硅光电负阻器件的构成原理与分类

将三端负阻器件与硅光电探测器相结合 ,通过新的构思成功地提出并构成了一类新型光电器件——硅光电负阻器件。文中报道了该器件构成的一般性原理 ,以及依据此构成原理确定的分类方法     

微振动光电检测与数据采集系统的设计

提出了一种新的光学非接触式测量方法测量了物体的微振动振幅。用激光作为光源,以四象限硅光电池[1]作为光电探测器,借助三角测量原理,投射在振动源表面的激光反射光束在光电探测器上产生平面位移,将位移信号放大,通过A/D模块采集电压数值,并通过串口通信机制在PC终端实时显示。实验结果表明,该方法原理正确,灵敏度高,便于实现连续、快速、自动化检测,在工业在线检测方面具有良好的应用前景。     

Structural and Electrical Characteristics of Pb（Zr0.53,Ti0.47）O3 Thin Films Deposited on Si （100） Substrates

Pb(Zr0.53, Ti0.47)O3 (PZT) films were directly deposited on Si substrates without a buffer layer by pulsed laser deposition. Only(110)-oriented PZT peaks (other than Si substrate peaks) were observed from the XRD data. The electrical properties of the PZT/Si capacitor were characterized in terms of both the capacitance versus voltage (C-V) and current versus voltage (I-V) measurements. The clockwise trace of the C-V curve shows ferroelectric polarization switching, as is expected. From the I-V curves, the Schottky emission and spacecharge-limited-current behaviour are found to be the mainly leakage current mechanism in a certain electric field range in the negative and positive bias, respectively.     

随行者：HP mp2225投影机

惠普（HP）mp2225投影机显然定位于移动商务应用。得益于镁合金材质的采用，mp2225重量仅有1.1kg，更具备了极佳的机身强度，可以充分满足频繁的商务旅行对坚固性的需求。圆润的边角设计也使其易于携带，甚至可以轻松收纳于随身的旅行箱中。     

IPC出版IPC-7711／7721B版本

日前，IPC美国电子工业联接协会宣布出版IPC-7711／7721B版本，即电子组件的返工、修改和维修。此版本审核并更新了返工返修的每一个步骤（总共大约几百个），同时适用于无铅焊接和传统的锡铅合金焊接的组件。     

优化移动多媒体传输链的功耗

消费者对于移动多媒体的需求是毫无疑问的，满足这些需求的技术已经开发成功，对于设计人员而言，剩下的问题就是如何利用这些技术，并将成功的产品带入市场。本文将讨论如何减省移动多媒体设备内关键元件的功耗，此外也会对现今移动多媒体设备设计人员所面对的工程挑战作出概括的分析，并就目前及新涌现的硅技术，提出可克服这些工程挑战的解决方案。     

基于LCoS芯片的微型电视系统设计与实现

介绍了LCoS芯片在电视接收系统中的应用，重点讨论了LCoS芯片的结构与特点。自主开发的LCoS模块采用模拟视频接口、兼容隔行和逐行扫描方式，可以简化系统电路设计，降低系统功耗。同时论述了LCoS微型电视机在信号接收、模拟视频处理、时序控制和音频电路等方面的特点，并给出了相关电路的设计方案。     

Analysis and Simulation of S-shaped Waveguide in Silicon-on-insulator

The simulation and analysis of S-shaped waveguide bend are presented.Bend radius larger than 30 mm assures less than 0.5 dB radiation loss for a 4-μm-wide silicon-on-insulator waveguide bend with 2-μm etch depth.Intersection angle greater than 20° provides negligible crosstalk (<-30 dB) and very low insertion loss.Any reduction in bend radius and intersection angle is at the cost of the degradation of characteristics of bent waveguide and intersecting waveguide, respectively.