AOI系统在PCB中的应用

针对PCB制造过程中的缺陷,主要介绍自动光学检测(AOI)系统的作用、工作原理、生产流程、主要组成部分及主要技术模块。     

用光监控通道实现WDM网络的管理

比较了WDM网络特征信息的几种传输方法,给出了适合在监控信道中传输的开销内容。在此基础上,以城域WDM网络为例,给出了OSC中各种开销的处理过程和城域WDM网中OSC子系统的实现实例。为了适应智能光网络管理的需要,未来的光监控通道需要大约100Mbps的带宽。     

低缺陷密度和平整表面的硅基砷化镓外延

Device-quality GaAs thin films have been grown on miscut Ge-on-Si substrates by metal-organic chemical vapor deposition. A method of two-step epitaxy of GaAs is performed to achieve a high-quality top-layer. The initial thin buffer layer at 360 ℃ is critical for the suppression of anti-phase boundaries and threading dislocations. The etch pit density ofGaAs epilayers by KOH etching could reach 2.25 × 10^5 cm^-2 and high-quality GaAs top epilayers are observed by transmission electron microscopy. The band-to-band photoluminescence property of GaAs epilayers on different substrates is also investigated and negative band shifts of several to tens of meVs are found because of tensile strains in the GaAs epilayers. To achieve a smooth surface, a polishing process is performed, followed by a second epitaxy of GaAs. The root-mean-square roughness of the GaAs surface could be less than 1 nm, which is comparable with that of homo-epitaxial GaAs. These low-defect and smooth GaAs epilayers on Si are desirable for GaAs-based devices on silicon substrates.     

CeO_2掺杂引起SnO_2压敏电阻的晶粒尺寸效应

研究了掺CeO2对SnO2Co2O3Ta2O5压敏电阻器性能的影响。研究发现:随着x(CeO2)从0增加到1%,压敏电压从190 V/mm增加到205 V/mm,相对介电常数从3 317减小到2 243,晶粒平均尺寸从12.16 mm减小到6.23 mm,在晶界上的Ce4+阻碍了SnO2晶粒的生长。为了解释样品电学非线性性质的起源,笔者提出了SnO2Co2O3Ta2O5CeO2晶界缺陷势垒模型。同时,对该压敏电阻器进行了等效电路分析,试验测量与等效电路分析结果相符。     

红外技术定量诊断设备内部缺陷可行性的理论证明

阐述了用红外技术与求解导热反问题相结合对三维圆柱形工业设备内部缺陷进行定量计算的方法，从理论上证明了求解的可行性。在已知设备的表面温度分布情况下，求解几何形状部分未知的传热学反问题将导致一非线性方程的求解，用牛顿迭代法对该方程数值求解可准确定出设备内部缺陷的位置及尺寸。     

带钢表面缺陷往线监测系统

应用机器视觉技术对冷轧带钢表面缺陷进行快速、准确的在线非接触监测。IMAQ Vision将机器视觉和虚拟仪器结合在一起。在LabVIEW虚拟仪器平台上开发的带钢表面缺陷监测系统,采用了自动对焦、直方图分析、LUT变换、域值分析、颗粒分析、几何变换、边缘检测、图像还原、模式匹配等图像处理技术对带钢各种缺陷如边浪、辊面压痕、油污印记、褶皱等进行自动识别,测量结果利用计算机进行数据库存储和网络传输以及系统高有学步功能,同时在线对设备参数进行矫正,并且判断设备可能存在的故障。     

一种轮胎X射线图像缺陷提取和分割方法

针对轮胎X射线图像对比度不高、图像噪声多和存在较大背景起伏的特点,提出一种基于平滑滤波和灰度校正的轮胎X射线图像缺陷提取和分割方法。首先采用平滑滤波的方法,消除带束层帘线影像和图像中的高频噪声;然后依据整幅图像的灰度均值和图像中每个像素的邻域内部灰度均值的比例关系,对像素的灰度进行校正;最后对校正后的图像进行二值化处理,完成对轮胎X图像的分割。实验结果表明,该方法能够有效地实现轮胎X射线图像缺陷的提取和分割。     

In2O3纳米线制备及其特性

使用管式加热炉成功地制备出In2O3纳米线.通过扫描电子显微镜可以看到样品为In2O3纳米线;X射线衍射分析证实该材料是立方结构的In2O3;X射线光电子谱分析发现该In2O3中存在大量氧缺陷;光致发光谱研究显示制得的In2O3纳米线有比较强的发光现象,主要集中在紫外光谱区.同时对反应的气相-固相(V-S)生长机理和In2O3的光致发光机理进行了详细分析.     

缺陷型内包层双包层光纤吸收效率研究

缺陷型内包层双包层光纤由于其特殊的内包层横截面结构,对于光波的吸收效率要比理想圆型内包层双包层光纤提高许多.由于射线法在分析光波在光纤中的场分布、传播功率等情况时有其局限性,因此,文章改用波动理论对缺陷型内包层双包层光纤进行分析,试图找出不同类型的缺陷型内包层双包层光纤单位距离内吸收效率的差异.     

A Novel Algorithm to Extract Weighted Critical Area

导体故障分析是一种列举与缺陷有关的集成电路版图中可能出现桥连的技术,计算带权关键面积是限制其性能的主要因素.文中提出了一种基于数学形态学和真实缺陷矩形模型提取带权关键面积的新算法,该算法不需要将版图上的线网拆分为矩形,也不需要合并矩形对的带权关键面积.实验结果验证了新算法的有效性.