为网络更安全再次吹响WAPI的进军号

今年世界电信日的主题是“让全球网络更安全”，这说明，在全球信息化高速发展的今天，全球网络的安全问题已经引起人们的高度关注。在无线局域网的发展方面，WLAN存在的安全缺陷，给人们的生活、工作带来很多不便甚至造成很大的经济损失，已经成为其发展过程中的一大瓶劲。WAPI是我国于2003年5月提出的无线局域网国家标准，它提供了优秀的认证和安全机制，受到了我国政府和业界的大力支持。几经波折的WAPI在今年3月7日正式成立产业联盟，此举无论对WAPI还是对我国无线局域网的发展都将具有里程碑的意义。WAPI的实施不仅会保障我国无线局域网的健康发展，也将会对全球网络安全做出应有的贡献。[编者按]     

6σ设计水平的评价

在介绍6σ设计概念和目标的基础上，给出设计水平与百万机会缺陷数(DPMO)关系的计算表达式和关系曲线，并开发了计算机模块，能自动计算与不同设计水平对应的DPMO值，也可以根据实际的DPMO值，自动评价达到的设计水平。     

区熔硅近表面洁净区和体内微缺陷的形成

中子辐照区熔(氢)硅片经退火后在近表面形成洁净区,在硅片内部形成体内微缺陷.微缺陷的形成与中子辐照造成的损伤及单晶硅内氢杂质的催化加速有关,还与后续退火条件有关.第一步退火的温度对微缺陷的尺度有很大的影响,中低温要比高温所形成的微缺陷小.在退火过程中微缺陷有一个生长过程,1100℃退火2h微缺陷已达最大.硅片表面的粗糙度影响表面洁净区的形成,洁净区出现在未抛光面,双面抛光硅片不会形成表面洁净区.     

KLA-221掩模缺陷自动检测仪简介

本文简要介绍了KLA-221掩模版缺陷检查仪的组成,对其电控部分的头放大器、伺服系统,自动聚焦系统和对准系统的整体考虑及采用的技术作了较详尽的叙述。     

BGA芯片的制球重新利用

手机主板中有很多芯片是BGA封装的，而回流焊期间会出现一定比例BGA焊接缺陷，如虚焊、短路等等。对于这种BGA的维修，一般只是把这个芯片取下，然后重新焊上新的芯片。可是取下的芯片就没用了，实际上很多这类芯片本身并没有坏，如果给芯片重新制球，就可以重新利用，从而节约成本。     

图形电镀中渗镀、短路、断路成因的分析及对策

本文主要阐述印刷电路板的图形电镀中渗镀、短路、断路等缺陷的成因和形状,以查来源→生产→找缺陷方式,了解缺陷形状,并试图运用对形状的掌握来分析实际生产缺陷造成的来源,以期有的放矢控制,从而保证印刷电路板产品品质,提高良品率。     

低缺陷掺氮直拉硅单量抛光片

该产品采用气相掺氮技术，即氮气既作为保护气，又通过与硅熔体反应掺入熔体，是硅晶体中氮的来源，解决了气相掺氮掺入量控制的难题。用气相（氮气）直接掺氮，操作简便，成本低廉，但需要用特殊方法精确控制掺入量。     

浅谈室内软光缆的结构缺陷以及阻燃材料的发展方向

室内光缆在我国的应用刚刚开始，有些相关的生产厂商还没有网络布线的经验，这就导致了布线产品存在着这样或那样的缺陷。这样有可能增加了系统的成本和故障率，还可能留下严重的隐患。随着宽带网如火如荼的建设，光纤正逐步向用户延伸，室内软光缆的使用将逐年得到增加，据统计目前室内光缆所用光纤占光纤总用量的5％左右，专家预测到2010年左右会迅猛增长，最终将占全国光纤总需求量的10％～15％，因此有必要在此就目前室内光缆存在的结构缺陷以及阻燃材料的使用现状及其发展方向进行分析。     

面向对注氢硅片中微结构的影响

把不同面向的注氢硅片制成横截面样品,在高分辨率透射电子显微镜下进行观察,发现衬底面向对其中的微结构有明显的影响.首先表现为衬底中主要出现平行于正表面的氢致片状缺陷,即(100)衬底中,主要出现平行于正表面的{100}片状缺陷,而(111)衬底中出现的主要是平行于正表面的{111}片状缺陷.其原因是注入引起垂直正表面的张应变.另外,面向的影响还表现为,(100)衬底中出现的{113}缺陷在(111)衬底中不出现.在(111)衬底中出现的晶格紊乱团和空洞在(100)衬底中不出现.从而推测,{111}片状缺陷的形成不发射自间隙原子,而(100)片状缺陷的形成将发射自间隙原子.