ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上射频溅射ZnO∶Al薄膜的SEM研究

结合ZnO薄膜在Cu-III-VI2基薄膜太阳电池上的应用，采用射频磁控溅射技术以陶瓷ZnO∶Al2O3为靶材在ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上于固定沉积条件下低温（200℃）制备了铝掺杂氧化锌（ZnO∶Al）薄膜. 运用扫描电子显微镜研究了底层材料特别是ZnS和CuInS2的生长参数对沉积的ZnO∶Al薄膜的表面形貌的影响. 实验发现，衬底材料中硫含量的增加（无论来自ZnS还是来自CuInS2) ，都会引起沉积ZnO∶Al薄膜结晶质量的提高，而金属含量的增大将有利于薄膜均匀性的改进.     

Ge_xC_(1-x)非均匀增透保护膜系的设计和制备

用射频磁控反应溅射法 (RS)制备出 Gex C1-x薄膜 ,其折射率可以在 1 .7～ 4.0之间变化。设计出单层 Gex C1-x非均匀增透保护膜和含有 Gex C1-x非均匀膜的多层增透保护膜系 ,并在 Zn S基片上制备出 Gex C1-x单层非均匀增透保护膜。设计和实验结果表明 ,Zn S衬底上制备的非均匀膜实现了宽波段的增透 ,在 5 0 0 0～ 85 0 cm-1波数范围内 ,平均透过率从 6 7.1 9%提高到 78.70 % ,比未镀膜净增加 1 1 .5 1 %。     

溶胶-凝胶法制备硼硅玻璃掺杂BST陶瓷的研究

研究了Si-B-O系玻璃掺杂对钛酸锶钡(BST)陶瓷的相结构和介电性能的影响.实验结果表明,当x(SiO_2)＞10%时,Si-B-O系玻璃掺杂BST陶瓷易出现杂相,即Ba_2TiSi_2O_8相.x(SiO_2)≤10%,Si-B-O系玻璃掺杂BST陶瓷粉体的相结构为立方钙钛矿相结构,其合成温度大于等于600 ℃,不存在第二相. Si-B-O系玻璃掺杂BST陶瓷的烧结温度低于传统工艺.Si-B-O系玻璃掺杂BST陶瓷的显微结构呈细晶结构(晶粒尺寸＜1 μm).随玻璃含量的增加,Si-B-O系玻璃掺杂BST陶瓷介电常数ε降低,介电峰变低,平坦,峰形宽化,介电损耗降低,居里温度TC向低温移动.     

利用SBS调Q的铒玻璃激光器模型

文章在前人的工作基础上,建立了适合于研究用受激布里渊散射（ＳＢＳ）进行调Ｑ的铒玻璃激光器的理论模型。利用该模型可以研究激光器的输出功率、脉冲宽度等特性。     

Zr基金属玻璃电子输运性质的研究

在4—300K 的温度区间内,测量了金属玻璃 Zr_(100-x)Co_x(x=22,28,33.2)和Zr_(66.7)M_(33.3)(M=Fe,Ni,Cu)的电阻温度关系.实验指出,这两组典型的 Zr 基金属玻璃的电子输运性质,有着共同的规律性.分析表明,在10K80K 时,这种规律与现有的理论有较大的偏离,对这种偏离出现的可能起因作了讨论.     

抛光粉颗粒度对高功率激光玻璃材料抛光效率和粗糙度的影响

磷酸盐钕玻璃、熔石英和BK7是3类用于激光惯性约束聚变(ICF)装置主要光学元件材料.实验中采用不同平均粒径的氧化铈抛光粉对上述3类材料分别进行抛光,对特定材料抛光去除量和抛光粉平均粒径的关系进行了研究.实验表明:由于材料的物理和化学特性不同,特定的材料需选用相应平均粒径大小的抛光粉才能达到最佳的抛光效率.实验还就上述3类高功率激光玻璃材料抛光中各个阶段的抛光粗糙度与抛光粉平均粒径的关系进行了研究,结果表明:某一规格抛光粉的粒径对不同特性材料抛光后的表面粗糙度影响表征情况不同.     

强激光装置中玻璃疵病在线检测的光学系统设计

介绍了一种用于玻璃疵病在线检测的近摄工作距成像光学系统,其光组结构形式采用了光阑后置的准远心结构形式,主要光学参量为f′=14 mm;在物像距为250 mm约束条件下,物方视场达到90 mm（对角线）;F/number=3.56;光谱适应范围为400~800 nm,对应的空间分辨率为100 lp/mm时,调制传递函数大于0.29.     

硫系玻璃光子晶体光纤研究进展

硫系玻璃与石英玻璃相比具有折射率高(2.0～3.5)、声子能量低(小于350 cm-1)、优良的中远红外透过性能、较宽的组分可调等特性.近年来,硫系玻璃光子晶体光纤作为一种新型中红外光子晶体光纤备受关注.回顾了硫系玻璃光子晶体光纤研究历程,从玻璃组成选择、光纤制备与损耗的降低、传输特性和结构设计、色散特性及应用等方面总...     

Zr掺杂CBS微晶玻璃结晶相的定量分析

在850℃下制备了Zr掺杂CaO-B2O3-SiO2(CBS)微晶玻璃。采用Rietveld全谱拟合法分析了所制微晶玻璃中各结晶相的相对含量,以及分峰法计算得到微晶玻璃的结晶度,从而分析出Zr掺杂CBS微晶玻璃中各结晶相的含量。与内标法计算结果比较,该方法计算得到的结晶度相对误差为1.35%,结晶相绝对含量的最大相对误差为5.47%。该方法可用于定量分析含有结晶相和非晶相的其他多组分材料,为其提供理论分析的依据。