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300W S波段固态发射机 总被引:1,自引:0,他引:1
本文介绍了一种用于雷达和医学领域的,工作在2.9—3.1GHz的300W紧凑型固态发射机的结构和性能。该发射机包含三个主要部分:PLL—DDS合成器、脉冲成型电路和多级C类放大器。其峰值功率为300W,脉冲宽度50μs,占空比5%,这些指标是通过合成两个使用均衡结构Si—BJT(硅双极型晶体管)的160W放大器的输出而得到的。输出功率电平通过支流电源模块控制在6dB动态范围内。5%占空比时,在整个输出功率的动态范围内,射频脉冲宽度的功率衰减小于0.2dB。在包含有频率牵引效应和1KHz时—75dBc/Hz的相位噪声条件下,合成VC0可以达到超过10^-7的长期稳定性。另外,频谱特征也令人满意。 相似文献
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把不同面向的注氢硅片制成横截面样品,在高分辨率透射电子显微镜下进行观察,发现衬底面向对其中的微结构有明显的影响.首先表现为衬底中主要出现平行于正表面的氢致片状缺陷,即(100)衬底中,主要出现平行于正表面的{100}片状缺陷,而(111)衬底中出现的主要是平行于正表面的{111}片状缺陷.其原因是注入引起垂直正表面的张应变.另外,面向的影响还表现为,(100)衬底中出现的{113}缺陷在(111)衬底中不出现.在(111)衬底中出现的晶格紊乱团和空洞在(100)衬底中不出现.从而推测,{111}片状缺陷的形成不发射自间隙原子,而(100)片状缺陷的形成将发射自间隙原子. 相似文献
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《中国物理快报》2003,20(10):1871-1874
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Efficient Visible Electroluminescence from Porous Silicon Diodes Passivated by Carbon Films
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《中国物理快报》2002,19(7):1013-1015
By using n-butylamine as a carbon resource,carbon film is deposited on the p-n porous silicon (PS) surface with a radio-frequency glow discharge plasma system.Raman spectra and infrared reflection (IR) spectra of the carbon films indicate that there are amine-group and hydrogen atoms therein.The IR spectra of the passivated PS samples exhibit that the PS surfaces are mainly covered with Si-C,Si-N and Si-O bonds.Electroluminescence (EL) spectra show that the EL intensity of the passivated PS diodes increases greatly and the blueshift of the EL peak occurs compared with the diodes without treatment.Both of these are stable while the passivated diodes are exposed to the air indoors.The I-V characteristics reveal that the passivated diodes have a smaller series resistance and a lower onset voltage.The influence of the carbon film passivation on EL properties of PS has also been discussed.The results have proven that carbon film passivation is a good way to enhance the PS luminescent intensity and stability. 相似文献
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A europium complex Eu (DBM)3 TPPO (Eu tris(benzoylmethide)-(triphenylphosphine oxide)) and silicon nanoparticles have been hybridized.The hybridization can evidently change the photoluminescence (PL) characteristics of the Eu complex in the following aspects:under an excitation of 390nm,the intensity of the PL peak at 611nm due to the ^5Du-^7F2 transition of the Eu^3 ions has been increased by 30%,and thc integrated PL intensity in the visible range has been increased by nearly 3 times;the PL excitation efficiency beyond 440nm has been improved cvidently;the peak in the PL excitation spectrum shifts from 408nm to 388nm,and the PL decay time decreases from 2.07 to 0.96μs,The experimental results indicatde that in the PL process,the photoexcited energy may transfer from the silicon nanoparticlcs to the Eu^3 ions. 相似文献
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