基于IR1167的智能同步整流控制

引言 随着近年来数字处理电路电压的不断降低，电源功率密度的不断提高，对于电源次级整流的要求越来越高。整流器件已从最初的肖特基二极管整流，发展到用同步整流开关管替代二极管，以降低功耗。目前，控制同步整流开关管的方法主要有分立式和基于锁相环的控制芯片两种。用分立元件实现同步整流的缺点是响应过慢，系统可靠性相对差。单芯片同步整流是基于锁相环技术的，从初级取信号同步控制次级整流开关管，这种方法的缺点是不能保证在间隔模式（轻载或空载时发生）下可靠操作。     

中压变频器在宣钢炼钢厂除尘风机中的应用

本文介绍了SIMOVERT MV中压变频器在宣钢炼钢厂一次除尘风机中的应用情况。变频器现场运行表明，采用中压变频器对转炉除尘风机进行调速节能获得了成功，节能效果明显。     

LT3470：微功率降压型DC／DC转换器

凌特公司推出一款在ThinSOT封装中集成了升压与箝位二极管的40V微功率降压型DC／DC转换器LT3470。该器件输入电压范围4V～40V，可提供200mA的输出电流，适用于2节锂电池、交流适配器或汽车电源应用。突发模式(Burst Mode)运行可使静态电流降至26μA，外形尺寸仅为50mm^2，可以用于空间受限的应用。     

Sansalvamide A固相合成新方法

报道了Pd催化丁基二乙基硅烷树脂与N-Boc-4-溴代苯丙氨酸甲酯直接反应形成Si—Ar键一步构建出硅基连接分子的新方法, 并采用Boc策略增长肽链, 以PyBOP (benzotriazole-1-yl-oxy-tris-pyrrolidino-phosphonium hexafluoro- phosphate)为环合剂固相合成了sansalvamide A.     

Effect of Hydrogen Implantation on SIMOX SOI Materials

Hydrogen ions were implanted into separation by implantation of oxygen (SIMOX) silicon-on-insulator (SOI) wafers near the oxygen-implantation-induced damage peak under different conditions of energy and dose. It was found that the implanted hydrogen ions not only accelerate the diffusion of oxygen atoms from the annealing ambience into the wafer but also cause an outward diffusion of oxygen atoms in the buried oxide (BOX) layer. Thus, greatly broadened buried oxygen-rich (BOR) layers were formed in our experiments, which are 18%-79% broader than the BOX layer of standard SIMOX SOI wafers under the same conditions of oxygen implantation. The mechanism was discussed. A potential low cost method to fabricate SIMOX SOI wafers is proposed.     

用激光从硅表面剥离氢原子

美国一研究小组实现了科学家们长期以来的目标：利用激光破坏某些分子的化学键。他们利用激光代替加热的方法将氢原子从硅表面剥离开来，这是计算机芯片和太阳能电池制造过程中的一个关键步骤。     

硅尖阵列-敏感薄膜复合型阴极真空微电子压力传感器特性的测试

封装、测试了硅尖阵列-敏感薄膜复合型阴极的真空微电子压力传感器，在计算机模拟计算的基础上，对封装好的真空微电子压力传感器进行了实物测试，得出实物测试场发射电流曲线（开启电压低，发射电流曲线与计算机模拟曲线一样，电压45V时发射电流可达到86mA，平均每个硅尖为21μA）、压力特性曲线（呈线性变化，与计算机模拟计算的曲线相近）及灵敏度数据。电压1.5V即可测试并且其压力特性成线性变化，灵敏度为0.3μA/kPa。     

用于微波/射频集成电路的一种新型低损耗介质——多孔硅及氧化多孔硅厚膜

提出在单片微波集成电路(MMIC)中用多孔硅/氧化多孔硅厚膜作微波无源器件的低损耗介质膜.研究了厚度为70μm的多孔硅/氧化多孔硅厚膜在低阻硅衬底上的形成,这层厚膜增加了衬底的电阻率,减少了微波的有效介质损耗.通过测量在低阻硅衬底上形成的氧化多孔硅厚膜上的共平面波导的微波特性,证明了在低阻硅衬底上用厚膜氧化多孔硅可以提高共平面传输线(CPW)的微波特性.     

三缺位杂多阴离子PW_9(O_(34))~(9-) 的二苯基硅衍生物的合成和表征

以Na8 H[PW9O3 4 ]·nH2 O与Ph2 SiCl2 为原料于乙腈中合成了三缺位杂多阴离子的二苯基硅衍生物(TBA)3[α-A -PW9O3 4 (Ph2 Si)3 ](TBA为四丁基铵盐的缩写)(记为I),并由元素分析、红外光谱、紫外光谱对化合物进行了表征,结果表明,二苯基硅通过六个Si-O -W桥键填充到三缺位杂多阴离子的骨架上,形成了开环的饱和笼形结构.热分析结果表明,该化合物的热分解温度在 4 95.2℃左右     

Tesla变压器型电子束加速器初步实验

 介绍了一种Tesla变压器型的强流电子束加速器。当变压器初级输入20kV左右的电压时，加速器二极管输出电压500kV，电流9kA，信号脉宽大约50ns，该装置具有结构简单，安装方便，运行可靠等特点。