SMT测试技术

主要介绍了当前用于检测组装后PCB的缺陷和故障的一些常见测试技术 ,并对未来的发展趋势进行了初步探讨     

基于刻蚀工艺的IC关键面积计算模型与实现方法

在IC的制造过程中,由于工艺的随机扰动,过刻蚀和欠刻蚀造成了导线条的宽度和线间距的变化.论文在分析过刻蚀和欠刻蚀对IC版图影响的基础上,提出了基于工艺偏差影响的IC关键面积计算新模型和实现方法.模拟实验表明模拟结果与理论分析是一致的.     

分子束外延生长3英寸HgCdTe晶片

报道了用分子束外延的方法制备3英寸HgCdTe薄膜的研究结果,获得的HgCdTe外延材料均匀性良好,在直径70mm圆内,组份标准偏差率为1.2%,对应80K截止波长偏差仅为0.1μm.经过生长条件的改进,表面形貌获得了大幅度改善,缺陷密刃∮00cm-2,缺陷尺寸小于10μm,可以满足大规模HgCdTe焦平面列阵的应用需求.抖     

光学材料微缺陷引起的损伤机理及后处理

采用时域有限差分方法（FDTD）进行元件表面微结构电磁场分布的数值模拟；同时实验分析了化学湿法刻蚀对光学元件表面面形及粗糙度、激光损伤阈值等的影响。     

BGA芯片的制球重新利用

手机主板中有很多芯片是BGA封装的，而回流焊期间会出现一定比例BGA焊接缺陷，如虚焊、短路等等。对于这种BGA的维修，一般只是把这个芯片取下，然后重新焊上新的芯片。可是取下的芯片就没用了，实际上很多这类芯片本身并没有坏，如果给芯片重新制球，就可以重新利用，从而节约成本。     

HI—V族化合物半导体的高能重离子辐照缺陷研究·

用正电子湮没寿命谱技术研究了2.4×1O15/cm2、2.2×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照N型GaP和1.6×1016/cm 2注量的85MeV19F离子辐照P型InP所产生的辐照缺陷.结果表明:两种注量辐照在GaP中均产生较高浓度的单空位.其浓度随着辐照注量的增大而增加;辐照也在InP中产生较高浓度的单空位.     

在激光焊接中对烧穿、错边、间隙过大等缺陷的实时监测

利用激光焊接过程中等离子体发出的特征光声信号强度的变化，提出一种实时监测错边、烧穿、间隙过大三种缺陷的方法。     

特征提取在硅内部微/纳米级体缺陷检测中的应用

提出了一种利用特征提取来对硅中微/纳米级体缺陷的激光散射图样进行分析,以获得缺陷大小信息的分析方法.给出了该方法中第一特征值和第二特征值的定义,指出通过所提出的第一特征值及第二特征值即可迅速地判断出缺陷的大小量级所在.这种分析方法具有分析速度快,在体缺陷小于1μm时分辨率高,且可使系统实现自动化等优点.     

显像（示）管阴极像黑洞状缺陷形成的原因及消除对策

本文通过有关理论依据和试验数据，着重阐述了在显像（示）管测试中，阴极像中心黑洞状缺陷产生的原因以及消除这种缺陷的处理方法。通过这种处理方法处理过的显像（示）管，其整体质量水平（尤其是真空度）将会得到明显的提高。