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雷达系统中天线控制电路完成上位机的初始化和扫描角度控制,要求具有高可靠性和低静态电流,用专用集成电路进行设计具有明显优势.采用Verilog HDL语言描述了系统的逻辑功能,超前进位结构的加/减法器提高了电路的工作速度.利用0.6 μm CMOS工艺完成了天线控制电路的物理实现,芯片面积为1.695 mm×1.631 mm. 相似文献
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硅光电负阻器件的构成原理与分类 总被引:1,自引:0,他引:1
郭维廉 《固体电子学研究与进展》2002,22(1):120-126
将三端负阻器件与硅光电探测器相结合 ,通过新的构思成功地提出并构成了一类新型光电器件——硅光电负阻器件。文中报道了该器件构成的一般性原理 ,以及依据此构成原理确定的分类方法 相似文献
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本文设计了用于千兆以太网基带铜缆接收器均衡的甚高频自适应连续时间Gm-C二阶带通滤波器。基于最陡梯度下降算法,带通滤波器的零点在57-340MHz的频率范围内可以自适应地调节,中心频率为1.278GHz。通过外接电阻伺服环路,滤波器中跨导转换器的跨导值不受工艺偏差和温度变化的影响,采用CSMC-HJ0.6μm CMOS工艺器件模型,用Cadence Spectres仿真器仿真了设计的自适应滤波器电路,仿真结果验证了设计原理和设计的电路。系统的最长学习时间为880个参考时钟周期。 相似文献
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Structural and Electrical Characteristics of Pb(Zr0.53,Ti0.47)O3 Thin Films Deposited on Si (100) Substrates 总被引:1,自引:0,他引:1
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Pb(Zr0.53, Ti0.47)O3 (PZT) films were directly deposited on Si substrates without a buffer layer by pulsed laser deposition. Only(110)-oriented PZT peaks (other than Si substrate peaks) were observed from the XRD data. The electrical properties of the PZT/Si capacitor were characterized in terms of both the capacitance versus voltage (C-V) and current versus voltage (I-V) measurements. The clockwise trace of the C-V curve shows ferroelectric polarization switching, as is expected. From the I-V curves, the Schottky emission and spacecharge-limited-current behaviour are found to be the mainly leakage current mechanism in a certain electric field range in the negative and positive bias, respectively. 相似文献