P—型多孔硅的拉曼光谱与结构特征

本文第一次在较宽的频率内研究了ｐ－型多孔硅的拉曼光谱，观察到并试探性的指认了多孔硅的一级ＴＡ、ＬＡ和二级ＬＡ、ＴＯ声子峰；从上述拉曼谱和多孔结构关系的初步分析中了解到，Ｐ－型多孔硅在结构是一种类似于纳米晶的硅材料。     

Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si （111） Substrates using a GaN Intermedial Layer

GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si（111） substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional （3D） mode to the 2I） one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy （TEM） measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer.     

非晶Nb-Ni合金晶化过程中紫外光电子能谱研究

本文利用紫外光电子能谱和X射线衍射测量研究了非晶Nb_100-xNi_x(x=65,59.8,56.4)合金晶化过程中价带谱的变化。对NbNi₃价带谱中出现的双峰进行了讨论。 关键词：     

结构应用的CVD钨和钨—铼合金

研究了ＣＶＤ钨和钨－铼合金的显微组织，估价了它们作为高温材料的适用性。我们发现反应室的分压影响了沉积纯钨和钨－铼合金的显微组织和表面粗糙度。沉积纯钨和钨－铼合金的晶粒度都在０．５ｕｍ以下。实验证明，细晶粒钨的硬度（Ｈｖ〉１０００，室温（Ｒ．Ｔ）、弯曲强度（Ｒ．Ｔ￣１１７５Ｋ，δ＝７００￣１２３０ＭＰａ）和线性热膨胀系数（５７５￣１１７５Ｋ，β＝４．５￣４．９×１０＾－６Ｋ＾－１）比柱状结构钨大。     

内热式液态合金离子源

本文介绍了一种实用的液态合金离子源结构，我们利用本结构研制成功了Ａｕ－Ｓｉ和Ａｕ－Ｓｉ－Ｂｅ液态合金离子源，测出了它们的发射特性。     

荧光XAFS研究Si可稀浓度杂质的区域结构

荧光ＸＡＦＳ研究Ｓｉ晶体中等电子，缺电子和富电子杂质原子的区域环境结构。结果表明杂质原子的电子构型决定了杂质原子对Ｓｉ区域晶格形变的影响。相对于共价键长ＲＳｉ－Ｓｉ（０．２４０ｎｍ）来说，富电子杂质Ａｓ导致Ｓｉ晶格在Ｓｉ（１１１）方向的ＲＡｓ－Ｓｉ键长产生０．００４ｎｍ的反应增长，等电子杂质Ｇｅ的Ｒ－Ｇｒｅ－Ｓｉ和缺电子杂质Ｇａ和ＲＧａ－Ｓｉ键长收缩０．００２ｎｍ。     

离子注入硅的线源非相干光瞬时退火温度计算

本文利用高温模型,计算了在我们的实验条件下对离子注入硅进行线源非相干光瞬时退火的退火温度,并与实验结果比较,两者符合得较好。     

手性噻唑烷-铑(I)配合物催化的苯乙酮不对称硅氢化反应

由L-半胱氨酸甲酯与α-吡啶甲醛缩合制备了2-(α-吡啶基)-4-羧甲基-1, 3-噻唑烷手性配体。用该手性配体与[Rh(COD)]2反应原位生成的Rh(I)配合物为催化剂进行了苯乙酮的不对称硅氢化反应。反应的化学产率达91%, 光学产率达82.1%e.e.。考察了各种反应条件对催化剂性能的影响。     

钢中Si、Mn的电子探针定量分析与标样

采用特制的Fe-Si、Fe-Mn合金系列标样，用电子探针测定了钢或铁基合金中低含量的Si和Mn元素、与用纯元素作标样、经ZAF修正的结果相比较，提高了分析准确度．