得其吸收边红移.锗和氧空位点缺陷的存在将导致GeO_2的吸收边红移,但氧空位点缺陷引起的红移更明显.尽管如此,分析发现,在100 GPa的压力范围内,压力、相变以及空位点缺陷等因素都不会导致GeO_2晶体在可见光区出现光吸收现象(是透明的).波长在532 nm处的折射率数据显示,在GeO_2的四个相区,其折射率均随压力增加而降低;而且,GeO_2的三个结构相变以及锗、氧空位点缺陷都会导致其折射率有所增大.本文预测,GeO_2有成为冲击光学窗口材料的可能.     

含缺陷的二维CuI光电性质的第一性原理计算

基于密度泛函理论计算了本征缺陷时二维CuI的光电特性,分析了能带结构以及复介电函数.本征2D CuI的带隙值为1.56 eV,为直接带隙半导体;I和Cu缺陷的引入使2D CuI的带隙值小,Cu缺陷的引入并未改变2D CuI的带隙方式,而I缺陷的引入使2D CuI变为间接带隙半导体.光学性质计算结果表明本征2D CuI的静介电函数为2.47, I缺陷的引入对2D CuI的静介电函数影响较小,但是在Cu缺陷时2D CuI的静介电函数急剧增大.     

含负折射率材料的1维光子晶体掺杂缺陷模研究

为了研究含有负折射率材料的光子晶体掺杂缺陷模的光学传输特性,利用传输矩阵理论进行数值分析.采用插入和替代两种方式对排列整齐的光子晶体进行掺杂,产生了缺陷模式.结果表明,引入正折射率缺陷只能在布喇格带隙中产生缺陷模,引入负折射缺陷能够同时在全方位光子带隙和布喇格带隙中产生缺陷模.同时研究了掺杂方式、入射方向、缺陷厚度、缺陷位置、缺陷类型对缺陷模式的影响,并对含有两层缺陷的光子晶体进行研究,得到两缺陷层的距离与带隙产生的关系,即距离越近越容易产生缺陷模式,且缺陷模的深度越深.这对于制造新型的全方位滤波器是有指导作用的.