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纹膜结构用于电容式硅微麦克风的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文提出的一种纹膜结构单硅片微麦克风,采用了硅微机械技术,且实现了麦克风电容两电极之间的自对准,大大提高了麦克风的生产效率,降低了成本.纹膜结构有降低和消除膜内应力的作用,而纹膜的三维结构使麦克风电容的有效面积有所增加,这些都显著地提高了麦克风的灵敏度,是该项新结构的关键.本文从理论和实验上对纹膜结构机械性能与结构尺寸参数之间的关系,及结构的优化进行了研究.通过对制作出的不同结构参数q值的麦克风的测试,得到了与初步理论分析基本相符的实验结果.实验证明,纹膜结构具有比相应的平膜结构高得多的机械灵敏度和麦克风 相似文献
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吴兰 《红外与毫米波学报》2002,21(2):87-90
用垂直入射的中红外光束调制非掺杂SiGe/Si量子阱中光致子带间吸收,氩离子激光器作为子带间跃迁的光泵浦源在阱中产生载流子,红外调制光谱用步进式傅立叶变换光谱仪记录,实验中观察到明显的层间干涉效应与子带间跃迁有关的色散效应,理论和实验分析认为样品折射率变化造成的位相调制可以补偿吸收所造成的幅度调制。 相似文献
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等离子激发是了解材料的电子态性质的一个窗口。电子能量损失谱是研究材料内等离子激发的一个极好的实验工具[1] 。常见的电子能量损失谱主要是通过研究等离子激发的能量和强度来分别确定材料内部价电子的体密度和样品的厚度 ,比较少的是关于等离子激发能量与散射角度的关系的研究[2 ] ,即物理意义上的等离子激发的色散关系。色散关系和材料的维度及电子与电子的相互作用有关[3 ] ,故研究低维材料激发态的色散关系是一个十分有意义的工作。我们在这里报导测量单根硅纳米线等离子激发色散关系的初步工作。我们选择硅纳米线作为实验体系是因为… 相似文献
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硅光电负阻器件的构成原理与分类 总被引:1,自引:0,他引:1
郭维廉 《固体电子学研究与进展》2002,22(1):120-126
将三端负阻器件与硅光电探测器相结合 ,通过新的构思成功地提出并构成了一类新型光电器件——硅光电负阻器件。文中报道了该器件构成的一般性原理 ,以及依据此构成原理确定的分类方法 相似文献