IDT推出预处理交换芯片增强无线基础设施效能

Silicon Laboratories日前针对以太网络用电装置（Powered Device，PD）应用推出业界最高集成度的IEEE802．3af以太网络供电（Powerover Ethernet，PoE）控制器。Si3400是唯一内置二极管桥式电路（diode bridge）、瞬时突波抑制电路和开关稳压器FET晶体管的PD控制器。Si3400控制器的高集成度大幅减少元器件用料和电路板面积，     

优化移动多媒体传输链的功耗

消费者对于移动多媒体的需求是毫无疑问的，满足这些需求的技术已经开发成功，对于设计人员而言，剩下的问题就是如何利用这些技术，并将成功的产品带入市场。本文将讨论如何减省移动多媒体设备内关键元件的功耗，此外也会对现今移动多媒体设备设计人员所面对的工程挑战作出概括的分析，并就目前及新涌现的硅技术，提出可克服这些工程挑战的解决方案。     

基于LCoS芯片的微型电视系统设计与实现

介绍了LCoS芯片在电视接收系统中的应用，重点讨论了LCoS芯片的结构与特点。自主开发的LCoS模块采用模拟视频接口、兼容隔行和逐行扫描方式，可以简化系统电路设计，降低系统功耗。同时论述了LCoS微型电视机在信号接收、模拟视频处理、时序控制和音频电路等方面的特点，并给出了相关电路的设计方案。     

nLight公司研制出364W连续输出激光二极管棒条

(2004年11月15日，华盛顿州Vancouver市消息)一家居领导地位的大功率半导体激光器生产公司——恩耐激光(nLight)公司，今天宣布他们已经研制出波长808nm、连续波(CW)364W功率的单根1-cm二极管激光器棒条。     

多孔硅发光二极管的载流子传输特性研究

制备AI／多孔硅／c-Si／Al结构的多孔硅发光二极管，利用其I-V特性关系，以及在不同温度下其I-V特性的变化，结合多孔硅的特殊微结构及性质，分析了多孔硅发光二极管中载流子的产生和传输过程；通过比较其发光猝灭前后I-V特性的变化，解释了发光猝灭的原因。提出了如果在低电场下能够实现大量载流子在限制性Si微粒中复合．是提高多孔硅电致发光效率的一个途径。     

Analysis and Simulation of S-shaped Waveguide in Silicon-on-insulator

The simulation and analysis of S-shaped waveguide bend are presented.Bend radius larger than 30 mm assures less than 0.5 dB radiation loss for a 4-μm-wide silicon-on-insulator waveguide bend with 2-μm etch depth.Intersection angle greater than 20° provides negligible crosstalk (<-30 dB) and very low insertion loss.Any reduction in bend radius and intersection angle is at the cost of the degradation of characteristics of bent waveguide and intersecting waveguide, respectively.     

超稳定单频二极管泵浦固体激光器

Laser Quantum公司最近推出一种新型Torus532系列二极管泵浦固体单频激光器，其输出功率从50～300mW。Torus系列激光器输出532nm的衍射极限光束，能以高稳态、主动锁模单频运转。Laser Quantum公司采用专利技术，其行波腔结构和由主动数字锁定技术控制的模跳跃，使Torus532系列激光器以单频运转。这种特有的技术可以连续地监视和校正激光器的频率。     

替代柱面透镜的二元光学元件设计

在二极管泵浦固体激光器耦合光学系统中，柱面透镜起着非常重要的作用。随着系统轻量化、小型化的要求需要用重量轻、尺寸小的光学器件来替代。本文介绍一种用于替代柱面透镜的二元光学元件的设计和制作方法。     

电致发光色纯性增强的硅基有机微腔

报道了硅基有机微腔的电致发光（EL）.该微腔由上半透明金属膜、中心有源多层膜和多孔硅分布Bragg反射镜（PS DBR）组成.半透明金属膜由Ag（２０nm）构成，充当发光器件的负电极和微腔的上反射镜.有源多层膜由Al (1 nm) / LiF(05 nm) /Alq3/Alq3:DCJTB/NPB/CuPc/ITO/SiO2组成，其中的Al/LiF为电子注入层，ITO为正电极，SiO2为使正、负电极电隔离的介质层.该PS DBR是采用设备简单、成本低廉且非常省时的电化学腐蚀法用单晶Si来制备的；该PS 关键词： 电化学腐蚀 电致发光 窄峰发射 硅基有机微腔