双频段应用的毫米波倍频一放大器组件

本文介绍用变阻模式肖特基二极管制作的宽频带倍频器和由Ｋａ波段ＧａＡｓＭＭＩＣ放大器芯片组成的倍频一放大器混合集成组件，输出功率可达２０ｄＢｍ。     

采用雪崩晶体管产生窄脉冲

本文详细介绍了雪崩晶体管的工作原理,介绍和分析了一些可用于单脉冲选取、高速摄影控制、探地雷达以及固态脉冲源的典型电路,并给出了这些脉冲电路的测试结果。     

纳米硅薄膜光吸收谱的研究

用恒定光电导法测量了纳米硅(其晶粒尺寸为3-5nm,晶态成分比X_c为45％—50％)薄膜在0.9—2.5eV范围的光吸收谱。分析了在不同光子能量范围可能存在的对光电导作主要贡献的几种光跃迁过程,以及随着X_c的增加,材料由非晶、微晶转变为纳米硅薄膜时光吸收谱的变化。发现纳米硅晶粒之间的界面区(平均厚度约为1nm)中载流子的跃迁及传输过程对整个范围的光吸收谱起主导作用。联系纳米硅的这种特殊结构解释了有关实验结果。 关键词：     

硅表面氧化膜的X光电子谱及部分参数固定法曲线拟合

本文用Ｘ光电子谱及部分参数固定曲线拟合方法分析了热生长硅氧化膜和硅的自然氧化膜中硅和氧的结合状态，发现两者均不是单一的ＳｉＯ２，硅在以上两种氧化膜中共有四种氧化状态，即Ｓｉ＋１，Ｓｉ＋２，Ｓｉ＋３和Ｓｉ＋４，它们相对于体Ｓｉ２ｐ，峰的化学位移分别为０．８５，２．３５，３．５５和４．６０ｅＶ．在硅的初期氧化阶段无Ｓｉ＋４成分出现．     

展望氮化镓器件的光辉未来

由于日本日亚化学公司S．Nakamura1997年演示的连续波二极管激光器的外推寿命达到了10000h，氨化镓（GaN）研究人员将会记住这一年。同年的材料研究协会（MRS）秋季会议（1997年12月1～5日在波士顿举行）也因此及时地给Nakamura的GaN发光二极管商业化成就授予了材料研究协会奖，并且很快把二极管激光器包括到“GaN二极管激光器的工业应用”辅导会议中。该辅导包括三个专家讲演的特邀论题，即印刷、光记录和显示业，由此地激起了GaN激光器对这些领域未来影响的设想。加州施乐帕罗·阿尔多研究中心的R．Bringans评述了印刷业和它转移到…     

自猝灭流光雪崩机制

本文通过对大量SQS实验现象的分析研究,提出SQS的成因是原初饱和雪崩的空间电荷造成阳极丝附近电场的畸变.根据这一假设,对SQS过程做了定量的计算,给出各种不同条件下,计数管输出电荷量与所加高压的关系曲线.计算了SQS转变电压、转变点原初雪崩的电荷量和SQS雪崩的电荷量与气体组分的关系.计算结果和实验结果令人满意地符合.     

数字万用表二极管挡使用技巧(三)

<正> 6.硅桥式整流器性能鉴别 硅桥式整流器具有体积小,使用方便等特点,在家用电器和工业电子技术中应用广泛。常用的小功率硅桥有全桥和半桥之分。全桥是将四只硅整流二极管接成桥路的形式(见图3),如QL52～QL61系列、PM104M、BR300系列等。半桥有三种结构:一种是将两只二极管顺向串联,在结点处引出一极(如2CQ1型),见图4;另一种是将两只二极管背靠背式反极性联接(称共阴式,如2CQ2型),见图5;第三种是将两只二极管头碰头式反极性联接(称共阳     

硅中硼离子注入校准样品的研制

本文主要介绍了硅中硼离子注入校准样品的制备与研究。分别用三台SIMS仪器对样品进行了深度剖析与比对,并对用作校准目的的样品主要参数进行了定值。