ZK—4、NaANaHS3种沸石的铝化

用高温气－固相置换法对ZK－4、NaANaHS3种沸石进行铝化。组成分析、尾气分析、X射线衍射、晶体形貌分析、红外光谱和^29Si高分辨魔角固体核磁结果表明，3种低硅铝比沸石铝化后骨架可能存在Al-O-Al键。     

圆形振动膜ZnO压电微传声器的研制

本文介绍了一种新型圆形振动膜ZnO压电微传声器的制备，并对传声器制备的工艺过程进行了较为详细的描述。圆形振动膜的压电传卢器与以前方形振动膜结构设计相比，较大幅度提高了传声器的灵敏度和成品率，灵敏度达到-70dB（相对于1V／Pa），成品率达到80％。     

硅／硅键合界面的正电子湮没分析

硅/硅键合是硅功率器件,功率集成电路以及集成传感器衬底制备新技术之一。键合界面的缺陷直接影响器件性能。我们采用正电子湮没技术对N/N~+硅键合片界面缺陷进行了研究。由正电子湮没谱可知:键合引入了界面缺陷,但其缺陷密度小于热扩散形成的N~-/N~+片而引入的缺陷。界面缺陷主要是一些复杂的空位团和微型空洞组成。而且在不同的退火温度下,缺陷状态不同,在高于键合温度下退火。可使键合片具有与原始硅片相近的特性。     

势垒区δ掺杂量子阱Si／Ge_（0．3）Si_（0．7）的电子能带结构及电子密度分布

在有效质量近似基础上，采用非均匀网格有限差分法，通过对薛定谔—泊松方程的自洽求解，得到了生长在Ｇｅ０．３Ｓｉ０．７（００１）衬底上的势垒区８掺杂量子阶Ｓｉ／Ｇｅ０．３Ｓｉ０．７的势位及电子密度分布．讨论了量子阶的几何结构参数——阱宽及δ掺杂位置和δ掺杂密度对势阱内电子密度分布的影响．     

十次准晶及近似晶体相的晶体学关系

在分析正五形的几何特征和正五边形的周期与准周期排列的基础上，讨论了具有五边形单元的二维周期点阵与准财期点阵的异同以及它们之间的转变。在Ａｌ－Ｃｏ二元系中，除了已知的单斜Ａｌ１３Ｃｏ４及正交Ａｌ３Ｃｏ的五角层状结构，还发现有五边形的边长及单胸参数ａ，ｃ均为τ＾２和τ＾３倍的合金相，如此无膨胀，就会得到单胸参数为无穷大的十次准晶。另一方面，Ａｌ６０Ｍｎ１１Ｎｉ４的两种已知正交结构的点阵参数ａ，ｃ均可用     

ICP－AES法测定富锗酵母中微量元素

本文采用美国ＬｅｅｍａｎＬａｂｓ公司中阶梯光栅光谱仪测定了人工培养的富锗酵母中高含量锗及镁、铜、锌、铁、钾、钠等微量元素，研究了富锗样品的前处理方法，样品加标回收率在９０％－１０３％之间，测量相对标准偏差：锗１０％，镁、铜、锌、铁、钾、钠等元素小于７％。     

硅磷酸铝分子筛SAPO—34稳定性的研究

利用差热分析（ＤＴＡ）、原位ＸＲＤ技术研究了ＳＡＰＯ－３４分子筛原粉样品的晶体结构在模板剂烧除过程以及环境气氛中的变化情况。采用１０７３Ｋ下的高温焙烧和水蒸汽处理以及甲醇转化试验跟踪考察了该分子筛在结构和催化性能上的稳定性。     

频率式硅电容压力传感器的研究

本文对频率输出的硅微机械结构电容压力传感器进行了研究。利用有限元程序和解析方式对岛－膜硅电容膜片进行了分析。采用硅体型微机械加工技术和集成电路兼容工艺完成了压力元件的制作。对易于ＣＭＯＳ集成的两种新颖的接口电路进行了分析和设计，提高了传感器的性能。